通氨,甲酰胺滴注式气体软氮化法

用3Cr2W8V材料制造的铝合金压铸模,依照常规淬火——回火处理。往往因粘模和磨损使用寿命不高,通过气体软氮化表面强化处理,可以有效地克服上述缺点,提高模具体使用寿命。本文介绍通氨、甲酰胺滴注式气体软氮化的工艺试验,确定了温度、时间、滴量等工艺参数,并对有关工艺参数作了分析对比。     

辉光离子氮化及其耐磨性

本文着重探讨了八种材料(钢和铸铁)在不同的工艺参数条件下,离子氮化硬度变化情况;研究对比淬火,气体软氯化,离子氮化及调质等热处理状态下,各种材料的耐磨性能;摸索本厂典型零件离子氮化变形规律,并推荐一种进一步减少变形量的第二次离子氮化法。     

受生产技术学会二届年会表扬的学术论文

硬钢纸板热压成形工艺在电视机制造中的应用黄河机器制造厂龚泉源张之鸣毛明福李广新Cr18Ni9Ti 不锈钢离子氮化试验研究七七二厂沈云飞关于铍青铜时效过程的探讨四机部一○二○所龚俊杰铝真空钎焊在微波器件生产中的应用     

20钢、A_3及45钢的离子软氮化

本文提到了开展碳钢离子软氮化工艺研究的必要性;阐述了碳钢离子软氮化工艺的工作原理及硬化机理;通过试验结果分析,指出20钢、A_3及45钢进行离子软氮化处理,可获得渗速快、质量好、周期短、成本低、无公害等优越性。     

超硬型高速钢W6Mo5Cr4V2Al复合热处理工艺探讨

一、前言六十年代末七十年代初,我国在钨钼系优良高速钢品种W6Mo5Cr4V2的基础上,增碳加铝而获得了不含Co超硬型高速钢W6Mo5Cr4V2A1。这种钢经正常处理后,硬度可达HRC67～69,红硬性较高,可磨性较好,也有较好的韧性。用它创造的刀具较之W18Cr4V可提高寿命2～4倍,在模具上应用也可望取得好成绩。它的价格与通用高速钢W18Cr4V及W6Mo5Cr4V2相     

激光硬化和渗氮复合处理W9Mo3Cr4V高速钢组织与性能

采用激光硬化与渗氮复合表面改性技术,对W9Mo3Cr4V高速钢表面进行了强化处理。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电子探针、显微硬度计和摩擦磨损试验机,分别对复合处理试样的相组成、微观组织、成分、显微硬度和耐磨性进行了分析。研究结果表明,复合处理表面改性层主要是回火马氏体、残余奥氏体、Fe3N、Cr7C3、M2C型碳化物所构成。由于激光硬化的晶粒细化作用,以及大量位错、孪晶、空位等微观缺陷的产生,致使氮化层的深度得到明显提高。与单一的激光硬化和渗氮工艺相比,复合处理工艺有效地提高了高速钢的硬度和耐磨性能。     

离子氮化+淬火的复合热处理工艺试验

本文介绍20~#、20Cr、45~#和40Cr四种钢经离子氮化+淬火的复合热处理后,能较大幅度地提高钢的强硬性。与单一氮化相比可提高硬度66～140%;与单一淬火相比可提高硬度40～59％。更为可贵的是经复合处理后,从表面至心部的硬度下降较缓慢,这是很有实用价值的。     

《离子氮化+淬火的复合热处理工艺试验》

以前的热处理工艺,无论是整体热处理,还是渗碳、氮化、高频淬火等表面硬化处理,常常是分别独立地被应用。众所周知,采用氮化能提高钢铁材料零件的表层硬度、耐(?)性、疲劳强度和抗蚀性等,而离子氮化比气体氮化更具有缩短氮化时间和减少氮化层脆性的优点。然而,不管是气体氮化     

离子氮化均匀性研究

本工作试验了四种不同的工艺方案,测定了各工艺方案对长杆件离子氮化均匀性的影响,并就其结果进行了较详尽的分析,提出了改善离子氮化均匀性的途径。     

微波等离子氮化处理

自1923年A·Fry用氨分解气对钢实施表面氮化处理以来,这项工艺已获得广泛的应用。由于氮化层具有硬度高、耐磨性好及抗蚀等优异性能,至今仍有不少热处理工作者在对氮化技术作进一步的改进和探索,并且已提出了多种多样的氮化工艺。但     

红外测温仪的应用

红外测温仪是应用光电子技术发展起来的一种新型温度测量仪器。它温度分辨率高,响应速度快,测温时不需与被测物接触。这些特点是常规测温仪表(如玻璃温度计、热电偶、铂电阻等)所不具备的。因此获得了广泛的应用。如在冶金和机械工业方面,炼钢、轧钢、高频焊接、热处理和离子氮化等工艺过程中的连续测温;在电子工业中,半导体生产工艺中的非接触测温、电路板的元器件的故障检测     

B位取代CaBi2Nb2O9陶瓷微观结构与电学性能对比研究

CaBi_2Nb_2O_9(CBN)陶瓷居里温度高达940℃,为高温压电应用提供了必要条件。可能起施主作用的Cr,Mo,W,Sb掺杂离子被引入到CaBi_2Nb_2O_9(CBN)陶瓷的晶格中。对掺杂陶瓷的微观结构和电学性质进行了对比研究。SEM图像表明,掺杂的CBN基陶瓷,特别是CBN-W陶瓷的晶粒尺寸,均小于纯CBN陶瓷。W掺杂CBN陶瓷晶胞参数和电学性质结果表明,陶瓷中的W元素应为施主掺杂离子W~(6+)。Sb掺杂CBN陶瓷的晶胞体积和电学性质表明,Sb元素在CBN陶瓷中为+5价。+5价Cr,Mo元素存在于陶瓷中,无法形成+6价的原因可能是由于+6价离子半径较小,易产生晶格失配。W掺杂CBN陶瓷在所有组分中具有最高的d_(33)值,约13 pC/N时。Cr,Mo,Sb掺杂陶瓷也相对CBN基陶瓷具有更高的压电活性。此外,所有掺杂CBN陶瓷均具有良好的热稳定性、较高的居里温度和较低的介电损耗,表明Cr,Mo,W,Sb离子是可改善CBN基陶瓷性能的有效掺杂离子。     

离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性

研究了通过多晶硅栅洲入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性,实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介均有显下降,氮化栅介质的击穿电荷（Qbd)比常规栅介质提高了20％,栅介质性能的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N^ 离子形成了更稳定的键所致。     

应用尿素软氮化工艺提高接触器铁芯寿命

本文详细介绍了C JO—20A交流接触器动铁芯尿素软氯化工艺试验过程,分析了各种工艺参数对铁芯氮化层质量的影响,选定了最佳的尿素软氮化工艺方案。本文还简要分析和介绍了尿素软氮化工艺的原理和特点,对设备的改选和尿素投放装置等问题。     

离子注入氮化薄SiO_2栅介质的特性

研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化 10 nm薄栅 Si O2 的特性 .实验证明氮化后的薄 Si O2 栅具有明显的抗硼穿透能力 ,它在 FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向 FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降 ,氮化栅介质的击穿电荷 (Qbd)比常规栅介质提高了 2 0 % .栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅 Si O2 中引进的 N+离子形成了更稳定的键所致     

离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性

研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性.实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降,氮化栅介质的击穿电荷(Qbd)比常规栅介质提高了20%.栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N+离子形成了更稳定的键所致.     

20Cr钢C—N共渗层的电镜研究

本文用200CX电子显微镜研究780℃热处理后的20Cr钢的C—N渗层精细结构。因为20Cr钢的共渗温度正好处于(α+γ)两相区,所以共渗层的组织状态与单相奥氏体共渗时组织状态有很大差别。 20Cr钢用于制造轻工机械另件,由于尺寸小,精度要求高,常规的860℃奥氏体单相区C—N共渗难以保证另件的热处理形变不超出设计规范,考虑到这类另件一般承载荷不大,故渗层可以较浅(0.2～0.4毫米),热处     

星载固态功率放大器：迈向极高频

聚焦于星载固态功率放大器的高频化,文章设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效率、低插损多路功率合成技术,实现了整机高功率输出;铜金刚石和热管的应用和工艺攻关,克服了多热源、高热流的工程瓶颈。Q频段和W频段固放首次在轨应用,以及V频段固放在地面发射机中的应用。考虑到严苛的空间考核条件以及器件为满足在轨长寿命的降额要求,产品均性能优良稳定。文中的Q频段和W频段固放是我国首次开发并在轨搭载验证的星载连续波固态功率放大器,为我国后续极高频段高通量卫星的载荷实现提供了有力技术支撑。     

星载固态功率放大器：迈向极高频（英文）

聚焦于星载固态功率放大器的高频化,设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效率、低插损多路功率合成技术,实现了整机高功率输出;铜金刚石和热管的应用和工艺攻关,克服了多热源、高热流的工程瓶颈。Q频段和W频段固放首次在轨应用,以及V频段固放在地面发射机中的应用。考虑到严苛的空间考核条件以及器件为满足在轨长寿命的降额要求,产品均性能优良稳定。文中的Q频段和W频段固放是我国首次开发并在轨搭载验证的星载连续波固态功率放大器,为我国后续极高频段高通量卫星的载荷实现提供了有力技术支撑。     

不同硬度受热面材料的激光诱导等离子体光谱特性分析

将激光诱导击穿光谱(LIBS)用于锅炉受热面材料特性分析,选用受热面常用的珠光体耐热钢12Cr1MoV,并通过热处理工艺制备了不同硬度的实验样品。选择样品中基体元素Fe和合金元素Mn、Cr、V合适的分析谱线,对比分析了不同硬度条件下离子谱线与原子谱线的强度比和等离子体温度的变化规律。实验结果表明,由于等离子体冲击波特性差异和激光烧蚀质量的变化,导致了特征元素离子谱线与原子谱线强度比随着样品硬度的增加而增强,等离子体温度随硬度的增加而升高。