硅外延发展趋势

本文综述了硅外延的三大发展趋势，指出降低外延温度是外延发展的迫切要求，同时比较了分子速外延（ＭＢＥ）、光能增强化学汽相淀积（光ＣＶＤ）、等离子体增强化学上淀积（ＰＥＣＶＤ）、超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶＣＶＤ）的优缺点，指出ＵＨＶＣＶＤ和ＰＥＣＶＤ二者合二为一是最具应用前景的方法。其次，论述了异质外延和ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格材料的应用前景。最后，论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。     

超高真空CVD生长锗硅外延层的应变驰豫

用超高真空ＣＶＤ技术在７８０℃生长了锗硅外延层及组分渐变缓冲层，并利用双晶Ｘ射线衍射仪研究了缓冲对外延层晶体质量的影响。结果表明，衬底与外延之间生长了组分几乎线性渐变的缓冲层，提高了外延层的晶体质量。     

硅外延发展趋势

本文综述了硅外延的三大发展趋势，指出降低外延温度是外延发展的迫切要求；同时比较了分子束外延（ＭＢＥ）、光能增强化学汽相淀积（光ＣＶＤ）、等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）、超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶＣＶＤ）的优缺点，指出ＵＨＶＣＶＤ和ＰＥＣＶＤ二者合二为一是最具应用前景的方法。其次，论述了异质外延和ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格材料的应用前景。最后，论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。     

利用UHV／CVD技术在双层多孔硅上外延硅研究

利用 UHV/CVD技术 ,在较低的温度下 ,在阳极氧化形成的双层多孔硅上 ,成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制 SOI材料与器件提供了所需的薄硅外延层。     

硅液相外延的溶剂选择

本文系统综述了硅液相外延中对各种溶剂的选择，重点叙述了Ｃｕ、Ｇａ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ等纯金属及Ａｇ基、Ａｕ基、Ａｌ基合金作为溶剂，对硅液外延薄膜的影响，最后指出只要根据器件对外延层及工艺成本等的要求，可以找到适当的溶剂材料进行硅液相外延。     

新颖的超高真空CVD外延设备与低温低压硅外延研究

为实现低温低压外延新工艺，建立了一台具有多项原位监控功能的新颖的超高真空CVD（chemicalvapordeposition）外延设备，并用此设备，（100）和（111）硅片分别在550℃和650℃下由硅烷热解法成功地生长了硅外延层。高分辨率的横断面透射电镜（XTEM）照片表明，低温硅外延层中存在一些缺陷，这些缺陷都由衬底表面引起的，然后扩展进入外延层。此外，衬底｛100｝Si和｛111｝Si因晶向不同，不仅获得外延层所需的最低温度不同，而且外延层中的缺陷特征差异也很大。     

超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究

利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统，在直径３英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层，并进行了实时掺杂生长。利用双晶Ｘ射线的衍射技术测试了餐延层，确定外延层的组分怀晶体质量，并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖 析，利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性，研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性，生长速率随锗组分的增加而降低，以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗 组分渐变     

一种重掺磷衬底上硅外延层的生长方法

为了使一种重掺杂磷衬底类型的硅外延层实际生长情况得到优化,应认识到新型生产工艺条件对外延层生长情况影响以及常规生产工艺条件的不足,并结合硅外延层实际生长需要,制定科学的生产工艺、条件优化方案。该文就一种重掺磷衬底类型硅外延层生长方法进行了分析。     

超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅

采用超高越空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响。采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜上材料的微结构,原子力镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射／沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能。一系列的测试结果表明对在5mA／cm^2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅。     

超高真空CVD生长锗硅外延层的应变弛豫

用超高真空ＣＶＤ技术在７８０℃生长了锗硅外延层及组分渐变缓冲层,并利用双晶Ｘ射线衍射仪研究了缓冲层对外延层晶体质量的影响。结果表明,衬底与外延之间生长了组分几乎线性渐变的缓冲层,提高了外延层的晶体质量     

同时沉积铬硅的热力学计算

用Ｓｏｌｇａｓｍｉｘ－ＰＶ软件包对沉积反应进行热力学计算。结果表明，用原位ＣＶＤ方法、采用三元卤化物活化剂，在热力学上可以同时沉积铬硅，并且渗源中的铬硅比例按１２／１配置可以获得理想的渗层。     

多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究

用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料，卢瑟福背散射／沟道谱（RBS／C）和扩展电阻（SPR）的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量，电阻率分布均匀，上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究，结果表明P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能，用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅，并且，在一定浓度的HF／H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率，保证了上层硅厚度的均匀性。     

超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究

利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层 ,改善了外延层的晶体质量     

锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究

ＳｉＧｅＣ三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术生长了掺碳达２．２％的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究。     

硅基GaN外延层的SIMS及XPS研究

采用真空反应法在硅基上制备出ＧａＮ外延层。利用二次离子质谱和Ｘ射线光电子能谱对ＧａＮ外延层进行了深度剖析和表面分析,结果表明,外延层中Ｇａ和Ｎ分布均匀;在表面处Ｇａ发生了偏聚,外延层中还存在Ｓｉ,Ｏ等杂质,但这些并未影响到ＧａＮ外延层的物相及发生性能,实验还表明,在外延生长前采用原位清洗可去除Ｓｉ衬底表面的氧。     

硅基GaN外延层的SIMS及XPS研究

采用真空反应法在硅基上制备出了GaN外延层。利用二次离子质谱和X射线光电子能谱对GaN外延层进行了深度剖析和表面分析。结果表明 ,外延层中Ga和N分布均匀 ;在表面处Ga发生了偏聚 ;外延层中还存在Si,O等杂质 ,但这些并未影响到GaN外延层的物相及发光性能。实验还表明 ,在外延生长前采用原位清洗可去除Si衬底表面的氧     

低温气相硅外延前氩微波等离子原位溅射清洗对薄膜界面的损伤

本文研究了超高真空低温硅外延中，ＥＣＲ微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况。超高分辨透射电镜照片表明，界面引起的损伤是较严重的损伤层的宽度与衬底偏压的高低和溅射时间的长短直接相关。     

低温气相硅外延前氩微波等离子原位溅射清洗对薄膜界面的损伤

本文研究了在超高真空低温CVD（chemicalvapordeposition）硅外延中，ECR（electroncyclotronresonance）微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况。超高分辨透射电镜（TEM）照片表明，界面引起的损伤是较严重的，损伤层的宽度与衬底偏压的高低和溅射时间的长短直接相关。     

硅基发光材料研究进展

硅基发光材料是光电子集成的基础材料。发光多孔硅是硅基发光材料的一个新进展，已实现了硅基光电子集成。随着多孔硅研究的深化和纳米科学的发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓，与此同时，在新的理论认识与技术条件下，硅材料改性，杂质发光，缺陷工程和硅然异质外延也呈现出新的发展趋势。     

二氯二氢硅的制备

一、前言四氯化硅在半导体工业中作为外延淀积硅源,虽然工艺早已趋于完善,但至今存在无法克服的技术问题,如外延淀积膜不均匀等。有人从硅源的原料进行改革,即以二氯二氢硅来代替四氯化硅,经试验,有如下特点。