硅基红外焦平面阵列技术的新进展(Ⅱ)

主要介绍以硅为衬底的ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＰｂＳｎＳｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＩｎＳｂ等红外探测器焦平面阵列的新进展。     

使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多种传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｎ，ＰｔＳｉ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波，长波红外焦平面阵列的现状及性能参数。     

多路传输中波红外长线列光导焦平面列阵（上）

本文讨论利用廉价的中波红外（ＭＷＩＲ）线列焦平面组件（ＦＰＡ）首次成功进行的热成象的实验演示，该焦平面组件包含与焦平面上多路传输器（ＭＵＸ）相互连的硒化铅（ＰｂＳｅ）长线列列阵，这种独特的红外敏感器的设计由一个坚固的杜瓦瓶外壳构成，其中安装有一个可靠的固态热电致冷器（ＴＥＣ），该热电致冷器与ＰｂＳｅ制备工艺和互补型金属－氧化物－半导体（ＣＭＯＳ）多路传输器这两项已被证实的技术相匹配。目前，把这些元     

使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多路传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ、ＩｎＳｂ、ＰｔＳｉ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波、长波红外焦平面阵列的现状及性参数。     

离子注入法（IBS）合成新FeSi2相的显微结构研究

本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的ＦｅＳｉ２薄膜的微观结构，发现一种新的ＦｅＳｉ２相，这种相的晶格参数与已知的β－ＦｅＳｉ２相相似，但是它的点群和空间群分别为ｍｍｍ和Ｐｂｃａ。     

分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格

提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅ ＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅ ＭＢＥ生长的影响，并用分子束外延方法在１６０～１８０℃下生长了ＨｇＳｅ单晶薄膜。     

涡街流量计用压电陶瓷材料的研究

在分析Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３＋ＢｉＦｅＯ３＋Ｓｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｐｂ［（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）（Ｔｉ，Ｚｒ）］Ｏ３系列压电性能的基础上，通过调整系统中的锆钛比，得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压电陶瓷材料。     

红外光激励下稀土共掺杂SrS中的光存储

研究了ＳｒＳ：Ｅｕ,Ｓｍ,Ｃｅ在紫外和蓝光辐照下的光激励发光,分析了不同写入光激发下光激励发射谱的差异,发现空穴束缚对其起决定性的作用。对电子发生转移的途径和光激励及ＳｒＳ：Ｃｅ,Ｓｍ相比,ＳｒＳ：Ｅｕ,Ｓｍ,Ｃｅ在存储密度有进一步的提高。     

（Sr,Pb）TiO3复合钙钛矿型铁电体的晶体结构

应用化学共沉淀法制备系列Ｐｂ／Ｓｒ比例的（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３粉末，标定了体材料的晶体结构，计算了材料的晶胞参数，给出了晶胞参数随Ｐｂ／Ｓｒ比例的变化规律。     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

层叠结构的Si0.65Ge0.35/Si红外探测器的微结构研究

采用定位的横断面透射电子显微术观察Ｐ＾＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器的微结构。该器件光敏区由６层Ｐ＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３６和５层ＵＤ－Ｓｉ层组成,每层都比较平整,各层厚度分别为６ｎｍ和３２ｎｍ,在Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ＵＤ－Ｓｉ界面处存在应力场,但未到晶体缺陷,非晶ＳｉＯ２台阶上的Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和ＵＤ－Ｓｉ层是波浪状的多晶层,光敏区的边界处存在小于     

碲化物薄膜的附着牢固度与其显微结构的关系

用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜术（ＴＥＭ）观察Ｓｉ和Ｇｅ基板上ＰｂＴｅ、ＣｄＴｅ及ＰｂＧｅＴｅ单层薄膜及其与ＺｎＳ组合的多层薄膜的显微结构,给出了薄膜附着牢固度与薄膜显微结构的关系     

Al2O3,Cu,Fe,Si,W的热物理性能

１９８５年，科学技术数据委员会（ＣＯＤＡＴＡ）公布了固体热物理性能研究小组的报告，报告分析适用数据并给出了推荐值：Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ、Ｗ和Ｆｅ的比热，Ｃｕ、Ｓｉ、Ｗ和Ａｌ２Ｏ３的热膨胀，Ｃｕ、Ｆｅ、Ｗ和Ｐｔ的电阻率，Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ和Ｗ的热导率以及Ｐｂ、Ｃｕ和Ｐｔ的绝对热功率。研究小组组长由Ｙ．Ｓ．Ｔｏｕｌｏｕｋｉａｎ教授担任，直至１９８１年去世后，由Ｍｅｒｒｉｌｌ Ｍｉｎｇｅｓ博士担任。自上述报告     

机械合金法制备六角形铁氧体磁性材料

研究了用机械合金化和热处理制备的ＭＦｅ１２Ｏ１９（Ｍ＝Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ）六角形铁氧体物结构和性能。测得Ｂａ、Ｓｒ的六角形铁氧体粉末的矫顽力为６￣７ＫＯｅ。矫顽力高与机械合金化和热处理导致的粒子尺寸小（￣０．１μｍ）有关。高矫顽力各向异性样品可由热压法制备，其剩磁为饱和磁化强度的７０％￣７５％。     

一种用于大功率超声清洗换能器的压电材料

通过对ＰｂＭｅ（Ｃａ＿（１／４）Ｍｎ＿（１／４）Ｎｂ＿（１／２））＿ｘＴｉ＿ｙＺｒ＿ｚＯ＿３系材料的研究，并以Ｓｒ￣（２＋）、Ｍｇ￣（２＋）等价取代Ｐｂ￣（２＋），以ＣｅＯ＿２作为添加改性剂，研制出机电耦合系数高（ｋ＿ｐ＝０．６２）、机械品质因数高（Ｑ＿Ｍ＝２０３６）、机械强度高（抗张强度为４４２ＭＰａ）、经时稳定性好的适用于大功率超声清洗换能器的压电材料。     

Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验

设计了一种新结构的Ｇｅ_ｘＳｉ_（１－ｘ）／Ｓｉ近红外探测器，它是在ｐ－Ｓｉ衬底上分子束外延生长２μｍ厚的Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）本征层，再在其表面离子注入形成一薄层ｎ＋层，腐蚀成台面后，构成Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）／Ｓｉｐ－ｉ－ｎ型的近红外探测器。试验表明，它具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光电特性。     

红外探测器微结构的HREM观察

采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术（ＨＲＥＭ）观察了Ｐ＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／Ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器的微结构．该器件光敏区是由３层Ｐ＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和２层ＵＤ－Ｓｉ（未掺杂硅）组成,Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ＵＤ－Ｓｉ层间界面不明锐,有一个由于Ｇｅ原子不均匀扩散造成的过渡带．这个过渡带缓和了界面的失配应力,因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变．在光敏区边缘有呈倒三角形的缺陷区,缺陷的主要类型为层错和微孪晶．层错在（１　１１）面上,而微孪晶的厚度约为２～４晶面间距,其孪晶     

弛豫铁电体陶瓷研究进展

报告了近年来弛豫铁电体陶瓷在制备、模型和相图方面的研究。着重介绍钶铁矿法、一步煅烧法、熔盐合成、溶胶－凝胶法和单晶生长、空间电荷和无规则位模型，极化起因，变晶相界和Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３－Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｉ１／２）Ｏ３体系。     

化学法制备的PTCR型（Sr,Pb）TiO3半导体陶瓷

采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ１－ｘＰｂｘ）ＴｉＯ３粉末，在６０～２２０°Ｃ间获得了五种居里温度的ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷。实验结果表明，材料室温电阻率低于２０Ωｃｍ，升阻比高于１０５．５。文中还给出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体的四方→立方相转变温度（居里温度）、晶胞参数等一系列随Ｐｂ／Ｓｒ比变化的材料性质。     

红外系统光谱匹配因数

本文从最基本的红外系统－探测器对辐射源的响应出发，导出了辐射源组合系统的光谱匹配因数表达式。并在１￣１４μｍ波段范围内计算了常用红外探测器ＨｇＣｄＴｅ、ＩｎＳｂ、Ｐｂｓ对３００Ｋ、５００Ｋ、８００Ｋ、１０００Ｋ黑体辐射的光谱匹配因数。总结了这些红外探测器对不同温度黑体辐射光谱匹配因数的变化规律，可供红外系统设计者参考。