雷达结构三维工艺设计系统研究

针对二维工艺设计存在的问题,研究了雷达结构三雏工艺设计系统。分析了雷达研制的业务流程,提出了雷达结构三维工艺设计模式。以工序模型的构建为主线,分析了雷达结构三维工艺设计过程。研究了基于模型的工艺信息表达技术,并提出了一种三维工艺信息表示符号;还研究了基于知识的智能工艺决策方法,提出了一种面向工艺设计的工序模型辅助生成技术。开发并实现了雷达结构三维工艺设计系统,并以某雷达结构为例,验证了系统的有效性。     

双极关键工艺的在线统计分析

采用了双极晶体管作为双极工艺的测试结构,将在线工艺的统计分析理论应用于双极工艺,研制了双极工艺的统计分析软件。最后给出了双极工艺的某些分析结果。     

几种新的封装工艺

文章介绍了几种新的封装工艺,如新型圆片级封装工艺——OSmium圆片级封装工艺,它能够把裸片面积减少一半;新型SiP封装工艺——Smafti封装工艺,它改进了传统SiP封装工艺,把传输速度提高了10倍;超薄型封装工艺,超薄型变容二极管和Wi-Fi系统功率放大器;CDFN封装工艺和RCP封装工艺等。     

离子注入的基区工艺在集成电路大生产中的应用

本文研究了离子注入的基区工艺在集成电路大生产中的应用,对离子注入的基区氧化再扩散、中性气氛再扩散和基区CVD工艺的表面缺陷作了比较和分析。对离子注入的基区工艺,本文给出了理论与实验的工艺参数和工艺条件的关系曲线。 实验表明,基区离子注入工艺具有的工艺稳定性,均匀性,一致性和可控性均比基区 CVD工艺优越,可以有效地防止由于基区工艺参数超规范而引起的成品率下降和整批报废。     

三维电子装联工艺文件设计方法

本文为了提升三维电子装联工艺信息表达的效果,构建了工艺规程树,对工艺设计了规程包,并进行了封装,以更好地构建基于工艺规程树的电子装联工艺文件的设计方法。     

聚四氟乙烯绝缘导线的挤出工艺

介绍了聚四氟乙烯绝缘导线挤出工艺过程,提出了必要的工艺参数、工艺要求,分析了工艺问题的原因。希望有助于生产工艺人员在聚四氟乙烯挤出工艺过程当中作出正确的选择和控制,以提高工艺水平和产品质量,减少浪费。     

基于MBD的微动开关工艺信息表达研究

针对现今机加工艺过程中的工艺信息表达不直观、工艺更改复杂等问题,本文研究了MBD模式下微动开关的工艺信息表方式。以微动开关为对象,将三维产品模型作为工艺设计的信息来源为思路提出了一种直接继承产品三维模型、面向工艺过程的动态机加工艺信息表达,分析了产品设计模型与工艺模型、工艺模型与工序模型以及工序模型与制造模型之间的关联,形成了这些关联之间的映射关系,并在梳理这些映射关系的基础上研究开发了应用系统。     

基于MBD的微动开关工艺信息表达研究

针对现今机加工艺过程中的工艺信息表达不直观、工艺更改复杂等问题,本文研究了MBD模式下微动开关的工艺信息表方式。以微动开关为对象,将三维产品模型作为工艺设计的信息来源为思路提出了一种直接继承产品三维模型、面向工艺过程的动态机加工艺信息表达,分析了产品设计模型与工艺模型、工艺模型与工序模型以及工序模型与制造模型之间的关联,形成了这些关联之间的映射关系,并在梳理这些映射关系的基础上研究开发了应用系统。     

MEMS工艺集成化设计及其可视化

针对目前MEMS设计复杂 ,直观性差等问题 ,提出了工艺集成化设计和可视化的可行性解决方案 ,对其中的关键技术进行了研究 ,并基于所提出的方案研究了工艺设计的集成化和可视化的实现技术。首先对MEMS表面加工工艺进行了详细的分析 ,采用面向过程的方法建立了表面工艺过程的统一模型。基于这一模型 ,研究了MEMS工艺设计的集成化技术 ,实现了工艺设计中各种信息的集成化 ,并设计开发了工艺设计的集成化软件环境。最后 ,对工艺设计中的二维版图的三维重构算法进行了详细的研究 ,通过SolilWorksAPI接口的开发 ,在SolilWorks的环境下实现了工艺过程的三维可视化     

关于VLSIMOS工艺技术的比较:第Ⅰ部分

本文详细参考了从基本的工艺和电路设计考虑出发所受到的区限,对VLSI半导体工艺提出比较。主要讨论的内容有单晶硅衬底和绝缘衬底上的单沟MOS工艺及CMOS工艺。从制造工艺的观点来看,似乎有点是在PMOS、NMOS和CMOS三种工艺途径中进行选择。然而,就电路设计的许多类型来说,清楚地说明了CMOS工艺是最佳工艺。通过利用绝缘体上硅CMOS工艺得到了进一步改进,结论是这种工艺在VLSI时代将占有重要地位。     

硫酸盐型亚光纯锡电镀工艺在PCB上的应用

介绍了硫酸盐型亚光纯锡电镀工艺,并就该工艺在PCB上应用时各工艺参数如电流效率、添加剂工艺配方等影响进行了讨论。用该工艺取代PCB制造通常使用的氟硼酸体系工艺作为图形蚀刻时的保护镀层,不仅利于环保,而且质量稳定可靠,具有极佳的性价比,是达到电子产品无铅化的首选工艺。     

MMIC Foundry工艺的进展

介绍了与标准工艺加工线(Foundry)工艺相容的功率MMIC制造工艺、毫米波PHEMT MMIC foundry工艺的最新进展和遇到的问题。此外,还给出了用稳定的foundry工艺获得的结果。     

表面贴装胶粘剂涂覆工艺的选择与优化

介绍了表面贴装胶粘剂的涂覆工艺,对工艺方法选择、胶粘剂性能及选择,工艺设计等作了详细的分析比较,提出了工艺优化所需的相应的对策。     

华虹NEC非外延0．35umBCD工艺实现量产

华虹NEC日前宣布,其非外延0．35umBCD工艺开始量产。华虹NEC在2008年成功研发并量产了BCD350（0．35微米Bipolar CMOS DMOS）工艺。针对市场的不同需求,华虹NEC现又推出了非外延工艺的0．35umBCD工艺,即PMU350工艺。PMU350在BCD350的基础上用deep Nwell替代了外延层,并简化了工艺流程,使该工艺更具竞争力。目前,PMU350工艺已经顺利通过了产品验证开始量产。     

碳/环氧复合材料的机械加工初探

叙述了目前天线结构中常用的碳／环氧复合材料普通机械加工工艺方法。指出了碳／环氧复合材料加工工艺的特点,介绍了切割、打中工工艺,并给出了一些重要的工艺参数。     

低k介质与铜互连集成工艺

阐明了低k介质与铜互连集成工艺取代传统铝工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用。依照工艺流程,介绍了如何具体实现IC制造多层互连工艺:嵌入式工艺、低k介质与平坦化、铜电镀工艺与平坦化;阐述了工艺应用现况与存在的难题,给出了国际上较先进的解决方法。     

表面组装工艺系统可靠性研究

文章提出了表面组装工艺系统可靠性的概念,介绍了工艺系统可靠性指标,提出了表面组装工艺系统可靠性建模方法。     

简易常白型液晶模块制备工艺研究

本文论述了常白型液晶模块实验室条件下的制备方法,并对各个工艺环节进行了研究,研究的重点在清洗、涂膜、摩擦、制盒、灌注工艺。在研究过程中对各个工艺的工艺环境、工艺参数进行了细致的研讨,同时对工艺中常见的问题进行了讨论,总结了问题处理方法。在模块制作完成后进行了透过率的测试,得到了透过率与偏振片夹角之间的关系。     

考虑误差传递的工艺系统可靠性模型

提出了工艺系统的可靠性定义,重点研究以质量参数为指标的工艺可靠性模型。考虑了工序间误差传递对整个工艺过程的影响．给出工序、工艺系统可靠度计算方法,算例分析证明了工艺可靠度计算方法的适用性。     

一种新型宽带圆极化天线的工艺设计与制造

主要介绍了一种新型宽带圆极化天线,分析了天线的结构设计以及工艺要求,对天线制造的工艺设计和工艺路径的确定进行了详细阐述,提出采用发泡工艺来解决天线单元的支撑问题。分析了主要工艺技术难题,提出了精度分配、工艺过程控制以及制作相应工装夹具等,以保证天线的高精度装配。