注钼纯铝的研究

利用从金属蒸汽真空弧离子源（简称ＭＢＶＶＡ源）引出的强束流钼离子对纯铝进行了不同束流密度的离子注入。加速电压为４８ｋＶ，剂量为３×１０￣（１７）ｃｍ￣（－２），束流密度为２５和４７μＡ·ｃｍ￣（－２），Ｘ衍射分析证明在注入层内可形成Ａｌ＿（１２）Ｍｏ晶体，背散射（ＲＢＳ）分析证明Ａｌ＿（１２）Ｍｏ的厚度可达６００至７００ｎｍ。     

由HDDR工艺研制高矫顽力Sm2Fe17Nx磁粉

本文论述了在制备高矫顽力的Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁粉过程中，ＨＤＤＲ工艺的应用。研究ＳｍＦｅ１７的氧化歧化行为，在６００℃－１１００℃氢化处理畴，Ｓｍ２Ｆｅ１７相分解为α－Ｆｅ和Ｓｍ化合物，随后热处理真家脱氢，蜂窝状２ｍ２Ｆｅ１７相直径大绚５０－５００ｎｍ，经７７５。ＨＤＤＲ工序处理和氢化Ｓｍ２Ｆｅ１７粉８．７ＫＯｅ高的矫顽力。     

新型复相陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料Ｊｘ－２－Ⅰ的界面结构，结果表明，在Ｊｘ－２－Ⅰ中Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构；发现在ＳｉＣｗ、ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３上有孪晶产生；分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ⅰ材料的整体性能。     

E＿2一HRP与CG－HRP－E＿2方法的对比研究

Ｅ＿２一ＨＲＰ与ＣＧ－ＨＲＰ－Ｅ＿２方法的对比研究王玲，程宝庚，徐维璐，尤志学（南京医科大学，南京２１００２９）（南京医科大学一附院）本文研究者首次将肢体金（ＣＧ）与辣根过氧化物酶雌二醇（Ｅ＿２－ＨＲＰ）结合作为配体，使ＥＲ在电镜下显示，可在亚细胞水...     

新型陶瓷刀具材料JX－2－I界面结构的实验研究

利用ＴＥＭ和电子衍射图谱分析，研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面微观结构。ＴＥＭ分析表明，ＪＸ－２－Ｉ刀具材料的界面结合状态较好，Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ界面上形成了具有较高强度的“钢筋混凝土”结构，在Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ界面上没有剧烈的化学反应发生；通过ＴＥＭ和电子衍射图分析，发现在Ａｌ＿２Ｏ＿３的晶粒边界上有尖晶石（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）生成，这有利于控制Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒的长大，提高复合材料的强度。     

反应热压NiAl－TiB＿2复合材料界面结构研究

反应热压ＮｉＡｌ－ＴｉＢ＿２复合材料界面结构研究戴吉岩，李斗星，叶恒强，邢占平，郭健亭（中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）Ｂ２型ＮｉＡｌ金属间化合物由于具有高熔点（１６４０℃），低密度（５．８６ｇ／ｃｍ￣３），以及极佳的...     

SiC接触的电学和化学特性

用化学和电学方法研究测定了６Ｈ－ＳｉＣ与元素金属（Ｎｉ，Ｍｏ）和硅化物（ＭｏＳｉ＿２，ＴａＳｉ＿２和ＴｉＳｉ＿２）的接触特性。用俄歇电子光谱（ＡＥＳ）化学分析技术研究了由热处理引起的界面反应。在退火过程中，用电学测量方法（电流－电压和电容－电压）测量了整流特性或欧姆接触特性。并尽可能地计算了势垒高度及接触电阻值。     

新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。     

EMX－SM＿7型电子探针的计算机系统更新设计

用国产微型计算机长城２８６替换岛津ＥＭＸ－ＳＭ＿７型电子探针原配外部微型计算机ＳＯＲＤＭ＿（２２３）。长城２８６与电子探针内部控制机ＩＣＭ之间通过ＲＳ－２３２Ｃ异步串行口进行通讯，实现数据采集与实时控制。用ＢｏｒｌａｎｄＣ＋＋面向对象的程序设计语言开发了新的电子探针分析软件，优化了测量与计算过程，增加了自动排序，直接打印分析报告等功能，提高仪器分析速度２－３倍。     

TSR－C_2卫星接收机的几点使用经验

ＴＳＲ－Ｃ＿２卫星接收机的几点使用经验黑龙江省五常县李明显，高建国１．遥控器上ＰＳ键的作用ＴＳＲＣ－Ｃ＿２卫星接收机（以下简称Ｃ＿２机）的遥控器上有一ＰＳ键，称为总监视键。它的功能相当于某些遥控彩电上的频道省略键。如果您的转播台只固定转播一套电视节目...     

MgO－TiO_2－ZnO系高压MLC瓷料的研究

研究了ＭｇＯ－ＴｉＯ２－ＺｎＯ（ＭＴＺ）系高压ＭＬＣ介质陶瓷的结构和介电性能。ＸＲＤ分析表明：其主晶相是六方晶系ＭｇＴｉＯ３以及少量的ＺｎＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３附加晶相。此种瓷料制成多层陶瓷电容器，具有耐高压、高工作频率等优点。     

MgO－TiO_2－ZnO系高压MLC瓷料的研究

研究了ＭｇＯ－ＴｉＯ２－ＺｎＯ（ＭＴＺ）系高压ＭＬＣ介质陶瓷的结构和介电性能。ＸＲＤ分析表明：其主晶相是六方晶系ＭｇＴｉＯ３以及少量的ＺｎＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３附加晶相。此种瓷料制成多层陶瓷电容器，具有耐高压、高工作频率等优点。     

不同热循环下K2O.8TiO2／ZL109Al复合材料的相分析

不同热循环下Ｋ＿２Ｏ·８ＴｉＯ＿２／ＺＬ１０９Ａｌ复合材料的相分析李吉红，宁小光，叶恒强，沈保罗（中国科学院固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）（成都科大）本文所用Ｋ＿２Ｏ－８ＴｉＯ＿２晶须增强／ＺＬ１０９Ａｌ复合材料是挤压铸造法制备的。基体...     

Eu~（3＋）－N~1－（对－异硫氰基苄基）－DTTA标记抗CEA McAb C＿（17）

Ｅｕ￣（３＋）－Ｎ￣１－（对－异硫氰基苄基）－ＤＴＴＡ标记抗ＣＥＡＭｃＡｂＣ＿（１７）赵启仁，张福华，刘洁，林汉，李美佳，庄湘莲，陈艾，胡壁（中国医学科学院放射医学研究所，天津，３００１９２）ＴＲＩＦＭＡ中，制备比活性高、免疫活性高的Ｅｕ３＋标记抗体...     

烧块制备技术对PMN基瓷介电常数的影响

采用预产物法、一次煅烧合成法、二次煅烧合成法等制备Ｐｂ［（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）１－ｘ－ｙ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）ｘＴｉｙ）］Ｏ３（ＰＭＦＮＴ）化合物烧块，并从其Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）物相分析结果中估算出钙钛矿相的相对含量。进而探讨了烧块的制备技术对Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＭＮ）基瓷的介电常数的影响，烧块的钙钛矿相含量增加，对应的ＰＭＮ基瓷的介电常数提高。选用合理的烧块制备技术是提高瓷料介电常数的关键环节     

金属粘结Sm2Fe17Cx永磁体

由电弧熔炼和气固反应（ＧＳＲ）可制备出Ｓｍ２Ｆｅ１７的碳化物。研究了用Ｚｎ粘结体来增加这些碳化物的矫顽力，发现经过适当的热处理后，由ＧＳＲ制备出的Ｚｎ粘结碳化物的矫顽力达０．９Ｔ以上。由于歧化作用产生的α－Ｆｅ可能是达不到Ｚｎ粘结氮化物的矫顽力值的主要原因。本文讨论了热处理条件和含Ｚｎ量对Ｓｍ２Ｆｅ１７的碳化物矫顽力的影响，并与其氮化物的性能进行了比较。     

β—FeSi2／SIMOX—一种新结构的光电子材料

本采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性。     

β－FeSi_2／SIMOX──一种新结构的光电子材料

本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性．     

层状润滑材料的电子显微和XPS研究

层状润滑材料的电子显微和ＸＰＳ研究齐尚奎（中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑开放研究实验室，兰州７３００００）层状化合物ＭｏＳ＿２，ＷＳ＿２等是过渡金属硫化物，同属六方晶系是典型的层状润滑材料。当在该类材料表面施加正压力，晶体间会相互移动，并受剪切...     

溅射条件对Al2O3薄膜介电强度和沉积速率的影响

用射频溅射方法，在不同工作气体（纯Ａｒ和Ａｒ＋１０％Ｏ＿２）和不同基片偏压（－３０Ｖ到－１８０Ｖ，间隔－３０Ｖ）下，由烧结Ａｌ＿２Ｏ＿３靶材制备Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜。测试了样品的介电强度和沉积速率，对部分样品的结构和成份分别用ＸＰＳ和Ｘ射线进行了分析。结果表明：薄膜均呈非晶态；在两种工作气体中，随着基片负偏压的升高，沉积速率和介电强度均下降，但在－６０Ｖ偏压时，介电强度具有最大值。含氧的工作气体导致沉积速率下降，但提高了介电强度。在含氧和－６０Ｖ偏压下，Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜的平均介电强度为３．４６ＭＶ／ｃｍ。纯氩气氛中制备的Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜是缺氧的，而含氧的工作气体可使薄膜中的氧含量提高。