在VLSI方面的竞争

<正> 除以前发表过的日本两家公司研制成256K位动态RAM以外,目前,许多公司也正在研制256K位动态RAM,并取得一定进展。IBM公司已试制了288K位动态RAM芯片;Motorola公司最近也发表了256K×1位动态RAM的一览表,预计样品在年内或83年初出厂,最大存取时间将为100ns,内有再生功能,单元面积84μm~2,芯片面积46.4mm~2;日立也宣布今年秋季将提供样品。东芝公司在批量生产第一代VLSI产品-64K位动态RAM方面一直落后于日立、富士通等公司,据称东芝将通过首先推出1M位RAM来保持它在VLSI方面的竞争能力,他们计     

高速图象应用的4结构和CMOS 256k位动态RAM的研制

在256k×1位结构的标准产品基础上,具有高速存取功能、作图象存贮器应用的64k×1位和32k×8结构等各种各样的第二代256k动态RAM正在研制成功。外围电路采用CMOS结构也很引人注目。不久,这些产品除×1结构之外,将占256k RAM总数的30％。最引人注目的是周期时间小于50ns的静态列式CMOS型,以及供图象应用的双通道64k×4位产品的新应用研究。     

周期时间为50ns的静态列式256k CMOS动态RAM

日立制作所成功地研制了具有高速存取功能的静态列式256k CMOS动态RAM,从1985年4月起推出试制原样;这种存贮器以静态列方式工作,如果对某一单元进行存取,那么对于含有该存贮单元的行里的其他单元来说可以像高速静态RAM那样进行取数;普通类型的256k DRAM的取数时间为100ns,而这种静态列式的256k DRAM快达50ns;为了达到高速,芯片上的外围电路使用了CMOS静态电路;这种256k DRAM适合用作清晰度很高的CRT图象存储器或高速计算机中的主存贮器。     

高速8K×8的混合式CMOS静态RAM

一、概述微处理器广泛应用对静态RAM的高速、高密集度和低功耗产生了强烈的要求。为了满足这一需求,采用NMOS工艺的16K静态RAM已设计成功。但是在高密集度的RAM中,NMOS增强/耗尽(E/D)电路的功耗问题一直未能完美地解决。这里介绍一个混合CMOS工艺制造的高速8K×8静态RAM。这一工艺就是将CMOS外围电路和NMOS贮存器模片相结合,用此RAM在典型的试验条件下我们得到了34ns的地址存取时间和90mW的有效功率。这里我们采用了带有4个子模块的分方位模片结构和一个新型的读出放大器。除了冗余贮存器单元之处,这个RAM包括     

三电平字线的4sns 256k CMOSSRAM

由于电路和工艺技术的不断进步,MOSRAM的密度仍在增加。特别是已经采用了几种新的电路技术,它们使高密度SRAM有低的速度功耗乘积。下面讨论的 32k×8位静态RAM包括一个与三电平字线相结合的地址渡越激活电路,它在1MHz时产生7mW的激活功率和40mA的峰值电流。获得了45ns的地址存取时间。     

100ns单5V 64K×1MOS动态RAM

本文介绍了一种彩双层多晶哇工艺的高性能64K位5伏MOS动态RAM。典型存取时间100ns，工作功耗小于120mW。采用等平面-II的制作工艺，改革电路设     

双环功率控制的突发模式激光驱动器

设计了一款应用于无源光网络（PON）的突发模式激光驱动器及其双环功率控制电路。提出一种电荷补偿和动态偏置电路,减小了激光驱动器电流上升和下降时间,提高了输出电流能力;提出一种双环功率控制的反馈电路,解决了平均功率和消光比随温度变化的问题。基于0.18m RF CMOS工艺完成流片,激光驱动器芯片面积为1 600m800m。测试结果表明,激光驱动器的输出偏置电流和调制电流分别可达90 mA。激光驱动器突发响应开启时间小于2 ns,关断时间小于1 ns,发送数据速率高达2.5 Gbit/s,抖动大小为41 ps。激光驱动器输出平均光功率稳定性为0.26 dB,消光比稳定性为1 dB。该激光驱动器满足了PON系统对激光器的输出功率和稳定性要求。     

八毫米脉冲高功率雪崩管振荡器

本文简述了IMPATT器件的设计、制造工艺、振荡器的微波电路结构和脉冲调制的研制。对脉冲偏置期间产生的频啁效应作了原理性的说明,并提出了减小频啁带宽的方法。目前所研制的八毫米雪崩管振荡器输出功率在20W以上,最大脉冲输出功率在35.5GHz时达到48W。重复频率在1—100kHz范围内可调,脉宽从50ns—1μs可调。频率稳定,工作可靠。     

1kHz全光纤双程结构掺Yb3+脉冲光纤放大器

以1KHz低重复频率的脉冲激光为信号光源,实验研究了全光纤双程结构的脉冲光纤放大器.利用光纤声光调制器(AOM)滤除了放大过程产生的放大自发辐射光(ASE),并测量了该ASE功率;分析了低重复频率及双程结构对放大器输出特性的影响;研究了抽运光功率对输出脉冲宽度和脉冲峰值功率的影响.在注入信号激光波长1060nm、脉冲宽度10.2ns、峰值功率0.58W时,获得放大脉冲激光的脉冲宽度7.9ns、峰值功率245.2W,对应增益26.3dB.     

862nm扇面光束脉冲激光器模块

设计并制作了一种新颖的扇面光束半导体激光器模块,并在模块中集成了高输出电压、高重复频率驱动电路.该模块由多个LD芯片在慢轴方向沿圆弧排列而成,采用微柱透镜和平凸柱面镜对LD快轴光束进行准直.驱动电路采用DC-DC电路产生高电压、采用门电路延迟法产生驱动电脉冲.实验测试表明:该模块峰值光功率为1 750 W,光脉冲宽度为6 ns,脉冲间隔为20μs,光束水平发散角为41.2°,垂直发散角为0.23°;可以实现大视场空间、低间隔时间光束发射.     

双波长激光驱动接收专用集成电路设计

双色激光引信在克服云烟干扰方面具有重要价值。为了减小引信体积,保障导弹内部空间的充裕性,设计了一种基于BCD工艺的双色激光引信专用集成电路芯片。首先,对现有双色激光引信的结构和工作原理做出了详细介绍,引出了单芯片设计的思路和方法,并给出了该芯片集成的子电路的设计方法和仿真结果。该芯片使用0.25 m的BCD工艺制造。经测试使用该芯片驱动双色激光器,芯片供电电压5 V,激光器支路供电电压27 V时,红外激光器输出峰值功率可达30 W,紫光激光器输出峰值功率达25 W,脉宽50～500 ns可调,重复频率1～100 kHz可调,窗口时间1～10 s可调,红外和紫光回波信号在接收部分实现了分离,在功能上成功取代了原系统的4块芯片,实现了系统的简化。     

莫托洛拉公司MCM6256/MCM6257型256k DRAM

前言 本文以半字节方式功能的MCM6257型(照片1)存储器为中心,详细地介绍了莫托洛拉公司制造的256k位动态随机存取存储器。MCM6257型动态RAM与带有页码方式功能的MCM6255型动态RAM的芯片结构基本上是相同的,在制造中两者的掩模版可互换使用。     

1～8GHz GaN10W巴伦型分布式功率放大器

报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺研制的1～8 GHz超宽带分布式功率放大器芯片。通过在芯片的输出端设计超宽带巴伦结构,来实现负载阻抗变换,以提高分布式电路的输出功率和效率特性。为了提高电路的增益,设计了一种两级非均匀式的电路拓扑结构。该芯片在1～8 GHz频率范围内,漏压28 V连续波条件下,线性增益大于25.8 dB,功率增益大于23.2 dB,典型饱和输出功率为10 W,功率附加效率大于28.8%。芯片面积为3.5 mm×3.3 mm。     

基于DSP开发系统设计与实现

为了设计一个性能稳定的DSP开发系统,利用TI公司最新推出的TMS320F28335作为微处理器,该芯片为32位浮点型DSP。在采用浮点DSP设计系统时,不需要考虑处理的动态范围和精度,比定点DSP在软件编写方面更容易,更适合采用高级语言编程。外围电路主要包含电源电路、RAM扩展电路、晶振电路和复位电路,用来辅助DSP的工作。利用电源管理芯片设计电源电路,可以有效解决其他型号的DSP对上电顺序的要求;扩展的外部RAM可以使程序的调试与下载更加方便。利用外部时钟源作为时钟输入,使其输入时钟更加稳定的同时,也可为具有相同时钟的多个DSP使用。利用三端监控芯片来实现系统的手动复位和自动复位,使系统的稳定性大大提高。     

东芝研制单片集成160万元件的256k位CMOS静态RAM

东京芝浦电气研制并发表了采用1μm的微细加工技术等,在单片上集成了约160方元件的第二代超大规模集成电路(256k位CMOS静态RAM)。 这次研制的静态RAM尺寸为6.68mm×8.86mm,在与当前的256K位动态RAM几乎相同的面积上,集成了约4倍于动态RAM的晶体管,实现了取数时间46ns,工作电流2mA,以及待机时的功耗30μw的高速、低功耗特性。     

基于声光调Q的高峰值功率全光纤脉冲激光器

报道了基于声光调Q的高峰值功率全光纤脉冲激光器,通过改变驱动信号,可获得不同特性的脉冲激光输出。当重复频率为10 kHz时,脉冲宽度在3~900 ns可调。在脉冲宽度为65 ns时,获得1.24 W的平均功率输出,单脉冲能量0.13 mJ,峰值功率2 kW。当重复频率为100 Hz时,可获得脉冲宽度为86 ns、平均功率84 mW的输出,单脉冲能量0.84 mJ,峰值功率10 kW。该激光器结构简单,可以通过调制方便地改变激光参数,可作为进一步放大、压缩脉冲和提高重复频率的种子源。     

基于Actel FPGA的双端口RAM设计

双端口RAM芯片主要应用于高速率、高可靠性、对宴时性要求高的场合,如实现DSP与PCI总线芯片之间的数据交换接口电路等。但普通双端口RAM最大的缺点是在两个CPU发生竞争时,     

LD泵浦Nd∶YVO_4/Cr∶YAG被动调Q绿光激光器

报道了一种 LD近贴泵浦、KTP晶体腔内倍频的 Nd∶ YVO4/Cr∶ YAG结构高重复频率被动调 Q绿光激光器。在注入泵浦功率为 75 0 m W时 ,得到平均功率 86m W、脉冲宽度2 6.6ns、重复频率 79.2 k Hz、峰值功率 41 .1 W的被动调 Q脉冲绿光输出     

34ns256k DRAM

文章叙述256K×1位MOS动态RAM,该存贮器采用MoSi_2栅工艺制作,并备有冗余单元,以改进成品率。RAM的典型CAS存取时间为34ns,有效功耗170mW(在5V Vcc和260ns周期时间下)。 高速工作是两个有贡献的因素作用的结果。一个因素是在应用MoSi_2栅工艺技术。一般为了欧姆/□的MoSi_2低薄层电阻减少     

二极管泵浦Nd∶GdVO_4晶体四波长激光器

采用简单的两镜腔结构,二极管泵浦Nd∶GdVO4晶体产生1063nm和1342nm近红外双波长调Q激光振荡。用KTP晶体和钽酸锂光学超晶格材料分别对1063nm和1342nm激光进行倍频,在泵浦功率为14W、声光开关重复频率15kHz时,同时获得1063nm和1342nm剩余基波功率为587mW和1.13W、相应的二次谐波绿光功率703mW和红光功率328mW的四波长激光输出,脉宽分别为23ns、55ns、18ns和43ns。