一种EEPROM中高压产生电路的设计与实现

设计了一种应用于EEPROM的低电源电压的片内升压电路。基于电压倍乘电路,获得两倍于电源电压的驱动电压,用来驱动高压电荷泵电路得到EEPROM擦写用的15 V高压,实现EEPROM在1.3 V电压下稳定的工作。同时,基于负温度特性的电压分压电路实现电荷泵输出高压的负温度特性,提升了存储器在整个工作温度范围(-40℃~85℃)内的可靠性。设计的高压产生电路在0.13μm Embedded EEPROM CMOS工艺实现,工作电压为1.3 V~1.75 V,面积大小为600μm×80μm。     

一种用于高速PLL的CMOS电荷泵电路的设计

通过对电荷泵电路中存在的电荷注入、时钟馈通、电荷共享等现象的分析,设计了一个新型的高速电荷泵锁相环.电荷泵的设计是根据Mentor Graphics的eldo平台仿真CMOS0.35um技术.工艺,.仿真采用3.3V电源电压供电,功耗为0.47mW.仿真结果表明,该电荷泵电路可以很好地满足高速锁相环电路的要求.     

一种新型电荷泵电路设计

Dickson电荷泵在多级级联时,体效应会显著降低电荷泵的效率。提出了一种新型电荷泵电路,该电荷泵采用交叉耦合的NMOS开关管传输电荷,利用每一级的输出电压控制开关管的栅极,有效抑制了体效应的影响,提高了电压增益。Spectre结果显示,在3.3 V的工作电压下,四级新型电荷泵轻松实现了15 V的高输出电压。该电荷泵电路性能优异,具有很强的实用性。     

低功耗电荷泵 DC/DC 升压电路设计

电源管理芯片的应用范围十分广泛,发展电源管理芯片对于提高整机性能具有重要意义,对电源管理芯片的选 择与系统的需求直接相关。其中电荷泵电路通过电荷转移方式工作,来达到在无电感元件情况实现一定升压,因此该升 压电路和该款电源管理芯片在应用中很受欢迎。该设计分析的低功耗电荷泵 DC/DC 升压电路是同国外某公司的合作项 目。该电路采用 0.35 μm 标准的 CMOS 工艺制成,输入电压在 2.5 V～5.0 V,且输入电压高于或低于输出电压时,输出 电压都可保持稳定的低纹波输出,并能自动工作于升压或降压模式。该电荷泵电路采用比较升压电路,有效的降低了芯 片功耗,特别在轻负载情况下提高了系统的转换效率。电路还具有软启动、过热保护及过流保护等多重保护功能。仿真 结果均达到预定指标,是设计理论与实践相结合的一次有价值的尝试。     

一种新型的低电压高速CMOS锁相环电荷泵

采用0．18μm标准CMOS工艺，设计并流片验证了一种新型的低电压高速CMOS锁相环电荷泵。该电荷泵电路适合低电压工作，电源电压仅为1V。该电路的输出电压也达到了相对较宽的范围：100mV到900mV，同时又较好地抑制了输出电流的尖脉冲干扰。最后HSPICE模拟结果表明：在较高的工作频率（500MHz）下，电荷泵电路功耗也相对较低（60μW）。     

一款基于开关电容的倍压器研究与设计

基于开关电容的倍压器又称为电荷泵,设计将电荷泵集成到一颗芯片中.该芯片能够在4 V至20 V的输入范围内工作,并提供7 V至38 V的输出,提供超过10 mA的输出电流.电路采用电荷泵结构实现倍压,该电路的特点是无需电感,就可实现对输入电压的倍增,消除了电磁干扰的影响.空载情况下电源电流最大不超过12mA.另外该电路采...     

一种高性能电荷泵电压转换器设计

设计了一种高性能电荷泵电压转换器.该电压转换器能够将3V-18V电压转换为相应的负压,主要采用了MOSFET开关结构和具有参考电压的振荡电路.该转换器电路输出电压效率在工作温度范围内能达到99％以上.电源电流在15V时小于700μA.输出电流大.     

一种减小纹波电压的新型电荷泵调节电路

电荷泵电路是闪速存储器中的一个重要部分,用于对存储单元进行编程、擦除和读取。为实现精确编程操作,需要小的电荷泵输出纹波。结合开关模式和频率调制模式的优点,采用0.18μm浮栅工艺实现一种新型电荷泵调节电路。为减小电路结构,该电路重复利用误差放大器,将两级米勒运算放大器的第一级用作比较器,第二级输出实现频率调制以减小纹波。为在轻载时保证同样的纹波性能,对电容驱动器实行连续调节控制输出电流以适应负载变化。利用Cadence Spectre工具对该电路进行仿真,电源电压为1.8 V,输出电压为3.4~3.6 V;轻载时纹波为62 m V,重载时纹波为35 m V。仿真结果表明,该电路既能减少电路,又能降低纹波。     

RFID电子标签中EEPROM的改进设计

介绍了RFID无源标签设计中的EEPROM存储器结构,通过分析Dickson电荷泵的工作原理以及广泛应用的NMOS电荷泵的设计思想,提出了一种改进的PMOS电荷泵设计方法,能够消除NMOS电荷泵电路中由于衬底接地而产生的衬偏电压造成的体效应,并对该PMOS电荷泵设计方法进行了仿真分析。     

一种CMOS张弛振荡器的设计与分析

针对在较宽的电源电压和温度变化范围内一般的振荡器频率误差较大的问题,研究并设计了一种广泛用于电荷泵(ChargePump)电路和DC/DC电压转换电路的高稳定性的CMOS型OTA-C张弛振荡器;该振荡器利用基准电流源产生的恒流源对电容进行充放电,同时利用高速度、低功耗的跨导运算放大器OTA作比较器比较阈值电压,再经整形滤波电路产生频率为1MHz方波信号;该电路采用0.6μm的CMOS工艺设计,利用Hspice进行仿真验证,结果表明,温度在-40℃~85℃,同时电源电压在2.6V~5.5V之间变化时,该张弛振荡器振荡频率随温度和电源电压的变化很小,总体误差在±2.5%以内,比较适合于产生低速时钟信号;此电路已成功集成到某型DC/DC电压转换芯片之中。     

一种高效率低功耗的电荷泵设计

在集成电路设计中,随着工艺尺寸越来越小,电路在功耗方面的要求越来越高。设计高效率低功耗的电荷泵（charge pump）,可以提高电荷泵的工作效率,降低整个电路的功耗。这里介绍了一种高效率低功耗的电荷泵,通过仿真图像可以清楚地看到电荷泵的工作情况,看到它是如何实现高效率低功耗的。     

一种应用于CMOS电荷泵锁相环中的新型电荷泵

电荷泵是CMOS电荷泵锁相环中的一个重要模块,其性能直接决定了整个锁相环系统的工作稳定性和各项指标的好坏,但传统结构的电荷泵却存在电荷共享、电流失配、电荷注入以及时钟馈通等问题。本设计为一种利用可调节共源共栅结构的差分输入单端输出电荷泵,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,利用Agilent公司推出的系统分析软件ADS（Advanced Design System）完成对电路的仿真。仿真结果表明该CMOS电荷泵具有相位噪声小,输出电流平滑,输出电压谐波分量低,开关延迟小等优良特性,在电荷泵输出电压范围为0.7～2.4V内,充放电电流匹配良好。     

衬底泵的基础设计

在设计CMOS电路时,有时需要的直流电压不一定都在VSS～VDD之间,这时通常会用到电荷泵(charge pump),用以产生电路需要的工作电压。在数字电路中,电压产生电路的最常见应用是产生一个负的衬底偏压,提高器件性能减小寄生效应。这里介绍一种用于产生负衬底偏压的基本电路即衬底泵,它由振荡器、负电荷泵和调节器组成。通过仿真图像可以清楚的看到衬底泵的工作情况:把衬底电压维持在一定的负压范围内。     

Novel voltage programming n-channel TFT pixel circuit for low power and high performance AMOLED displays

This paper proposes a novel pixel circuit for high resolution, high frame rate, and low power AMOLED displays that is implemented with one driving n-channel TFT, six switching n-channel poly-Si TFTs, and a storage capacitor. The proposed pixel circuit adopts the voltage programming scheme for threshold voltage compensation. Because the whole line time is in use only for charging the data voltage, this pixel circuit is applicable to high resolution and frame rate displays. In addition, it compensates voltage variation of OLEDs and voltage drop of supply lines at lower power consumption. On the average, the non-uniformity of a proposed circuit is reduced to 2.5%, compared to 7.1% of the previous one at a 240 Hz full-HD display. On the other hand, the compensation voltage error, which is caused by feed-through and charge injection noises from falling control signals of switching TFTs, is much less in the proposed scheme than in the previous 5T2C structure. The average error of the proposed circuit is reduced to 0.18 V, compared to 0.75 V of the previous one. The initialization power consumption of the 7T1C circuit is reduced to 98 mW, compared to 530 mW of the 5T2C circuit and the average dynamic power saving ratio of data drivers is estimated in the 7T1C pixel as 98.7% over the 5T2C one for 24 test images.     

A highly integrated AMLCD with low‐voltage operation

A highly integrated low‐temperature polysilicon AMLCD has been designed that operates from a 3‐V power supply and has a low‐voltage digital interface. This has been achieved by reducing the threshold voltage of the TFTs and integrating digital column drive circuits and charge‐pump circuits onto the display substrate. In standby mode, the display is capable of retaining an image without the need for external signals through the integration of dynamic‐memory circuits within the pixels of the display.     

基于电流控制模式的低压、高PSRR基准源

基于可调电流控制模式设计出一种低压、高电源抑制比的带隙基准电压源电路。采用电流控制模式和多反馈环路,提高电路的整体电源抑制比;通过电阻分压的方式,使电路达到低压,同时提供偏压,简化偏置电路。采用0.5μmCMOS N阱工艺,电路可在电源电压为1.5V时正常工作。使用Cadence Spectre进行仿真结果表明,低频时电源抑制比(PSRR)高达107dB。-10℃～125℃温度范围内,平均温度系数约7.17ppm/℃,功耗仅为0.525mW。此电路能有效地抑制制程变异。     

半导体温差模块在热缺陷监测中的应用

通过对变电站运行设备大电流回路连接点发热原因及环境的分析,提出了一种利用半导体温差发电模块结合充电泵和升压型DC-DC变换电路,以单片机测温电路为负载,采用间歇工作的方式为现场测温电路提供电源。重点解决了在半导体温差发电模块输出电压不稳定、压差较小时,DC-DC变换器超低压启动的难题,并结合实际应用环境对现场独立供电和测温装置的组成以及工作方式做了进一步探讨。     

低压电力线路载波通信特性的仿真研究

低压电力线路作为信息传输的信道由于不需进行新的通信网络的投资与建没，因而越来越多地受到人们的关注，针对电力线路实际的电气参数，根据电力线理论以及实际电力线路的具体特性，建立了电力线理想等效电路和电力线载波通信的仿真电路模型，根据仿真电路模型利用PSpise仿真软件对电力线路实际的电气参数进行了离线仿真研究，通过仿真研究得出了电力线信道的各个电气参数是如何影响通信质量的，为今后设计实际低压电力线载波通信系统电路及选择电路的有关参数时提供了理论依据。     

应用于锁相环的低电压高性能电荷泵设计

该文设计采用SMIC1．2V,0．13μmCMOS工艺。通过对电荷泵的非线性特性分析,设计一种低电压,高性能的电荷泵电路。这种电荷泵电路上下支路的电流失配在300mV-900mV的输出摆幅下得到很好的优化,与传统低压结构比较有明显优势,同时设计中也抑制了电荷共享等电学失配。