Gigabit以太网多模光纤的发展

随着信息时代的发展,人们对数据传输的需求越来越大,同时对于系统的带宽要求也越来越高。在局域网(LAN)领域,相似的情况也存在。纵观以太网在90年代的发展,从低速以太网(10Mbit/s)、高速以太网(100Mbit/s),到1998通过的Gbit/s以太网标准IEEE802.3z以及计划将在今年通过的10Gbit/s以太网标准IEEE802.3ae,其发展的速度是惊人的。     

HiBand--吉比特以太网多模光纤

1前言 随着信息时代的到来,社会对于信息的需求越来越大,同时对于系统的带宽要求也越来越高.在局域网(LAN)领域也存在相似的情况,纵观以太网在90年代的发展,从低速(10 Mbit/s)到高速(100 Mbit/s)以太网,到1998通过的吉比特以太网标准IEEE 802.3z,以及计划将在今年通过的10吉比特以太网标准IEEE 802.3ae,其发展速度是惊人的.作为系统传输的重要媒介,光纤的性能也同样要求不断地提高.本文主要介绍一种针对吉比特以太网标准开发的新一代多模光纤--HiBand多模光纤的性能及其研发过程.     

干拍水磨石地坪施工

水磨石地坪的传统做法是在找平层上铺水泥石子浆,通过拍、压、抹平后待磨。而我们改为将渣子全部后撒在水泥浆上干拍。具体做法如下: 底层做法仍按常规,找平层需严格按要求施工,基本保证平整度误差控制在2毫米内。应起拱的地坪则按规定在找平层上起拱。然后进行弹线分格,贴分格条。只要找     

改进的PCVD工艺制造高掺硼材料的性能研究

介绍了一种用于制造光纤的高掺硼石英材料的性能.简单回顾基本的工艺条件和关键工艺参数之后,主要讨论材料性能,如玻璃结构、折射率、粘度、热膨胀系数和残余应力等.另外还介绍了两种高掺硼光棒的性能.     

大功率CO2激光原位直接反应合成TiN/Ti 复合材料的研究

使用大功率CO₂激光原位直接反应合成TiN /Ti 复合材料, 分析了材料的微观结构、物相组成、成分及显微硬度分布。结果发现: 氮化层是富钛结构的, 由TiN 相和α-Ti 构成, TiN 以枝晶形式在氮化层均匀分布。材料横截面显微硬度连续变化。氮化层的氮化程度随激光作用时间的增加而增加, 辐照的激光能量密度越高, 氮化层的厚度越大。激光功率密度, 激光扫描速度, 氮气喷射压强分别为3. 35×105W·cm-2, 300mm·min-1, 0.35M Pa 时, 材料表面硬度值达到Hv1600, 氮化层的厚度有350Lm。      

TiAl合金的激光气相氮化

使用激光气相合金化方法，氮气气氛下在铝钛合金表面进行氮化处理。结果发现：氮化层由ＴｉＮ和ＴｉＡｌ相构成，ＴｉＮ以枝晶形式在氮化层均匀分布。材料横截面显微硬度连续变化。氮化程度随作用时间的增加而增加，辐照的激光能量密度越高，氮化层的厚度越大。当激光功率密度、扫描速度、氮气喷射压强分别为３．３５×１０５Ｗ·ｃｍ－２，３００ｍｍ·ｍｉｎ－１，０．３５ＭＰａ时，表面显微硬度为ＨＶ７００，氮化层的厚度达到２００μｍ。比较表明，相同条件时，铝钛合金的氮化程度和氮化层厚度均小于金属钛。     

彩色相纸涂布横向统一性问题分析及改进措施

彩纸横向统一性问题是指涂布宽片横向涂布不均,使产品应用过程中的横向密度出现趋势性变化。彩纸横向统一性不好会导致同一轴号不同本的产品画面效果出现差异,即同一轴统一性差;通过对比测试物料参数,找出影响横向统一性的原因,并加以改善控制,以提升乐凯彩纸的质量水平,提高顾客满意度。     

新型大芯径塑料包层光纤

介绍了一种新型大芯径塑料包层光纤的研制和开发,作为适合工业、医疗、激光等领域应用的塑料包层光纤,拥有大的光纤芯层直径和高的数值孔径,能够提供非常便利和高效的耦合操作和效率.该光纤可使用在850nm窗口,通过对光纤几何、光学等性能的测试,能够满足应用所需要的光学参数.同时对塑料包层光纤的机械性能和温度稳定性能进行了全面的测试,保证了该光纤在实际使用过程中能够满足操作和使用寿命等工程应用的需求.     

新型宽带多模光纤研究

成功制备出一种新型抗弯曲宽带多模光纤,介绍该光纤的设计、制备以及表征结果,并通过100Gbit/s SWDM4传输实验,将其传输性能与传统OM4光纤进行对比。     

反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究

实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝（ＡｌＮ）薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Ａｌ和Ｎ发生完全反应制备高质量符合化学计量比的ＡｌＮ薄膜。讨论了脉冲能量密度、基底温度、气体放电对所沉积薄膜组织结构的影响。实验结果表明,当ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ－２,ＰＮ２＝１３．３３３ｋＰａ,Ｔｓｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功地沉积于Ｓｉ（１００）基片上。分析表明薄膜是具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,薄膜的能带间隙约为６．２ｅＶ,其电阻率和击穿电场分别为２×１０１３Ω·ｃｍ和３×１０６Ｖ·ｃｍ－１。