电子束蒸镀半导体发光二极管的减反射膜

用电子束蒸发设备，制备了用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二级管的减反射介质膜。测量结果表明，对发光波长为０．８５μｍ和０．９０μｍ的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二级管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３减反射膜，输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入下，可增加２５￣３５％，最大可增加５０％。但对于１．３μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ型红外发光二极管，用ＺｒＯ２作减反射膜，比用Ａ     

国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定

利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。     

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ是制作光电器件与微波器件的重要材料。离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题。采用Ｆｅ＾＋注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ得到了电阻率升高的好结果。用Ｂｅ＾＋注入制作了新结构ＨＰＴ的基区。研制成功了在１．５５μｍ波长工作的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ新结构光电晶体管,在０．３μＷ入射光条件下,光电增益为３５０。     

光阴极材料GaAs／AlGaAs的组分分析

为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用Ｘ射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外ＧａＡｓ光阴极材料ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ的Ｃ,Ｏ含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 面及ＡｌＧａＡｓ层的Ｏ含量分别为７．６％和１０．６％,Ｃ深度分别为５．２×１０＾１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３和１．０×１０＾１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３,而国外的材料的Ｏ含量相应为１．０     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

团聚型Al2_O_3·TiC系列球形复合粉末的研究

对已研制成功的Ａｌ２Ｏ３·ＴｉＯ２系列团聚型空心球状复合粉末（Ａｌ２Ｏ３＋３％ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３＋１３％ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３＋２０％ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３＋４５％ＴｉＯ２和ＴｉＯ２）进行了全面的分析和探讨。粉末的流动性均在７３～１２０ｓ／５０ｇ内，其松装密度在０．８０～１．１２ｇ／ｃｍ３内，８５％以上的粉粒为空心球状结构。用该系列粉末制备涂层，送粉速率波动小，沉积效率范围为６６％～８６％，可获得致密度高、结合性能好的系列耐磨抗蚀涂层产品。     

RAlO3（R=稀土元素）化合物的结晶学研究

藉助于微机控制的线性扫描系统ＬＳ－１８和ＴＲＥＯＲ、ＰＩＲＵＭ程序对ＳｍＡｌＯ３和ＧｄＡｌＯ３的Ｘ射线射Ｇｕｉｎｉｅｒ－Ｈａｇｇ照相底片数据进行了处理，并精密测定了它们的晶胞参数，ＳｍＡｌＯ３属四方晶系，ａ＝５．２８７６（２）Ａ，ｃ＝７．４８５８（７）Ａ，ＧｄＡｌＯ３属正交晶系，ａ－５．２５１１（３）Ａ，ｂ－５．３０１７（２）Ａ，ｃ＝７．４４５０（３）Ａ。言语中对钙钛矿结构的ＲＡｌＯ３（Ｒ＝稀土元     

K_2NbOF_5－MF_3系玻璃的结构及电性质

研制了Ｋ＿２ＮｂＯＦ＿５－ＭＦ＿３（Ｍ＝Ａｌ、Ｇａ）新体系氟化物玻璃，测定了玻璃的特征温度、Ｒａｍａｎ光谱和电导率，玻璃中Ｎｂ￣（５＋）、Ａｌ￣（３＋）、Ｇａ￣（５＋）分别以ＮｂＯＦ、ＡＩＦ、ＧａＦ八面体形式存在，玻璃的电导率随ＡｌＦ＿３含量的增加而增加，ＡｌＦ＿３含量达到３０ｍｏｌ％时，Ａｌ￣（３＋）除ＡＩＦ八面体外，还有ＡｌＦ四面体结构出现，同时电导率降低，Ｆ￣－阴离子是主要的导电离子，７５Ｋ＿２ＮｂＯＦ＿５·２５ＡｌＦ＿３玻璃的电导率在１９６℃时，σ＝１．０２×１０￣（－２）Ｓ·ｃｍ￣（－１）。     

InAlAs／InGaAs MSM光电探测器

采用ＧＳＭＢＥ方法及典型的器件工艺制成了用ＩｎＡｌＡｓ作为肖特基势垒增强材料的高性能ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＭＳＭ光电探测器。用自制的测试系统对器件的直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于３０Ｖ，在１０Ｖ偏压下暗电流小于２０ｎＡ，对应的暗电流密度为３ｐａ／μｍ＾２，优于已有文献的报导。     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

GaInAsSb共振腔增强光电探测器设计

本文用一插值和介电常数的计算模型,得到了ＧａＩｎＡｓＳｂ四元系２．４μｍ探测器材料的 份及其折射率。将传统的Ｐ－ｉ－ｎ－ＧａＩｎＡｓＳｂ探测器结构置于两组ＡｌＡｓＳｂ／ＧａＳＢ Ｂｒａｇｇ反射镜之间,可以得到接近１的量子效率。本文用传递矩阵方法（ＴＭＭ）计算了ＡｌＡｓＳｂ／ＧａＳｂ Ｂｒａｇｇ反射镜的反射率与波长及反射镜个数的关系,并对探测器的结构进行了设计,讨论了吸收系数与波长的函数对探测器量子     

共沉淀法制备Al_2O_3-YAG复相陶瓷及其显微结构研究

用共沉淀法制备了Ａｌ２Ｏ３－ＹＡＧ复合粉体,ＹＡＧ的结晶温度在１０００℃左右．共沉淀法 制备的Ａｌ２Ｏ３－ＹＡＧ复合粉体经１５５０℃热压烧结,获得致密烧结体,ＹＡＧ的加入量对烧结温度 的影响不大． Ａｌ２Ｏ３－５ｖｏｌ％ＹＡＧ复合材料的抗弯强度为６０４ＭＰａ,断裂韧性为５．０ＭＰａｍ１／２; Ａｌ２Ｏ３－２５ｖｏｌ％ＹＡＧ复合材料的抗弯强度为６１１ＭＰａ,断裂韧性为４５ＭＰａｍ１／２．所有这些数据 都高于单相Ａｌ２Ｏ３陶瓷的力学性能,说明ＹＡＧ的加入有利于Ａ１２Ｏ３陶瓷力学性能的提高． 通过显微结构观察发现：大的ＹＡＧ颗粒位于Ａｌ２Ｏ３晶界上,小的ＹＡＧ颗粒位于Ａｌ２Ｏ３晶粒 内．在 Ａｌ２Ｏ３－５ｖｏｌ％ＹＡＧ复合材料中,许多小的白色区域存在于 Ａｌ２Ｏ３晶粒内,这可能和较低 的Ｙ２Ｏ３含量有关．     

Al2O3-Na2O-CaO-SrO系统富Al2O3区域固态反应的研究

用理学Ｘ射线衍射仪、ＴＧ－ＤＴＡ、ＩＲ－４４０ 红外光谱研究了Ａｌ２Ｏ３－Ｎａ２ Ｏ－ＣａＯ－ＳｒＯ系统富Ａｌ２Ｏ３ 区域固态反应。实验结果表明,煅烧过程固态反应的最终物相组成为Ｎａ２Ｏ·１１Ａｌ２Ｏ３,ＣａＯ·６Ａｌ２Ｏ３ ,ＳｒＯ·６Ａｌ２Ｏ３ 与α－Ａｌ２Ｏ３ 共存     

膨胀石墨CuCl2-NiCl2-层间化合物磁性研究

在膨胀石墨ＣｕＣｌ_２－ＮｉＣｌ_２－ＧＩＣｓ合成和电性研究基础上,采用ＭＯＤＥＬ１５５振动磁强计测量了ＧＩＣｓ在０～７．９５８×１０^５Ａ／ｍ磁场强度下的磁化强度、磁化率．发现ＣｕＣｌ_２－ＮｉＣｌ_２引入石墨层间,形成ＧＩＣｓ后磁性升高．与膨胀石墨相比,ＧＩＣｓ的磁化率大约提高了２～３个数量级．ＧＩＣｓ的磁性不但由石墨的抗磁性转变成为顺磁性,磁化曲线斜率由负变正,而且随着阶结构、 ＣｕＣｌ_２和 ＮｉＣｌ_２比例变化, ＧＩＣｓ磁性发生变化．氯化镍含量在 ５０％以下,表现为强烈的顺磁性;５０％时,磁化曲线出现最大值,表现为铁磁性．＞５０％,达到６０％、８０％时,铁磁性更明显．ＧＩＣｓ阶数升高,铁磁性降低．     

镍－金刚石复合镀工艺

镍－金刚石复合镀工艺（攀枝花大学）工艺配方及条件ＮＩＳＯ４·６Ｈ２Ｏ２８０ｇ／ＬＮｉＣｌ２·７Ｈ２Ｏ６０ｇ／ＬＨ３ＢＯ３３５ｇ／Ｌ添加剂适量金刚石微粒（７～１０μｍ）４５ｇ／ＬｐＨ２．５～３．０电流密度２～３Ａ／ｄｍ２ｔ４０～５０℃电镀中有ＷＹＪ－３...     

K2NbOf5—MF3系玻璃的结构及电性质

研制了Ｋ２ＮｂＯＦ５－ＭＦ３（Ｍ＝Ａｌ、Ｇａ）新体系氟化物玻璃，测定了玻璃的特征温度、Ｒａｍａｎ光谱和电导率，玻璃中Ｎｂ＾５＋、Ａｌ＾３＋、Ｇａ＾３＋分别以ＮｂＯＦ＾２５、ＡｌＦ３＾５、ＧａＦ３６八面体形式存在，玻璃的电导率随ＡｌＦ３含量的增加而增加，当ＡｌＦ２含量达到３０ｍｏｌ％时，Ａｌ＾３＋除ＡｌＦ＾３６八面体外，还有ＡｌＦ４四面体结构出现，同时电导率降低，Ｆ阴离子是主要的导电离子，７５Ｋ２Ｎ     

用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器

利用分子束外延方法研制出了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ庆变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到１２０Ａ／ｃｍ＾２，激光波长在９８０ｎｍ左右。获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的９８０ｎｍ量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流为１５ｍＡ，外微分量子效率的典型值和最好值分别为０．８ｍＷ／ｍＡ和１．０ｍＷ／ｍＡ，线性输出功率大于１２０ｍＷ，在２０℃－５０℃的特征温度Ｔ０为１２５Ｋ。器件     

电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光

Ｉ－线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光,在５０ＫＶ加速电压下,其曝光剂量为５０－１００μＣ／ｃｍ＾２,曝光后在０．７％ＮａＯＨ溶液内显影１ｍｉｎ。其灵敏度比ＰＭＭＡ快５倍,分辨率为０．５μｍ。采用两种方法制备了ＧａＡｓＰＨＥＭＴ,首先,用Ｉ线光致抗蚀剂,源、漏及栅的全部都采用电子束曝光,制备了０．５μｍ栅长的ＧａＡｓＰＨＥＭＴ。将源、漏及栅分割成两部分,其中的精细部分由电子束曝光,其余     

团聚型Al2o3／TiO系列球形复合粉末的研究

对已研制成功的Ａｌ２Ｏ３．ＴｉＯ系列团聚型空心球状复俣粉末进行了全面的分析和探讨。粉末的流动性均在７３－１２０ｓ／５０ｇ内，其松装密度在０．８０－１．１２ｇ／ｃｍ＾３内，８５％以上的粉精神病 为空心球状结构，用该系列粉末制涂层，送粉速率波动小，沉积效率范围为６６－８６％，可获得致密度高，结合性能好的系列耐磨抗蚀涂层产品。     

表面择优取向析晶β-BaB2O3透明玻璃陶瓷的研究

本文采用传统熔融方法制备了ＢａＯ－Ｂ２Ｏ３系列基础玻璃３（ＢａＯ－Ｂ２Ｏ３、ＢａＯ－Ｂ２Ｏ３－０．１Ａｌ２Ｏ３、ＢａＯ－Ｂ２Ｏ３－０．ＳｉＯ２、ＢａＯ－Ｂ２Ｏ３－０．４ＴｉＯ２）（ｍｏｌ％）通过对基础下班进行表面修饰处理，控制表面析晶条件，获得了含有沿α轴择优到向生长ＢＢＯ微晶的透明ＢａＯ－Ｂ２Ｏ３系列表面析晶玻璃陶瓷。