技术动态

英特尔推出业内首款34nm NAND闪存固态硬盘本刊讯(记者杨海峰)7月21日英特尔公司宣布已经开始采用更为先进的34nm生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘(SSD)。SSD是电脑硬盘的替代品。凭借更小的芯片尺寸和先进的工程设计,34nm产品将使SSD的价格     

Single Chip固态硬盘

Single Chip固态硬盘eSSD系列是通过多芯片封装技术（MCP）,把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型闪存一芯化的Serial ATA（SATA）3Gbps SSD。     

SandForceSF3700：闪存控制器

LSI公司的SandForce闪存控制器产品系列推出了第三代产品。这项闪存管理技术适用于驱动PCIe及SATA固态硬盘（SSD）以及闪存卡解决方案。新LSISandForceSF3700闪存控制器系列旨在支持低功耗客户端计算应用、I／O密集型企业以及超大规模环境,可提供更高水平的闪存性能、可靠性与耐久度,充分满足SSD制造商的严格要求。     

英特尔发布第三代固态硬盘320系列

英特尔公司宣布推出用户期盼已久的第三代固态硬盘(SSD)产品——英特尔固态硬盘320系列)。基于行业领先的25纳米制程NAND闪存,英特尔固态硬盘320系列构建于高性能的英特尔X25-M SATA固态硬盘的基础之上,并成为了它的继任者。这款全新产品不但具备更强大的性能和独一无二的可靠性优势,还提供了多种更高存储容量的选择。此外,由     

20nm制程技术：新纳米制程技术

英特尔公司和美光科技公司针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其他数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

英特尔携手美光推出业内最小、最先进的20nmNAND闪存工艺技术

英特尔公司和美光科技针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm工艺技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘{SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其它数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

三星将推512GB高速固态硬盘

据悉,三星即将发售一款新型高速固态硬盘（SSD）,容量为512GB。三星表示,新型固态硬盘能够在不增加能耗的前提下。三星称新开发的技术为“触发模式DDRNAND”。NAND技术是闪存的代名词,广泛用于苹果iPhone等高端智能手机。     

英特尔发布采用25nm制程第三代固态硬盘

英特尔公司宣布推出用户期盼已久的第三代固态硬盘（SSD）产品——英特尔固态硬盘320系列（Intel SSD 320 Series）。基于行业领先的25nm制程NAND闪存,英特尔固态硬盘320系列构建于高性能的英特尔X25-MSATA固态硬盘的基础之上,并成为了它的继任者。由于该系列产品充分利用了25nm制程技术的成本优势．     

iSuppli：NAND闪存控制器营收下滑

iSuppli预计2007年全球NAND闪存控制器芯片营收下降11％，由2006年的4.36亿美元下降到3.86亿美元，这主要是由该控制器的平均销售价格（ASP）下降所至。2007年其价格下降到49美分，下降了30％。该控制器主要用于可移动闪存存储卡、USB闪存驱动器和固态硬盘（solidstate drives）等。     

分析英特尔710 Enterprise SSD

对英特尔的200GB 710 Enterprise SSD(固态盘)的主要兴趣点是,其设计重点主要体现在耐用性、可靠性和能效。另外还注意到它采用MLC(多级单元)NAND闪存做主存。英特尔将其MLC NAND在SSD设计中的实现称为HET(高耐用性技术)。     

突破HDD的瓶颈用SSD取代1.8英寸HDD

使用NAND闪存大幅度缩短计算机启动时间的方法主要有两种。一个是用集成了NAND闪存的SSD取代HDD，另一种是NAND闪存和HDD共用技术。     

英特尔发布面向数据中心的全新SATA固态硬盘

英特尔宣布推出最新固态硬盘（SSD）产品—固态硬盘710系列。这是一款面向数据中心的专用多层单元（Multi-Level Cell,MLC）固态硬盘,它将取代英特尔X25-E Extreme固态硬盘。英特尔X25-E固态硬盘基于更昂贵但高度可靠的单层单元（SLC）NAND闪存技术.     

Astoria大容量存储控制器加速手机连接

赛普拉斯(Cypress)半导体公司近日推出了一款支持多层单元(MLC)NAND闪存的新型West Bridge外设控制器Astoria.Astoria控制器最高可支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了三倍.     

美光在NAND竞争中独树一帜

美光科技公司于2006年推出了针对手机和其他便携式设备的Managed NADA闪存技术。Man-aged NAND闪存使用了美光公司的多芯片封装(MCP)技术,在一个小型的BGA封装中结合了高速多媒体卡(MMC)控制器和NAND闪存。     

LSI SandForce新技术助超极本制造商提高性能

2012年8月1日,LSI公司宣布,推出SandForce SF-2200/2100客户端闪存存储处理器(FSP)的一系列增强特性,用以满足超极本产品严格的功耗要求,并发挥闪存技术的出色性能优势。LSI闪存存储处理器可智能化地管理固态硬盘(SSD)中的闪存存储器,为快速发展的超极本细分市场提供性能和用电效率优势。最新的LSI SandForce电源管理优化技术使SSD制造商开发的驱动器能够延长电池工作时间,缩     

赛普拉斯West Bridge控制器适用于PMP、PND、无线网卡及其它嵌入式应用

赛普拉斯半导体公司推出了一款具备多层单元(MLC)NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器,可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持.这款West BridgeAstoria?控制器最高支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了3倍.     

美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit,可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。     

相对于混合型HDD，缓存SSD仍将是主流超级本存储解决方案

据IHS iSuppli公司的存储产业市场简报，对于越来越受欢迎的超级本来说，含有内置NAND闪存层的混合型硬盘（HDD），可能具有整合存储的优势，但缓存固态硬盘（SSD）凭借其灵活性，仍将是超级本的主流存储解决方案。     

基于多核处理器的安全固态硬盘实现技术

固态硬盘（Solid State Disk,SSD）主要由硬盘控制芯片和存储芯片构成，利用传统的NAND Flash特性，以区块写入和擦除的方式进行读写。基于闪存颗粒的固态硬盘具有功耗低、体积小、性能快、稳定性好等特点，广泛用于各类型移动作业领域。出于对数据存储领域存在的各种安全问题现状的考虑，提出并实现了一种基于多核处理器盘控芯片的固态硬盘全盘加密存储、安全启动新技术，该技术使用国密SM2、SM3、SM4算法，与整机BIOS弱耦合，采用安全配置管理工具进行管控，具有安全性强、自主可控、可扩展性强等优点，具有很好的市场前景。     

Micron增强企业级固态硬盘系列产品

Micron推出一款新的固态硬盘（SSD）,为企业级客户提供了一个性价比极具吸引力的NAND闪存存储选择。该新型驱动器用于读取缓存、直接连接存储（DAS）,和启动虚拟桌面基础设施-用于服务器和刀锋设计的所有关键应用。