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硅基红外焦平面阵列技术的新进展(I) 总被引:3,自引:0,他引:3
主要介绍以硅为衬底的非本生硅、金属硅化物肖特基势垒红外探测器,GexSi1-x/Si异质结内光电发射红外探测器,硅基红外图象传感器、硅微测辐热计等红外探测器焦平面阵列的新进展。 相似文献
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通过使用分子束外延生长技术在PtSi/Si界面上加进一足够薄的高掺杂浓度峰,可使PtSi肖特基红外探测器的截止波长延伸至长波红外范围。 相似文献
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主要介绍以硅为衬底的PbS、PbSe、PbTe、PbSnSe、HgCdTe、InSb等红外探测器焦平面阵列的新进展。 相似文献
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GexSi1—x/Si超晶格红外探测器最佳结构 总被引:4,自引:1,他引:3
通过对GexSi1-x/Si超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/Si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。 相似文献
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通过对GexSi1-x/Si超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/Si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。 相似文献
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P^+—GexSi1—x/p—Si异质结红外探测器性能的提高 总被引:3,自引:0,他引:3
通过采用层叠结构、增加SiO2介质腔和铝反射镜、背面蒸镀SiO抗反射层等措施,使P^+-GexSi1-x/p-Si异质结内光发射红外探测器在77K下的性能提高到在不加偏置电压的条件下响应范围2 ̄8μm,D(5.5,1000,1)^*=1.1×10^10cmHz^1/2/W,量子效率可达4%。其Dp^*已达到实用的PtSi红外探测器的量级。另外,在器件的结构设计中,我们采用了一种改进的电极结构,以提 相似文献
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用于红外探测的铱硅化物的X射线光电子能谱 总被引:1,自引:1,他引:0
用X射线光电子能谱方法测量了铱硅化物的芯能级谱。得到了与化学键有关的化学多和芯能级对称性变化方面的信息,提出了在IrSi/Si肖特基势垒形成机理与界面外IrSi和Si原子的化学键密切相关本文结果有益于解用铱硅化物肖特基势垒制备红外探测器。 相似文献
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对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
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通过对GexSi1-x/Si红外探测器结构及机理的研究,建立了计算量子效率的模型,并计算了内量子效率与波长的关系,与他人的实验结果符合得很好。 相似文献
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首次报导了一种改进结构的P^+Ge0.3Si0.7/P-Si异质结内光发射长波长红外探测器在77K下的电学特性和光学响应特性。 相似文献
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采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术(HREM)观察了P+-Si0.65Ge0.35/P-Si异质结内光发射红外探测器的微结构.该器件光敏区是由3层P+-Si0.65Ge0.35和2层UD-Si(未掺杂硅)组成,Si0.65Ge0.35/UD-Si层间界面不明锐,有一个由于Ge原子不均匀扩散造成的过渡带.这个过渡带缓和了界面的失配应力,因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变.在光敏区边缘有呈倒三角形的缺陷区,缺陷的主要类型为层错和微孪晶.层错在(1 11)面上,而微孪晶的厚度约为2~4晶面间距,其孪晶 相似文献
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通过对GexSi(1-x)/Si红外探测器结构及机理的研究,建立了计算量子效率的模型,并计算了内量子效率与波长的关系,与他人的实验结果符合得很好。 相似文献
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国外硅基UMBIRFPA制备技术研究进展 总被引:4,自引:2,他引:2
介绍了国外硅基非致冷微测辐射热计红外焦平面阵列(Si+UMBIRFPA)的典型结构,制备工艺技术以及UMBIRFPA的性能参数。 相似文献
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以锗基和硅基为主的阻挡杂质带(blocked impurity band,BIB)红外探测器的兴起有力推进了红外天文学的快速发展,其中硅基BIB红外探测器在特定波长的航天航空领域有着不可替代的地位。国外对硅基BIB红外探测器的研究已有40多年,以美国航空航天局(NASA)为主的科研机构已经实现了硅基BIB红外探测器在天文领域的诸多应用,而国内对硅基BIB红外探测器的研究尚处于起步阶段。本文首先阐述了硅基BIB红外探测器的工作原理,然后简单概述了器件结构和制备工艺,并对不同类型的硅基BIB探测器的性能进行了对比分析,之后介绍了其在天文探测中的应用,最后对硅基BIB红外探测器未来的发展进行了展望。 相似文献
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叙述了PtSi肖特基势垒红外图像传感器的性能,评述了国内外PtSi红外图像传感器的发展,介绍了PtSi热像仪的应用及其市场。 相似文献