锡珠的产生原因与预防措施

本文从简述再流焊接中生产锡珠（SolderBead）与锡球（SolderBall）的不同机理开始，叙述了锡珠产生的一些原因，以及为了预防和减少锡珠应当采取的措施。文章中对出现锡珠后如何进行分析、改善提供了方法上的建议和参考。     

锡珠对SMC电性能的影响

锡珠在表面组装生产中是一个常见的问题，它给组装的电路板带来的危害是非常严重的，轻则可以造成电路工作异常，重则可以损坏器件。仅对在电容、电感旁边锡珠的形成及对电路产生的影响进行分析，并提出了解决办法。对在其它位置产生的锡珠未做展开讨论。     

技术释疑——为您解决生产技术疑难

问题1：最近我们公司在生产组装FPC贴片出现大量的锡珠，我们的回温炉的峰值温度设定为260，真的是很头疼啊，每次都要去挑锡珠，请问是什么原因造成此类问题。，能否提供一些改善的建议？答：一般来说，产生此类现象的原因主要有以下几个方面：     

电子焊接制程产生“锡珠”的原因及防控措施分析

在电子元器件集成电路焊接的过程中,为了提高焊接效率,增强集成电路的功能性,越来越多的电子焊接制程直接采用免清洗的焊接工艺,但是由此会让焊接后的集成电路板产生"锡珠",这样不仅需要再次清洗,还会造成电路板短路的现象。文章通过对电子焊接制程产生的"锡珠"标准形态进行分析,详述SMT焊接和"波峰焊"过程中产生"锡珠"原因及预防控制办法。     

QFN器件焊接缺陷分析与工艺优化

QFN器件具有良好的电气性能,但器件回流焊接过程中极易产生底部热沉焊盘焊接空洞、器件引脚间锡珠、桥连等缺陷,当一个印制板焊接多个QFN器件时,缺陷发生率颇高。在高可靠性要求的航天产品焊接过程中,器件返修次数有限制,且返修会造成器件性能下降、组件可靠性降低等问题,因此亟需对QFN器件一次装配良率和焊接效果进行提升优化。为此,从原理上分析QFN器件热沉焊盘焊接空洞、器件引脚间锡珠缺陷产生机理,并从产品焊盘工艺性设计、钢网模板设计、焊接温度曲线设计等方面开展分析与优化。优化后,QFN器件一次装配良率提高,没有产生锡珠、虚焊等缺陷。     

厚膜混合集成电路常见工艺缺陷及其消除方法

除设计和材料外，工艺和操作对厚膜混合集成电路的质量和性能也有较大的影响。分析了厚膜混合集成电路生产过程中一些常见的工艺缺陷，如线条变形、起泡、阻值不稳、元件受损、锡珠等的产生原因，并提出了相应的消除方法。     

功率IC芯片真空回流焊工艺缺陷研究

分析了功率IC芯片真空回流焊装配中锡溅锡珠、芯片翻转、边缘空洞3种工艺缺陷的产生机理。研究了钢网厚度、钢网开口、回流时间、压力参数对真空回流焊工艺缺陷的影响。结果表明,功率IC芯片上的空洞随焊膏厚度增加而减小,“9宫”钢网开口更易于保持印刷厚度的一致性。采用120 s预热时间、升温区预真空、变压力真空回流焊等措施,减少了锡溅锡珠,杜绝了芯片翻转,改善了芯片边缘空洞。     

回流焊中常见的缺陷——锡珠

本文对回流焊中常见的锡珠现象的成因进行了分析并提出解决方法。     

焊膏回流性能动态测试法及其应用

通过体视显微镜和CCD等视频设备录制、焊膏回流动态测试方法,观察焊膏回流的整个过程,有助于分析焊膏回流过程中出现的问题,弥补了目前焊膏–锡珠试验只能观察最终结果,而不能对中间过程进行评价的缺点。利用该方法研究了保温时间和焊膏活性对焊膏回流性能的影响,对焊膏的收球性能进行了评价。结果表明:焊膏回流的保温时间有一定限制,超过限制,产生缺陷的机会大大增加;对于活性较强的焊膏,可以通过增加焊膏的黏性,减少锡珠和立碑以及元件歪斜倾向;通过对不同焊膏的回流过程进行对比,提出了焊膏收球性能良好的参考标准。     

LGA器件焊点缺陷分析及解决

文章针对LGA器件回流焊后常见的空洞和锡珠等缺陷,对其产生的原因进行了分析。通过对LGA器件采用预上锡回流工艺和印制板钢网一字架桥开口的方式,提升回流焊过程中焊膏中挥发气体的逸出,并通过对比试验,找到合适的预上锡钢网尺寸,解决了生产中LGA器件焊接常见的空洞大等缺陷。     

关于SMT电路板焊装维修工艺的讨论（待续）

以ＯＫ集团表面贴装工艺电路板焊装维修设备为工作环境，介绍表面贴装电板的焊装修工艺。     

三相异步感应式电磁泵波峰焊机控制系统研究

介绍了一种利用微机实现的三相异步感应电磁泵单／双波峰焊机的控制系统,对波峰焊机的控制提出了一种新的控制方法及尝试。     

P18—T200型台式再流焊机的设计特点

全面介绍了Ｐ１８－Ｔ２００型台式再流焊机的结构特征、工作原理及其相关技术指标，并结合再流焊机设计中的关键技术问题，提出了自己的解决方案。     

影响BGA封装焊接技术的因素研究

虽然表面贴装制造工艺已经纯熟,但是随着BGA封装的广泛应用以及焊球间距的逐步减小,给表面贴装制造工艺带来了新的挑战.基于BGA封装在表面贴装技术焊接中的应用,从印制电路板焊盘设计、印制电路板板材选取和保护、BGA封装选取和保护、印刷工艺、回焊炉温度曲线设定与控制等方面,阐述了影响BGA封装焊接技术的各个因素,进而提升B...     

几种SMT焊接缺陷及其解决措施

主要针对采用了表面组装技术 (SMT)生产的印制电路组件中出现的焊料球、立片、桥接等几种焊接缺陷现象进行分析 ,并将有效的解决措施进行了经验性总结。     

BGA"枕头效应"焊接失效原因

针对BGA的一类典型的焊接失效模式"枕头效应"选取了一个典型案例进行分析,详细介绍了分析的过程以及采用的手段,通过采用X-ray、金相切片、SEM&EDS和工艺模拟等分析手段,获得了导致BGA"枕头效应"产生的主要原因,即锡膏与焊接工艺不兼容造成其焊接不良.同时,以此总结和分析了其他导致此缺陷的原因和应采取的对策.     

Solder ball formation in silicon alloy transistors

This paper discusses the investigation and solution of the so-called "solder ball" problem which has plagued the transistor industry for years. Upon investigating silicon alloy transistors which use tin for electrodes, it was discovered that solder balls (which can cause internal short circuiting of the device) are not necessarily associated with manufacturing procedures as previously believed but are produced by the devices themselves because of the material used in construction. Electrical stresses or low temperatures produce balls in units which were initially free of any foreign matter. This is due to the low-melting-temperature tin alloy used in the construction of the transistor (or other semiconductor). Thus, devices may have balls when put in use and cause equipment failure later. The devices appear good under all measurement; however, when the devices are in use, a mechanical short circuit may shake a ball loose, short circuiting the transistor and making the circuit inoperable.     

Soldering of solution-processed organic vertical transistor and light-emitting diode on separate glass substrates by tin micro-balls

The vertical organic space-charge-limited transistor made of P3HT and small-molecule phosphorescent organic light-emitting diode (OLED) are made on two separate glass substrate by blade coating, then soldered vertically together by tin balls with 40 μm diameter. The soldering is done by hot wind of 150 °C for 5 min Contact resistance is only 10 Ω. The vertical transistor is annealed at 150 °C for 5 min before soldering to enhance the output current up to 25 mA/cm² and give high thermal stability. Both OLED and the annealed vertical transistor are not affected by the soldering process. The vertical transistor has 1/4 of the OLED area and turns on the bottom-emission white OLED up to 300 cd/m² and orange OLED up to 600 cd/m². The entire operation is within 8 V. OLED and transistor array can therefore be made on separate glass substrates then soldered together to form the display.     

Sn-58Bi在镀镍层表面的焊接工艺

针对镀镍盒体表面易被氧化等原因导致可焊性下降,且可选无铅焊料Sn-58Bi焊膏的情况下,通过在空气中直接加热焊接、借助真空炉在无氧环境中焊接等方式,确认空洞率高与空气中氧气的存在无关。最终通过在焊接过程中另加自配的助焊剂,将焊接后的空洞率控制在5％以内,满足了焊接要求。