1.25厘米单调谐体效应振荡器

本文报导了一种单调谐体效应振荡器.该振荡器结构类似于Kurkoawa电路.但谐振腔采用H_(011)高Q圆柱腔.该振荡器电路负载变化对振荡频率影响较小,能够避免通常反射腔稳频振荡器受到负载变化可能出现跳频的缺点.而且噪声电平比其它振荡源要小.对电路参数经过适当选择后,振荡器的输出效率能达到40～60%,输出功率30～100mW.机械牵引带宽大于600MHz.该振荡器的主腔和调谐活塞采用线胀系数不同的材料进行温度补偿.当温度循环在-40℃至+70℃的范围内,频率温度系数一般优于0.08MHz/℃,功率稳定度优于0.022dB/℃.     

高稳定度C波段压控振荡器设计与实验研究

文章介绍了实用型C波段变容器管调谐耿氏振荡器电路结构和理论计算,给出了实验结果:输出功率40～180mW,机调带宽400～900MHz,电调范围40～160MHz,频率温度系数0.01～0.08MHz/℃,功率温度系数0.009～0.016dB/℃。文章分析了影响振荡器电调特性及频稳度的因素,给出了改善电调特性和提高频稳度的实验方法。实验结果及工程应用表明,振荡器稳定性好,可靠性高,具有实用价值。     

高稳定度中功率C波段耿氏DRO

文章介绍了 C 波段介质谐振器稳频耿氏振荡器实用电路结构,简明分析了耿氏 DRO 稳频和工作原理以及用高 Q 介质谐振器稳频和双金属补偿所得的实验结果:在5.3GHz 附近,振荡器输出功率为280mW,在-40～+60℃范围内,振荡器频率温度系数为0.56PPm/℃,功率温度系数小于0.01dB/℃。     

一种高电源抑制比低温漂系数带隙基准电路

设计了一种用于DC-DC开关电源芯片的高电源抑制比、低温漂系数带隙基准电路。基于0.5μm BCD工艺,仿真结果表明,在不显著增加电路面积损耗的前提下,该电路的电源抑制比在低频下接近110dB,100kHz时约为50dB,1MHz时约为40dB;通过高温时的高阶温度补偿,0℃~100℃范围内的温度系数低于1.0×10-5/℃。此外,电流温度补偿的运用可有效地减小电流温度系数,从而使得芯片中的振荡器的频率输出更加稳定。     

X波段介质稳频电调FET振荡器

本文介绍了X波段介质稳频电调FET振荡器(FET DR VCO)的研制。采用反馈型电路结构,获得振荡频率为7774MHz,输出功率Po>10dBm,线性电调带宽>42MHz(功率变化△P<1dB),电调灵敏度为3.0MHz/V,在-20℃～+60℃范围内,频率温度稳定度<±5.7ppm/℃。     

使用介质谐振器反馈电路的C波段GaAsFET振荡器

采用低噪声场效应晶体管,研制出一种高稳定度的小功率场效应管振荡器。它采用了介质谐振器作并联反馈电路,并加有稳定电阻。研制工作表明,这种振荡器具有大于1000的外部Q_(es)值,可在无滞后的情况下工作,并具有高的稳定性和宽的频率调谐范围。在5.5GHz频率上,输出功率为10mw,效率为25％,调谐带宽大于500MHz。在-40℃～十70~C温度范围内频漂小于±0.6MHz,频温系数小于±l PPM/℃。     

国外简讯

1.2—2.4GHz SAW振荡器系列 美国安德森实验室公司利用SAW技术的优越性,制作出一系列SAW高频振荡器,其中心频率从1.2—2.4GHz,输出功率为+13dBm,幅度平整度为±2dB。 这些SAW振器的特点是:在0—+50℃温度下,频率稳定性为300ppm;在-45—+85℃的温度范围内,频率稳定性为200ppm。输出信号相对无噪声,谐波小于-30dB,假信号小于-60dB。在偏离中心频率1kHz处,SSB相位噪声小于-90dBc/Hz。 SAW振荡器从1.5V直流电源获得最大     

适用于RFID芯片的CMOS振荡器

在分析传统环形振荡器频率稳定性问题的基础上,提出了解决问题的方法,并相应设计了一种适合于RFID芯片的振荡器,大大提高了频率的稳定性.用0.5μm的CMOS模型仿真,验证了该振荡器在低于2MHz的频率下,其频率漂移小于0.5%/V,-40～100℃范围内温度系数为180ppm.     

5公分中功率高效率高稳定度FET振荡器

我们研制了一种普通封装的GaAs FET 和高Q介质谐振器的共漏振荡器。这种共漏振荡器采用FET沟道反向的办法,利用自身的栅源电容构成反馈电路,省去了复杂的外反馈网络;还采用了高Q介质谐振器作成反射型的稳频电路,解决了频率稳定度的问题。这种振荡器结构简单、调试方便,在4～6GHz范围内输出功率大于300mw,效率超过30％,机械调谱带宽大于100MHz;在-40～+70℃温度范围内,频漂小于±O.6MHz,频温系数为2×lO~6/l℃。     

宽温高频率稳定度C波段体效应振荡器

本文介绍空载电子设备用的宽温高频率稳定度C波段体效应振荡器。文中叙述了工作在E_(010)模式圆柱腔的两种振荡器。不用高Q外腔稳频而用简单的双金属结构和介质加载的“综合”补偿法,在-40°——+85℃较宽的温度范围内,使高低温频漂小于±2MHz,最好的可达±1MHz,即频温系数为6×10~(-6)-3×10~(-6)/℃。     

高线性度X波段宽带压控耿氏振荡器

本文描述了X波段宽带压控耿氏振荡器的结构和采用并联电抗补偿改善的电调谐特性:在600～800MHz调谐范围内,最小输出功率为30～80mW,功率变化一般为1.5dB,最大和最小电调斜率比典型值不超过1.3,最佳值为1.06。其工程应用表明,该振荡器无需外部线性化电路即能满足整机要求。     

一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～＋120℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15ppm/℃;电源电压在2～4V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06mV;低频下具有-102.6dB的PSRR,40kHz前电源抑制比仍小于-100dB。     

适于UHF RFID标签芯片的高性能电源恢复电路

针对ISO 18000-6C标准,提出一种双电压输出稳压电路,有效降低了整体芯片功耗。基于Cadence Spectre设计仿真平台和TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺进行设计并流片。在-20℃～80℃温度范围内,工艺角从ff到ss变化,仿真得到整流电路的能量转换效率(PCE)为29.88%,稳压电路的温度系数为2.4×10-5/℃,电源噪声抑制比(PSRR)为91.4dB@10Hz和34.5dB@10MHz。同时对芯片进行测试,标签可以工作的最低输入射频功率为-9.5dBm,此时整流效率可达23.1%,稳压高低两路电压输出分别稳定在1.8±0.1V和1.0±0.05V,芯片面积约为0.166mm2。     

一种温度不敏感的高线性功率放大器

设计了一种温度不灵敏的高线性度的射频功率放大器芯片,采用新颖的带温度反馈环路的有源片上自适应偏置电路,该电路降低了温度引起的放大器集电极直流电流分量的变化量,补偿了由温度变化而引起的性能偏差,进而有效提高了放大器的线性度。基于这个温度不灵敏的偏置结构采用InGaP/GaAs HBT工艺设计了一个工作在2110~2170 MHz频段的功率放大器。测试结果表明,该功放在工作频段内的增益大于等于35.3 dB;在中心频率2140 MHz处,1 dB功率压缩点大于33 dBm,功率附加效率在输出功率24.5 dBm时为18%;使用LTE_FDD调制信号,获得邻信道功率比为-47 dBc。在环境温度为-40℃、+25℃和+80℃条件下,功放的增益平坦度较好,增益变化量小于1.5 dB,输出级集电极电流基本不变,有效降低了功放对温度的敏感性。     

Cascaded strongly gain-coupled (SGC) DFB lasers with 15-nmcontinuous-wavelength tuning

More than 15 nm of continuous wavelength tuning range has been obtained by means of temperature tuning and current setting in three-section grating-cascaded strongly gain-coupled distributed-feedback lasers. Within the entire wavelength tuning range, a sidemode-suppression ratio beyond 50 dB, a linewidth of less than 10 MHz, and a fiber-coupled output power of more than 5 dBm were achieved     

230-mW diode-pumped single-frequency Er:Yb laser at 1.5 μm

We report on a diode-pumped Er:Yb laser able to generate a single-frequency output power in excess of 200 mW at both 1.53 μm and 1.56 μm and over 300 mW in multimode operation. The tuning characteristics of the source are reported and discussed. The relative intensity noise presents in all configurations a peak value lower than -92 dB/Hz and its level decreases below -160 dB/Hz for frequencies higher than 8 MHz     

A K-Band Ruby Maser with 500-MHz Bandwidth (Short Papers)

Engineering improvements to a previously described reflected- wave maser design have resulted in an instantaneous 3-dB band-width of 400 MHz at 19.5 GHz, increasing to 560 MHz at 24 GHz. Nominal gain is 27 to 31dB and gain flatness is /spl plusmn/2.5 dB over this tuning range. Noise temperature variation across the passband is less than /spl plusmn/1.5 K and the effective noise temperature referred to the room temperature input flange ranges from 9.5/spl plusmn/4 K to 13.5/spl plusmn/4 K over the 18.5- to 25-GHz tuning range.     

一种线性相位LC滤波器的设计

为解决滤波器带外抑制和通带内相位波动之间的矛盾,该文介绍了一种线性相位LC滤波器的设计方法,通过对滤波器传输零点特性进行分析,根据指标要求灵活设计电路拓扑结构和零点位置,采用内、外均衡电路级联网络两种方法,来实现具有高矩形、线性相位特性的滤波器。设计了中心频率21.4 MHz、0.5 dB带宽大于10 MHz、矩形系数(45 dB/0.5 dB)小于2、带内相位波动绝对值小于5°和中心频率1 300 MHz、1 dB带宽大于200 MHz、矩形系数(35 dB/1 dB)小于2、带内相位波动绝对值小于5°两款滤波器。该方法工程实用化强,便于调试和制作,可应用于幅相特性要求高的微波系统中,提高了系统性能指标。     

可变带宽OTA—C连续时间低通滤波器设计

实现了一种全集成可变带宽中频宽带低通滤波器,讨论分析了跨导放大器-电容（OTAc）连续时间型滤波器的结构、设计和具体实现,使用外部可编程电路对所设计滤波器带宽进行控制,并利用ADS软件进行电路设计和仿真验证。仿真结果表明,该滤波器带宽的可调范围为1～26MHz,阻带抑制率大于35dB,带内波纹小于0．5dB,采用1．8V电源,TSMC 0．18μm CMOS工艺库仿真,功耗小于21mw,频响曲线接近理想状态。