杂质及Ce含量对Al—Li—Cu—Zr和Al—Li—Mg—Zr合金韧？…

研究了Ｆｅ,Ｓｉ,Ｎａ,Ｋ杂质及Ｃｅ微合金化对Ａｌ－Ｌｉ－Ｍｇ－Ｚｒ及Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｚｒ合金内、外韧化水平的影响,杂质降低了Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｚｒ合金的内韧化水平,从而降低了基总体韧化水平。由于Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｚｒ合金中添加微量Ｃｅ可明显提高材料的内韧化水平及抑制杂质的脆化作用,故可改善合金的断裂韧性。对于Ａｌ－Ｌｉ－Ｍｇ－Ｚｒ合金,Ｃｅ的微合金化不能提高材料的韧化水平。     

t-BuOAc／TiCl4／IB／CH2Cl2阳离子聚合体系络合作用的研究

研究了［ｔ－ＢｕＯＡｃ］、［ＴｉＣｌ４］／［ｔ－ＢｕＯＡｃ］（摩尔比）对ｔ－ＢｕＯＡｃ／ＴｉＣｌ４／ＩＢ／ＣＨ２Ｃｌ２体系聚合反应的影响．通过紫外光谱分析，证明了本体系中存在着ＴｉＣｌ４←Ｈ２Ｏ、ｔ－ＢｕＯＡｃ→ＴｉＣｌ４两种络合引发活性中心和它们之间的络合竞争，提出了抑制ＴｉＣｌ４与Ｈ２Ｏ络合引发的条件，解释了［ｔ－ＢｕＯＡｃ］、［ＴｉＣｌ４］／［ｔ－ＢｕＯＡｃ］对聚合反应的影响规律．     

计算机模拟Al—Cu—（Mg）—（Ag）时效初期原子分布状态

采用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟了时效初期Ａｌ－１．８Ｃｕ,Ａｌ－１．８Ｃｕ－０．１Ａｇ。８Ｃｕ－０．５Ｍｇ和Ａｌ－１．８Ｃｕ－０．５Ｍｇ－０．２Ａｇ４种合金的原子分布图。结果表明：在无Ｍｇ,Ａｇ的Ａｌ－Ｃｕ合金时效时,Ｃｕ原子有强烈丛聚的倾向,而微量Ｍｇ,Ａｇ的加入明显抑制了Ｃｕ原子的丛聚,其中,尤以Ｍｇ的作用最为显著,并且Ｍｇ,Ａｇ之间还存在强烈的相互作用。作者认为,微量Ｍｇ,Ａｇ对Ａｌ－Ｃ     

卤素化合物对NdCl_3·nTBP／MgCl_2－Al（i－Bu）_3体系催化异戊二烯聚合的影响

考察了以卤素化合物为第三组分对ＮｄＣｌ３·ｎＴＢＰ／ＭｇＣｌ２－Ａｌ（ｉ－Ｂｕ）３体系催化异戊二烯聚合的影响。结果表明，各种卤素化合物的活性顺序为Ａｌ２（ｉ－Ｂｕ）３Ｃｌ３≈ＣｌＣＨ２—ＣＨ＝ＣＨ２＞Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｃｌ２＞ＡｌＥｔ２Ｃｌ＞ＴｉＣｌ４；以Ａｌ２（ｉ－Ｂｕ）３Ｃｌ２或ＣｌＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２作第三组分，采用Ｉｐ－Ａｌ－Ｎｄ三元陈化，Ｃｌ单加或内添加卤素化合物方式，均可以提高催化活性，聚合转化率在Ｃｌ／Ｎｄ值为１－６的范围内基本保持不变。经ＩＲ和１３Ｃ－ＮＭＲ测定表明，除Ｓｔ（ＣＨ３）２Ｃｌ２外，第三组分对聚合物的微观结构影响不大。     

甲醇气相氧化羰基化合成碳酸二甲酯的催化剂结构表征

应用ＸＲＤ和ＸＰＳ技术对用于甲醇气相氧化羰基化直接合成碳酸二甲酯催化剂ＰｄＣｌ_２－ＣｕＣｌ_２－ＫＯＡｃ／ＡＣ的体相和表面性质进行了表征．并结合催化剂的反应性能结果,提出了该催化剂体系上甲醇气相氧化羰基化合成碳酸二甲酯的反应机理．结果表明：在活性炭载体上 ＫＯＡｃ与氯化物 ＰｄＣｌ_２、ＣｕＣｌ_２间的相互作用,产生了ＫＣｌ晶相,而 ＣｕＣｌ_２被部分还原,产生了 ＣｕＣｌ, ＣｕＣｌ_２的存在抑制了ＰｄＣｌ_２的还原;催化剂失活的原因是氯的流失,ＫＯＡｃ起到了抑制氯流失和改进 ＰｄＣｌ_２－ＣｕＣｌ_２催化剂电子环境的作用,从而提高了催化剂的活性和稳定性．     

合成γ—丁内酯Cu—Zn—Al—O催化剂的X射线衍射研究

对合成γ－丁内酯Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ－Ｏ催化剂进行了ＸＲＤ研究,关联催化剂活性评价结果,表明：加入Ａｌ元素,有助于提高催化剂的活性。反应活性组分是微晶Ｃｕ＾０,Ｃｕ％０聚集是催化剂失活的原因之一,该Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ－Ｏ催化剂宜采用直接还原方式,在２４０℃,通入Ｈ２还原２ｈｒ进行活化。     

SiO_2介质覆盖层对Al-Cu膜晶粒生长的影响

观察和分析了微电子器件ＳｉＯ２介质覆盖层对Ａｌ－Ｃｕ金属化系统可靠性的影响。在１．２×１０６Ａ／ｃｍ２、３００℃、Ｎ２气氛保护的电徙动实验条件下,ＳｉＯ２覆盖层影响着Ａｌ－Ｃｕ膜互连线的形态和晶粒尺寸,使Ａｌ－Ｃｕ膜晶粒尺寸从０．５～１．０１ｍ长大至２～３ｍ;从而有效地提高了Ａｌ－Ｃｕ膜的电徙动寿命。     

Al_2O_3／Al－4Wt％Cu复合材料凝固时溶质传输及其对界面的影响

根据金属凝固过程中的守恒定律和传输原理，建立了Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ－Ｃｕ复合材料凝固对溶质传输的数学模型．利用所建立的模型，对Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ－４Ｗｔ％Ｃｕ复合材料凝固过程中的温度和成分分布以及凝固进程进行了数值模拟．研究了复合材料凝固时的溶质传输以及对纤维／基体界面的影响，讨论了溶质在界面富集的原因．     

锌二元系气—液成份图

计算了锌二元系；Ｆｅ－Ｚｎ，Ｐｂ－Ｚｎ，Ｃｕ－Ｚｎ，Ａｌ－Ｚｎ，Ｃｕ－Ｚｎ的气－液成份并绘制气－成份图，为锌二元系合金分离提供了理论数据。     

SiC粒子增强铝基复合材料界面行为研究

通过热力学和俄歇剖面分析，对用半固态溶液搅拌法制备的ＳｉＣｐ－Ａｌ－Ｃｕ复合材料的界面行为及其对湿润性的影响进行了研究，表明在ＳｉＣｐ／Ａｌ界面上发生了界面反应，界面反应的产物是ＭｇＯ和ＭｇＡｌ２Ｏ４。     

镍－醇酯体系聚丁二烯分子量的控制

研究了Ｎｉ（ｎａｐｈ）２－Ａｌ（ｉ—Ｂｕ）３—ＢＦ３·ＯＥｔ２＋ｎ—Ｃ８Ｈ１７ＯＨ（简称Ｎｉ—Ａｌ—Ｂ十ＲＯＨ）和Ｎｉ（ｎａｐｈ）２－Ａｌ（ｉ—Ｂｕ）３－ＢＦ３·ＯＥ１２十ＣＨ３ＣＯＯＣ４Ｈ９（简称Ｎｉ－Ａｌ—Ｂ＋ＢＡ）两体系在加氢汽油中引发丁二烯聚合的分子量控制方法，并与Ｎｉ－Ａｌ—Ｂ体系进行了比较。结果表明：在催化剂用量相同时，Ｎｉ—Ａｌ—Ｂ＋ＲＯＨ和Ｎｉ－Ａｌ—Ｂ＋ＢＡ两体系所得聚合物的分子量均比Ｎｉ—Ａｌ—Ｂ体系的高；Ｎｉ／Ｂｄ、Ａｌ／Ｎｉ比的变化对聚合物的分子量及其分布影响不显著，Ａｌ／Ｂ比才是影响聚合物分子量的关键因素；聚合温度升高，分子量降低，而分子量分布变化不大。     

含共晶体二元金属熔体作用浓度的计算模型

根据混合自由能有最小值，过剩自由能有最大值（或最小值），激冷条件下产生化合物状亚稳相及共晶，分层等现象，针对Ｃｄ－Ｂｉ，Ｇｅ－Ａｌ，Ｂｉ－Ｓｎ，Ｃｄ－Ｓｎ，Ａｇ－Ｃｕ，Ａｌ－Ｇａ；Ｓｉ－Ａｇ，Ｐｂ－Ｓｎ和Ａｌ－Ｓｎ金属熔体推导了作用浓度的计算模型，计算结果与实测值符合较好，从而证明所提出的计算模型符合本类熔体的结构特点。     

Cu－Al粉末烧结合金内氧化研究

用高纯氮气体做介质对Ｃｕ－０．７５％Ａｌ粉末烧结合金进行内氧化处理，用Ｘ－ｒａｙ衍射，ＳＥＭ，ＴＥＭ等分析技术进行研究，结果表明：内氧化物由多相组成，晶内弥散分布的α－Ａｌ＿２Ｏ＿３质点呈球形析出长大；内氧化层中［Ａｌ］，［Ｏ］原子浓度规律分布，反应界面前沿存在［Ａｌ］，［Ｏ］原子浓度的非平衡区，内氧化过程，氧以晶界扩散和体扩散为主，氧化物质点周围Ｃｕ基体的塑性变形，增加了氧原子按位错扩散机制运动的几率；Ｃｕ原子受挤压发生短路迁移充填了邻近区域的空位和晶界缺陷，增加了粉末烧结合金的致密度．     

FeCl_3-Al(i-Bu)_3-phen各组分相互作用的研究

应用ＦＴ－ＩＲ谱结合ＵＶ－Ｖｉｓ, 对在加氢汽油介质中ＦｅＣｌ３－Ａｌ （ｉ－Ｂｕ）３－ｐｈｅｎ 胶体催化剂及各组分的相互作用进行研究,得出在胶粒表面ＦｅＣｌ３ 与ｐｈｅｎ 作用, 生成Ｆｅ （ｐｈｅｎ） Ｃｌ３, 它被Ａｌ （ｉ－Ｂｕ）３ 还原为二价离子的表面双金属配合物, 丁二烯在空位上配位, 形成π－烯丙基活性种, 实现了链引发反应     

Ce对形状记忆合金抗高温失效的影响

通过实验研究，分析了Ｃｅ对Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ形状记忆合金抗高温失效的影响，并对其高温失效的主要原因进行了理论探讨．     

电迁徙参数的电流斜坡动态测试

采用电流斜坡法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为：２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）．结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徙阻力越高ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符。同时，考察了不同温度和不同电流上升斜率对ｎ值测量结果的影响，试验表明，在相当宽的温度范围和测试时间内获得的ｎ值一致性很好。     

Cu－Zn－Al形状记忆合金的成分设计

本文提出了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ形状记忆合金成分设计的一种简便方法，其计算结果与实验结果相符合。     

电迁徒参数的电流斜坡动态测试

采用电流斜波法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徒阻力越高ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符，同时，考察了不同温度和不同电流上升斜率对ｎ值测量结果的影响，试验表明，在相当宽度的温度范围和测试时间内获得ｎ值一致性很好。     

Cu－Al粉末合金的烧结行为

用高温金相显微镜对Ｃｕ－５（ｗｔ）％Ａｌ粉末压坯进行高温瞬间液相烧结行为的动态观察，差热分析（ＤＴＡ）结果表明，１００℃开始表面互扩散，不同温度烧结后的试样经Ｘ－射线能谱分析，确定出Ａｌ－Ｃｕ合金烧结过程相界面处中间相的析出顺序９４．１９％密度的压坯不利于共晶液相的毛细润湿作用，６５％密度的压坯易于均匀化烧结，经透射电镜观察及衍射斑点分析，残留相γ与Ｃｕ基体保持有（１１１）＿Ｃｕ     

Cu—Zn—Al形状记忆合金的成分设计

本文提出了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ形状记忆合金成分设计的一种简便方法，其计算结果与实验结果相符合。