HEMT－HBT单片集成技术

简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。     

采用局部分子束外延技术的HEMT─HBT集成

介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术，其器件特性与单一工艺的ＨＥＭＴ和ＨＢＴ基本相同     

采用局部分子束外延技术的HEMT—HBT集成

介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术，其器件特性与一工艺的ＨＥＭＴ和ＨＢＴ基本相同。     

HEMT与HBT集成放大器的设计

ＨＥＭＴ与ＨＢＴ集成放大器的设计ＨＥＭＴ以其高增益和低噪声著称，而ＨＢＴ则以高线性度和高效率见长，因此，把ＨＥＭＴ和ＨＢＴ集成在同一衬底上的性能引起了微波设计者的观注。ＴＲＷ高电子系统和技术部的Ｋ．－Ｗ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等人报道了一种放大器；它是用...     

InP基HEMT／HBT器件工艺的最新进展

目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用于ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望成为下一代异质结构器件。在继续改进器件结构和工艺过程中，晶格生长工艺的改进激发了一种新的趋势，提出并实现了一种用ＩｎＰ做有源层的新型器件结构。这篇文章主要描述了这样一种ＩｎＰ基ＨＥＭＴ和ＨＢＴ器件结构的最新进展。     

InP基HEMT／HBT器件工艺的最新进展

目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＣａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望成为下一代异质结构器件。在继续改进器件结构和工艺过程中，晶格生长工艺的改进激发了一种新的趋势，提出并实现了一种用ＩｎＰ做有源层的新型器件结构。这篇文章主要描述了这样一种ＩｎＰ基Ｈ     

具有低温特性的宽频带P－HEMT MMIC LNA

具有低温特性的宽频带Ｐ－ＨＥＭＴ　ＭＭＩＣ　ＬＮＡ《ＩＥＥＥＴＭＴ＆Ｔ》１９９３年第６—７期报道了使用０．２μｍＴ型栅，ＩｎＧａＡｓＰ－ＨＥＭＴ工艺制作了两个８～１８ＧＨＺ宽带单级ＭＭＩＣ低噪声放大器。其中一个为平衡结构的Ｐ－ＨＥＭＴＭＭＩＣＬＮＡ，...     

MBE生长的PM－HEMT结构中深电子陷阱及其钝化／消除

应用ＤＬＴＳ、ＳＩＭＳ和ＰＬ技术详细研究ＭＢＥ生长的ＰＭ－ＨＥＭＴ结构中深能级．样品的ＤＬＴＳ谱表明在ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱，其能级位置分别位于导带下的０．６４ｅＶ和０．７９ｅＶ处．ＳＩＭＳ和ＰＬ谱表明深电子陷阱与ＡｌＧａＡｓ层里的氧含量和光致发光（ＰＬ）响应有直接的联系．它们影响ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的电性能．应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理，结果表明，在一定条件下，ＰＭ－ＨＥＭＴ结构样品里的深电子陷阱能有效地被钝化／消除．     

MBE生长的PM—HEMT结构中深电子陷阱及其钝化／消除

应用ＤＬＴＳ、ＳＩＭＳ和ＰＬ技术详细研究ＭＢＥ生长的ＰＭ－ＨＥＭＴ结构中深能级。样品的ＤＬＴＳ谱表明在ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱，其能级位置分别位于导带下的０．６４ｅＶ和０．７９ｅＶ处。ＳＩＭＳ和ＰＬ谱表明深电子陷阱与ＡＬＧａＡｓ层时原氧含量和光致发光（ＰＬ）响应有直接的联系，它们影响ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的电性能，应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理，     

MPEG—2和DVD技术研讨

ＭＰＥＧ－２是数字电视广播（ＤＶＢ）、ＨＤＴＶ、ＤＶＤ等的基础，文章首先叙述了ＭＰＥＧ－２的图像压缩编码，然后介绍了ＭＰＥＧ－２的数据结构，对ＭＰＥＧ－１和ＭＰＥＧ－２进行了比较。并对ＤＶＤ标准和ＤＶＤ的技术要点作了全面介绍。     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡—倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为－１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡－倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针书信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为—１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

LTC台CHANNEL BUSY故障的分析和处理

ＬＴＣ台ＣＨＡＮＮＥＬＢＵＳＹ故障的分析和处理天津日电电子通信工业有限公司田建忠ＴＤＮＷＬＴＭＬＴＥ－ＳＳＵＢ×ＴＴＥＳＴＬＩＮＫＬＣＭＦＲＥＣ４ＬＣ图１ＬＴＣ测试原理图ＬＴＴＩＬＴＭＬＴＣＬＴＥ－Ｍ在ＮＥＡＸ６１程控交换机的日常测试和维护工作中，用...     

高清晰度电视图象处理显示系统

高清晰度电视图象处理显示系统电子部第三研究所陈堤ＨＤＴＶ技术研究项目中有ＭＰＥＧ－２图象压缩方案研究和不同的信道编码（３２ＱＡＭ，ＶＳＢ，ＣＯＦＤＭ）的研究，主要目标是：１）提供一套ＨＤＴＶ图象处理显示系统，显示ＨＤＴＶ活动图象序列。２）凡进行ＨＤＴ...     

GaAs超高速集成电路的发展与市场

综述了近年来以ＨＢＴ、ＭＥＳＦＥＴ及ＨＥＭＴ为基本单元的ＧａＡｓ超高速集成电路的发展情况，并对其市场的应用作一介绍。     

记录HDTV广播的录像机

记录ＨＤＴＶ广播的录像机日本日立公司打算在明年秋季销售用于记录高质量ＨＤＴＶ广播的录像机。其型号为ＶＴ－ＢＭ６０００型。此种Ｓ－ＶＨＳ录像机装有ＭＵＳＥ－ＮＴＳＣ转换器和广播卫星调谐器。王文亮摘译自“ＡＴＭ”，１９９４．１以上杨秀华校记录HDTV广播的录...     

电源电压1．5V下，饱和输出功率为30．0dBm的HEMT

电源电压１．５Ｖ下，饱和输出功率为３０．０ｄＢｍ的ＨＥＭＴ据《日经》１９９５年第９－１１期报道，日本ＮＥＣ新开发的ＨＥＭＴ，在电源电压＋１．５Ｖ下，工作频率９５０ＭＨｚ时的饱和输出功率达３０．０ｄＢｍ（约１Ｗ）。可用于移动电话的功放。该器件的结构是，...     

解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响

解析ＳｉＧｅ基极ＨＢＴ模型及其对ＢｉＣＭＯＳ倒相器电路的影响＝ＡｎＡｎａｌｙｔｌｃａｌＳｉＧｅ－ｂａｓｅＨＢＴｍｏｄｅｌａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎａＢｉＣＭＱＳｉｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ［刊．英］／Ｌｕ，Ｔ．Ｃ．…／ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅ...     

NAB97展出的数字HDTV发射管

本文主要论述了英国ＥＥＶ，美国ＶａｒｉａｎｓＥｉｍａｃＤｉｖｉｓｉｏｎ和ＷｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅＥｌｅｃ－ｔｒｉｃＣｏｒｐ．以及法国Ｔｈｏｍｓｏｎ四家公司在ＮＡＢ９７展示的数字ＨＤＴＶ发射管最新产品：四极管，ＭＳＲ：速调管，ＳｉＣ固态器件，ＩＤＴ和双端四极管Ｄｉａｃｒｏｄｅ的主要技术性能，同时也介绍了上述五种ＨＤＴＶ发射管在数字ＨＤＴＶ发射机中的应用实例。     

CATV光缆网的设计安装与调试

本文以ＧＩ公司光发射机ＡＭ－７５０ＡＴＨ、光发射模块ＡＭ－ＢＬＡＺＥＲ－７、光接收机ＡＭ－ＭＢＲ－７５０Ｄ／Ｈ为例，详细阐述了一个小型光缆ＣＡＴＶ网的设计、安装与调试过程，重点在于理论与实践相结合，目的在于向有线网络的建设者推荐ＣＡＴＶ光缆网，以期在我国有更多的光缆网出现。