英特尔发布面向数据中心的全新SATA固态硬盘

英特尔宣布推出最新固态硬盘（SSD）产品—固态硬盘710系列。这是一款面向数据中心的专用多层单元（Multi-Level Cell,MLC）固态硬盘,它将取代英特尔X25-E Extreme固态硬盘。英特尔X25-E固态硬盘基于更昂贵但高度可靠的单层单元（SLC）NAND闪存技术.     

美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit,可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。     

20nm制程技术：新纳米制程技术

英特尔公司和美光科技公司针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其他数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

英特尔发布采用25nm制程第三代固态硬盘

英特尔公司宣布推出用户期盼已久的第三代固态硬盘（SSD）产品——英特尔固态硬盘320系列（Intel SSD 320 Series）。基于行业领先的25nm制程NAND闪存,英特尔固态硬盘320系列构建于高性能的英特尔X25-MSATA固态硬盘的基础之上,并成为了它的继任者。由于该系列产品充分利用了25nm制程技术的成本优势．     

英特尔携手美光推出业内最小、最先进的20nmNAND闪存工艺技术

英特尔公司和美光科技针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm工艺技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘{SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其它数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

SandForceSF3700：闪存控制器

LSI公司的SandForce闪存控制器产品系列推出了第三代产品。这项闪存管理技术适用于驱动PCIe及SATA固态硬盘（SSD）以及闪存卡解决方案。新LSISandForceSF3700闪存控制器系列旨在支持低功耗客户端计算应用、I／O密集型企业以及超大规模环境,可提供更高水平的闪存性能、可靠性与耐久度,充分满足SSD制造商的严格要求。     

技术动态

英特尔推出业内首款34nm NAND闪存固态硬盘本刊讯(记者杨海峰)7月21日英特尔公司宣布已经开始采用更为先进的34nm生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘(SSD)。SSD是电脑硬盘的替代品。凭借更小的芯片尺寸和先进的工程设计,34nm产品将使SSD的价格     

移动存储关键性技术的研究及进展

文章首先就固态硬盘（SSD，Solid State Drive）的硬件与软件架构进行回顾；然后针对目前固态硬盘架构进行效能剖析；最后回顾闪存技术，并深入讨论现今闪存装置所面临的重要课题与挑战。     

相对于混合型HDD，缓存SSD仍将是主流超级本存储解决方案

据IHS iSuppli公司的存储产业市场简报，对于越来越受欢迎的超级本来说，含有内置NAND闪存层的混合型硬盘（HDD），可能具有整合存储的优势，但缓存固态硬盘（SSD）凭借其灵活性，仍将是超级本的主流存储解决方案。     

美光科技针对基于NAND闪存的笔记本推出固态硬盘

美光科技（Micron Technology）日前针对不断增长的基于闪存的笔记本电脑市场推出了业内最先进的RealSSD固态硬盘（SSD）新产品组合。一种新型的笔记本电脑正在进入市场,由于其采用了以闪存为基础的存储产品的创新思维,     

Single Chip固态硬盘

Single Chip固态硬盘eSSD系列是通过多芯片封装技术（MCP）,把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型闪存一芯化的Serial ATA（SATA）3Gbps SSD。     

SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术

SanDisk和东芝公司日前宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3bits／单元（3-bits—per—cell）（X3）存储芯片，共同开发出多层式芯片（MLC）NAND快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘（SSD）等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。     

SSD的现状及发展前景

半导体硬盘SSD(固态硬盘)由NAND闪存、NAND控制器以及用作缓冲存储器的DRAM所构成(见图1)。在SSD中,坏块管理、纠错编码(ECC)及单元调整等处理都由NAND控制器的闪存转换层(FTL)来执行。SSD的性能不仅取决于NAND闪存的性能,而且在很大程度上还会受到NAND控制器算法的影响。因此,在优化NAND控制器的设计时,需要考虑到NAND闪存的特性。本文将基于NAND闪存的器件技术及电路技术,以NAND控制器技术为中心,论述SSD技术的现状和今后的挑战等。     

710系列：固态硬盘

英特尔公司推出英特尔固态硬盘710系列。这是一款面向数据中心的专用多层单元（MLC）固态硬盘,采用了英特尔25纳米级特选高品质的MLCNAND闪存和英特尔高耐用性技术,可以为数据中心、金融服务、嵌入式、互联网门户、     

独具匠心的轻巧——三星SSD固态硬盘高清数码摄像机HMX-H106

早在2006年初,三星便开始发展其闪存高清摄像机产品线,以低价、高质和不错的外形设计赢得不少入门用户的青睐。在2007～2008年,三星公司继续自己新颖的创意设计路线,以SD闪存卡和内置闪存结合的新品摄像机。而2009年的新品HMX-H106（以下简称H106）更是破天荒地以SSD（Solid State Disk）固态硬盘为存储介质,这台兼具闪存数码摄像机小体积、低功耗,硬盘数码摄像机大存储空间的新概念产品一经推出便备受瞩目。     

IDT推出DDR3内存模块温度传感器,进一步扩展云计算产品组合

IDT公司推出针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘（SSD）和电脑主板的低功耗、高精度温度传感器产品系列。这些新器件进一步补充了IDT的PCI Express、信号集成、闪存控制器、电源管理和时钟产品,从而提供更加丰富的应用优化型企业计算解决方案。     

DDR3内存模块温度传感器

IDT@公司推出针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘（SSD）和电脑主板的低功耗、高精度温度传感器产品系列。这些新器件进一步补充了IDT的PCI ExpressTM、信号集成、闪存控制器、电源管理和时钟产品,从而提供更加丰富的应用优化型企业计算解决方案。     

三星将推512GB高速固态硬盘

据悉,三星即将发售一款新型高速固态硬盘（SSD）,容量为512GB。三星表示,新型固态硬盘能够在不增加能耗的前提下。三星称新开发的技术为“触发模式DDRNAND”。NAND技术是闪存的代名词,广泛用于苹果iPhone等高端智能手机。     

希捷发布首款固态硬盘 容量最高200GB

09年12月初，希捷展示了其首款固态硬盘Pulsar，表明该公司继竞争对手STEC后，开始进军这一尚在起步阶段，但利润可观的市场。     

整合闪存产业链资源，江波龙出击嵌入式存储市场

随着便携电子产品体积不断缩小,对于其中所使用的嵌入式存储器要求也越来越高,存储设备技术支持与应用开发也越来越重要。为满足市场需求,帮助便携式电子设备制造商降低系统成本提升产品性能,国内领先的闪存存储与无线移动支付方案提供商深圳江波龙电子有限公司近日推出了新一代嵌入式MMC卡（eMMC）和固态硬盘（SSD）产品,