高温介质损耗的测量与计算

本文研究了在高频(1MHz)、高温(500℃)下采用直读式仪表测量介质损耗的方法和测量结果的修正原理,补充证明了于1986年实施的国家标准GB5594。4-85介质损耗角正切值测试方法中采用的修正公式,提出了在测量不同容量的试样时应予注意的问题。     

片式聚合物钽电容器的温度敏感性

针对一种片式聚合物钽电容器进行了温度敏感特性试验、温度循环试验、耐焊接热试验和寿命试验。测量在不同温度条件下电容器的电容量、损耗角正切值、漏电流和等效串联电阻等参数的变化,并对电容器进行解剖检查。试验结果表明,电容器在高温环境中存储电荷的能力增强但是能量效率降低,在温度剧烈变化时电参数容易超差,同时电容器的耐焊接热性能较好,但随着温度的升高电容器的寿命下降。     

皱纹外导体泡沫PE绝缘RF同轴电缆的衰减特性

衰减是射频(RF)同轴电缆最重要的传输特性.外导体皱纹深度及泡沫聚乙烯(PE)的介质损耗角正切tg δ是影响皱纹外导体泡沫PE绝缘同轴电缆衰减的主要因素.浅皱纹结构及净化介质材料是降低该电缆衰减值的有效途径.     

低损耗、低介电常数的介质测量——短路波导法

介质材料的相对复介电常数可以用ε_r=ε(1-jtgδ)表示,式中ε为相对介电常数,tgδ为损耗角正切.我们在日常科研和生产中经常用到某些陶瓷、塑料或玻璃钢等介质材料,它们的相对介电常数小于10,损耗角正切小于0.1,可以称之为低介电常数、低损耗介质     

测量复数介电常数的简单的设备

基本的同轴谐振器是这介质测试设备的心脏,复数介电常数和损耗角正切可以根据测量调谐的位移和电路的Q 值来计算.     

用H01型圆柱谐振腔测量介质材料介电常数的原理及方法

讨论H01型圆柱谐振腔的测试原理;详细介绍了用圆柱谐振腔测量介质材料相对介电常数及损耗角正切的方法.     

铁电复合材料TGS—PVDF的介电和热释电性能的研究

制备了TGS-PVDF铁电复合材料,测量了该材料的介电常数、介质损耗和热释电系数,计算了该材料的热释电优值因子,并初步测试了由该材料制成的热释电探测器的性能。     

测量介质参数的谐振腔法的精确化

当用改变具有H_(01p)模振荡的圆柱谐振腔长度的方法在9～10GHz频率范围内测量损耗极小(介质损耗角正切tgδ≤10~(-4))的固体介质参数时,会观察到测量方法的理论未涉及到的一些现象,即样品厚度d偏离1/4波长或半波长将引起tgδ测量的显著变化当;→0时,tgδ值急剧增大。     

氰酸酯树脂的研究进展及其在印制电路工业的应用

介绍氰酸酯树脂(CE)的发展史、合成办法、性能、改性体系及其在印制电路工业的应用。展望CE的发展方向。CE是近年来发展起来的一种新型高分子材料,具有极低的介质损耗正切值,优异的耐湿热性能和力学强度,是一种有广泛应用前景和强劲市场竞争力的材料。     

间硝基苯胺单晶热释电性能实验研究

间硝基苯胺(m-NA)单晶是一种具有热释电效应的有机晶体材料。本文通过实验研究了它的热释电效应、二次轴方向介电、损耗角正切、交直流电导、P-E特性、红外透过率等有关性能。     

氰酸酯树脂的研究进展及其在印制电路工业的应用

介绍氰酸酯树脂(CE)的发展史、合成办法、性能、改性体系及其在印制电路工业的应用。展望CE的发展方向。CE是近年来发展起来的一种新型高分子材料，具有极低的介质损耗正切值，优异的耐湿热性能和力掌强度，是一种有广泛应用前景和强劲市场竞争力的材料。     

直读式电容器介质损耗仪

介质损耗角正切tgδ(以下简称介质损耗)或品质因数Q=1/tgδ是表征电容器的基本物理量之一.它是衡量电容器质量好坏的一个重要参数.测量介质损耗的方法很多,仪器的原理也不一样,有的使用方便,有的精度高.本文介绍一种操作简单,测量范围和精度又能满足一般要求的直读式电容器介质损耗仪.仪器有三种类型,其测量范围不同,分别为10～100微微法、100～1000微微法、1000～10000微微法,tgδ值的测量范围和测量误差则相同,测量频率前二种是1兆赫,后一种是300千赫.     

镍电极多层瓷介电容器烧结工艺的研究

通过对比试验,详细讨论了烧结工艺中烧结温度、氢气浓度、加湿器水温和再氧化空气流量对贱金属电极多层瓷介电容器(BME-MLCC)性能的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)对烧结后瓷体形貌进行表征,并对制成的样品进行电性能分析。结果表明:烧结温度是影响样品介电常数和介质层致密性的重要因素。随着烧结温度的升高(1255～1285℃),样品介电常数先增大后减小,介质层更加致密。氢气浓度对样品绝缘电阻有较大影响,随着氢气浓度的增大(体积分数0.5%～1.5%),样品绝缘电阻先增大后减小。加湿器水温升高(35～45℃),样品绝缘电阻随之增大,损耗角正切降低。再氧化空气流量增大(5～15 mL/min),样品绝缘电阻增大,损耗角正切先减小后增大。     

射频衬底偏压溅射TLMM薄膜电容器

在五氧化二钽介质薄膜上复合一层二氧化铅掺杂二氧化锰的半导体薄膜首次制作成功了TLMM薄膜电容器。由于应用射频衬底偏压溅射和Al占93％的钽铝下电极,还应用了在PbO_2中掺杂MnO_2,以及真空充氧热老化等方法,不仅使电容器的损耗角正切值降低至0.1—0.3％(1kHz),而且温度系数也得到了改善。     

电压互感器的试验

电压互感器是变电站中变换电压的重要部件,其 工作可靠性对变电站设备的运行具有重要意义。电压 互感器预防性试验是保证其安全运行的重要手段,这 种试验主要包括:测量绝缘电阻、测量介质损耗角正切 值及电容值、交流耐压试验、局部放电测量等。     

电缆介质损耗角正切的测量

利用DELTA-2000测试仪对电缆试样进行介质损耗角正切(tanδ)的测量试验,发现电缆试样的tanδ开始为负值,但随着测量电压的升高,tanδ逐渐增大,之后tanδ变成正值,直到试样发生表面击穿.对试验结果进行分析,得到电缆试样的tanδ值为负值的主要原因是外界电磁场对电桥的干扰和标准电容损耗较大,并提出了相应的技术处理措施.     

常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较

用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜。测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值。实验结果表明,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜,介电性能比较理想。两种薄膜的介电 常数基本相同,损耗角正切值在10^5Hz处都有弛豫极大值,表明在该频率范围内,主要为弛豫损耗机制。电导率和损耗的大小可能与晶界处缺陷和非金刚石相的多少有关。     

自由空间法分析介质蜂窝等效复介电常数

根据自由空间法介质材料介电常数测试原理,采用商用电磁场仿真软件给出了介质蜂窝材料等效复介电常数的分析方法,计算出了特定材料、格孔周期蜂窝材料的等效复介电常数。为验证方法的正确性,对等效介电常数的平板和相应的蜂窝的透射反射系数的幅度相位进行了比较,两者吻合良好。通过对宽带范围内蜂窝等效介电常数的计算表明,介质蜂窝具有微小的色散效应,随着频率增高,蜂窝的相对介电常数、损耗正切略微减小;蜂窝的磁介电常数接近为1,磁损耗正切接近为0。     

新型环氧树脂E-51的性能研究

采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料。测试了不同种类和含量的填料对封装材料的介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。实验结果表明:随ZrW2O8含量的增加,ZrW2O8/E-51材料的介电常数ε不断增大,介质损耗正切值不断减小。在室温约163℃范围内,ZrW2O8/E-51材料的电阻率稳定在3.03×106Ω·m,电击穿场强均大于10kV·m-1,满足于微电子器件封装材料的实际应用。     

导光纤维损耗的测量——2.测辐射热计测量仪表

本文叙述用热温升技术测量导光纤维传输损耗的二种方法。在短段(～10厘米)纤维上能迅速而方便地测出损耗。用～100毫瓦的传输光功率可以测量出低至～10~(-7)/厘米(0.043分贝/公里)的损耗值。