大功率白光LED封装结构和封装基板

随着LED在照明领域的不断发展,功率和亮度不断提高,尤其是大功率白光LED的出现,热问题成为制约LED进一步发展的关键问题。介绍了大功率白光LED引脚式封装、表面贴装式(SMT)、板上芯片直装式(COB)和系统封装式(SiP)封装结构和金属、金属基复合以及陶瓷封装材料。重点阐述了金属芯印刷电路板(MCPCB)、金属基复合材料板以及陶瓷基板(如厚膜陶瓷基板、薄膜陶瓷基板、低温共烧陶瓷基板)等应用于大功率白光LED的封装基板,对各个基板的特点和散热能力进行了分析和对比。最后对大功率白光LED封装结构和封装基板的发展趋势进行了展望。     

面向SiP封装的层压板与LTCC板射频模块设计

随着移动无线设备面临更大的缩小体积的压力,人们开始采用系统级封装(SiP)来解决这一难题.不过,前端的射频电路通常需要首先集成在一块基板上,形成一个模块,然后再嵌入SiP中,才能保证射频电路的完整性以及与其它电路的隔离.这种射频模块通常有现成的产品可以使用,但有时为了满足特定要求,还要寻求专业厂商的定制设计.     

毫米波硅基SiP模块设计

设计了一款采用硅基板作为载体的毫米波上变频微系统系统级封装(System in Package, SiP)模块。该模块利用类同轴硅通孔(Through-Silicon-Via, TSV)结构解决了毫米波频段信号在转接板层间低损耗垂直传输的问题。该结构整体采用四层硅基板封装,并在封装完成后对硅基射频SiP模块进行了测试。测试结果显示,在工作频段29～31 GHz之间,其增益大于27 dB,端口驻波小于1.4,且带外杂散抑制大于55 dB。该毫米波硅基SiP模块具有结构简单、集成度高、射频性能良好等优点,其体积不到传统二维集成结构的5%,实现了毫米波频段模块的微系统化,可广泛运用于射频微系统。     

三级微电子封装技术

微电子封装一般可分为三级封装,即用封装外壳(金属、陶瓷、塑料等)封装成单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的一级封装,常称芯片级封装;将一级封装和其它元器件一同组装到基板(PWB或其它基板)上的二级封装,又称板级封装;以及再将二级封装组装到母板上的三级封装,这一级也称为系统级封装.(而一、二级封装的关系更加密切,已达到技术上的融合).     

实施系统封装方案以提高系统整体功能和性能

系统集成是实现电子产品高性能,小型化和低成本目标的重要手段。与同芯片上的系统集成(SoC)相比,封装层次上的系统集成(SiP)的开发具有成本低、周期短和灵活性高等优势。本文以典型的无线电子系统为例,提出了有效的系统分割设计方法,介绍了一些用于子系统模块封装的方法,并强调了系统公司与封装、基板及其它主被动元件供应商之间协调合作对成功的模块式电子系统开发的重要性。     

基于LTCC的X波段四通道发射SiP模块

面向雷达相控阵系统应用,研制了一款X波段四通道发射封装内系统(SiP)模块。SiP模块采用低温共烧陶瓷(LTCC)基板,共28层,设计最小线宽为150μm,且内置埋阻。模块集成了驱动放大器、低噪声放大器(LNA)、幅相多功能等芯片,并将四功分器和交叉带状线网络设计于基板内部,提高了模块的集成度和通道间隔离度,采用内部互连的LTCC基板实现了多种有源器件和无源结构的三维集成。测试结果表明,在工作频率9～10.5 GHz, SiP模块单通道增益≥37 dB,输出功率可达24 dBm,通道间隔离度≥25 dB。SiP模块尺寸仅为20 mm×20 mm×2.65 mm,质量约3.35 g。实现了X波段多通道SiP模块的高性能、高集成度和小型化,可广泛应用于相控阵雷达的T/R组件中。     

FC装配技术

器件的小型化高密度封装形式越来越多，如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯片（FC，Flip-Chip）等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。     

封装基板

PC／NBPCB旺季到光电和手机板3Q末回春,三星电机2008年可望跃升全球PCB龙头,CSP封装基板PCB行业下一增长点，佳鼎宣布与志超进行策略结盟,多家PCB厂跨入LED散热板,台积电投资1．9亿美元扩大6英寸8英寸晶圆产量，……[编者按]     

功率电子模块及其封装技术

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异。同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。     

芯片级封装与HDI/BUM板

芯片级封装是指芯片在PCB基板上安装尺寸等于或接近于芯片尺寸的、高密度组装技术,它是在表面安装技术上深入发展起来而成为新一代的电路组装技术。芯片级封装的优点使它成为当前和今后最具优势(选)的高密度封装方法之一。而HDI/BUM 板是受芯片级封装技术推动而发展起来新一代PCB产品。HDI/BUM 板将推动PCB全面走向高密度化(微导通孔、导线微细化、介质薄型化等),严格的 CTE匹配和紧密的板面高平整度化要求,最后介绍了 HDI/BUM的关键生产工艺。     

FC装配技术

前言 器件的小型化高密度封装形式越来越多。如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯片（FC,Flip—Chip）等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑,随着小型化高密度封装的出现,对高速与高精度装配的要求变得更加关键,相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。     

FC装配技术

器件的小型化高密度封装形式越来越多，如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯片（FC，Flip—Chip）等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。     

倒装晶片(Flip Chip)装配工艺及其对表面贴装设备的要求

元件的小型化高密度封装形式越来越多,如多模块封装(MCM),系统封装(SiP),倒装晶片(FC)等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线,勿庸置否,随着小型化高密度封装的出现,对高速与高精度装配的要求变得更加关键。相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。由于倒装晶片比BGA或CSP具有更小的外形尺寸,更小的球径和球间距,它对植球工艺,基板技术,材料的兼容性,制造工艺以及检查设备和方法提出了前所未有的挑战。     

热烈庆祝2010电子制造与封装技术论坛成功举行

进入到2010年,中国的电子制造产业面临着新的考验与挑战,新型电子产品对于小型化,功能集成以及大存储空间的要求进一步提升,元器件的小型化高密度封装形式也越来越多,如多模块封装（MCM）,系统封装（SiP）,倒装晶片（FC）等封装形式应用得越来越多。而元件堆叠装配（POP）技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线,电子组装与封装技术开始出现了交叉融合发展的趋势。     

后摩尔时代的封装技术

介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术。采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减。将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台。在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步。随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代。     

IC封装基板格局三足鼎立成本趋于下降

传统的IC封装是采用导线框架作为IC导通线路与支撑IC的载具,它连接引脚于导线框架的两旁或四周。随着IC封装技术的发展,引脚数量的增多(超过300以上个引脚)、布线密度的增大、基板层数的增多,使得传统的QFP等封装形式在其发展上有所限制。20世纪90年代中期一种以BGA、CSP为代表的新型IC封装形式问世,随之也产生了一种半导体芯片封装的必要新载体,这就是IC封装基板(IC Package Substrate,又称为IC封装载板)。近年来,BGA、CSP以及Flip Chip(FC)等形式的IC封装基板,在应用领域上得到迅速扩大,广为流行。世界从事封装制造业的主…     

集成两路射频SiP发射器的设计和研究

随着移动通信和其它电子应用领域的不断进步,系统集成需求日益紧迫。除了可以应对系统性能、功能、成本和小型化的更高要求,系统级封装(SiP)在降低开发成本、实施灵活设计、缩短开发周期,和集成异质芯片上也有突出优势。这篇文章介绍了一个可用于手机基站系统的双通路发射系统SiP模块的开发。我们用计算模拟方法辅助优化设计,并成功制造和验证了SiP模块。SiP为内嵌电磁干扰屏蔽罩的12mmx12mmx1.9mm的多层栅格阵列封装(LGA)。各种射频信号性能均通过测试,包括严格的隔离度要求。电磁屏蔽测试和计算模拟结果高度吻合。最后,文章介绍了一种高效的计算模拟方法,极大地缩短了计算模拟的时间,并对未来射频SiP开发将提供有力帮助。     

LTCC在SiP中的应用与发展

SiP是实现先进电子设备小型化、多功能化和高可靠性的有效途径。SiP的组装和封装载体是基板。LTCC通过采用更小的通孔直径、更细的线宽/线间距和更多的布线层数能实现SiP复杂系统大容量的布线。通过采用空腔结构可以优化系统元器件的组装,提高散热能力。利用埋置无源元件,可以减少SiP表贴元件的数量。利用3D-MCM和一体化封装可以进一步减少系统的面积和体积,缩短互连线。未来SiP的发展要求LTCC具有更好的散热能力、更高的基板制作精度和更多无源元件的集成。     

电子封装技术的最新进展

现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步.概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温焊接等技术的最新进展.并对SiP三维封装技术中封装叠层FFCSP技术进行了着重的阐述.指出随着低温焊接、连接部树脂补强以及与Si热膨胀系数相近基板的出现,电子封装构造的精细化才能成为可能,为各种高密度封装、三维封装打下坚实基础.     

系统模块(SiP)和三维封装(3D)在移动通讯中的应用

电子封装业界正遭受着前所未有的来自手机和其他移动通讯终端设备挑战。在这一领域里,IC封装的关键是尺寸微型化,缩减成本和市场时机。这一挑战的背后隐含着手机技术发展的两大趋势:系统模块化和日益增长的复杂性及功能。越来越多的功能正在被组合到手机上即PDA、MP3、照相机、互联网等等。功能的增加需要靠模块化来实现,而模块化又促进了更多功能的组合。同时,模块化使得移动通讯终端设备得以微型化、降低成本和缩短设计周期。业界越来越多地感受到整体射频模块和通讯模块解决方案的必要性。这些整体模块把手机设计师从电路设计的细节中解脱出来,从而能专著于高层的手机应用和系统的设计。为了满足上诉移动通讯产品的苛刻要求,大量的新兴电子封装技术和封装产品应运而生。最引人注目的例子在于对系统模块穴SiP雪和三维穴3D雪封装的重点资金和技术投入。这两项先进封装技术有着各自不同的特征和应用范围。总体介绍先进封装技术在移动通讯中的应用,重点讨论电子封装材料和工艺所面临的挑战和最新发展趋势。对移动通讯带来的新一轮集成化及其所产生的潜在供应链问题也做了适当的讨论。