离子色谱在元器件腐蚀失效分析中的应用研究

电子元器件在应用过程中经常出现污染腐蚀失效,查找引起失效的污染、腐蚀源是分析技术的关键。本工作通过几种不同类别电子产品失效分析案例,研究了离子色谱检测(IC)在板面残留、工艺辅料、产品包封料、环境异物中污染腐蚀源的检验和分析方法,并与传统的形貌观察、绝缘阻抗测试、EDS成分分析、红外光谱分析的结果进行综合对比和验证。明确了离子色谱检验方法在电子元器件腐蚀失效分析中的应用场景、取样方法和结果分析方法,为离子色谱在电子元器件腐蚀失效预防中的工程应用提供指导和借鉴。     

密封封装内部水汽含量判据研究

密封封装内部的水汽对于半导体器件的可靠性是一种威胁,由此导致的硅表面铝金属线的腐蚀是一种主要的失效机理。为了防止密封封装内部发生腐蚀失效,从而提高器件的可靠性,美军标和我国国军标均给出了内部水汽含量的试验流程和判据。然而另一些研究表明,水汽的单独存在并不会导致铝线腐蚀失效。研究了水汽在密封器件的腐蚀失效机理中的作用,对硅表面铝线的腐蚀过程进行了数学描述,分析了目前标准中内部水汽含量判据,并给出了防止密封器件腐蚀失效的建议。     

贴片式电子元件典型的失效模式及机理分析

针对贴片式电阻器和贴片式陶瓷电容器中银电极典型的腐蚀漏电失效模式,选取两个案例进行分析。通过采用X-ray、金相切片和SEM&EDS等分析手段,阐述了这类贴片式电子元件的失效机理,剖析了元件出现硫化腐蚀、电化学迁移失效与银电极制作工艺及电极浆料的关系,并提出了有效控制此类失效的措施与对策。     

手机PCB镀金接插件腐蚀失效实例分析

通过两个带有镀金接插件的手机PCB腐蚀失效的实例．从元件表面出现的腐蚀失效的现象出发．结合这些失效部位的腐蚀形貌、腐蚀产物等特点,分析了手机PCB上接插件镀金表面层在自然存放条件和加速腐蚀条件下出现腐蚀失效、达不到有效保护作用的主要原因,包括表面镀金层本身存在孔隙、划痕等表面缺陷．电镀过程中引入污染物,装配过程中形成缝隙等;另一个重要原因是镀金层厚度薄,不能提供足够的防护性能。并针对这些因素提出了相应的改善措施和建议。     

PCB的腐蚀失效及其分析

通过一个电子辞典用PCB腐蚀失效的分析案例,介绍了PCB的失效现象、分析过程和分析技术．阐述了其失效机理,并提出了相应的改进措施。     

HVDC线路对通信系统地下金属管线电化腐蚀的初探

着重对高压直流送电线路引起的地下金属装置腐蚀机理进行了探索，从理论上分析了高压直流送电线路系统的电化腐蚀与高压直流送电线路接地电极材料的电化腐蚀以及金属材料的自然电化腐蚀之间的关系和区别。     

基于异质金属接触电化学腐蚀的MMIC阻性衰减器失效分析

针对某单片微波集成电路(MMIC)阻性衰减器断路故障进行了失效分析.开封后,利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和聚焦离子束(FIB)等对失效样品进行检测.经检测发现W电阻薄膜断裂导致器件断路失效.W电阻薄膜断裂的原因是W-Au异质金属直接接触的区域暴露在空气中形成腐蚀原电池发生电化学腐蚀.利用质量分数3％的NaCl溶液对同批次器件进行腐蚀实验,复现了失效模式.检测和复现实验证明了该器件的失效机理为基于异质金属接触的电化学腐蚀.     

柯伐镀金盖板电化学腐蚀的剖析及其防腐措施

对半导体器件封装的气密性失效进行了研究。发现，柯伐镀金盖板遭致电化学腐蚀是导致气密性失效的主要原因。对电解液的形成和电化学腐蚀机理进行了深入的分析。提出了防止腐蚀，提高器件气密可靠性的思路和方法。     

彩电中高压电解电容器的失效及机理

本文分析了高压铝电解电容器在彩色电视机中的失效情况,着重讨论了氯离子对阳极引出片的腐蚀问题。分析了污染源、腐蚀条件的形成、孔蚀与电解腐蚀及其相互关系以及NH_4OH所起的作用。     

铜丝键合在实际应用中的失效分析

研究并总结了铜丝键合塑封器件在实际应用环境中工作时发生的几种不同失效模式和失效机理,包括常见封装类型电路的失效,这些封装类型占据绝大部分铜丝键合的市场比例。和传统的实验室可靠性测试相比,实际应用中的铜丝失效能够全面暴露潜在可靠性问题和薄弱点,因为实际应用环境存在更多不可控因素。实际应用时的失效或退化机理主要包括:外键合点氯腐蚀、金属间化合物氯腐蚀、电偶腐蚀、键合弹坑、封装缺陷五种类型。对实际应用中的数据和分析为进一步改善铜丝键合可靠性、提高器件稳定性提供了依据。     

软盘服务例程的扩展与加密

本文讨论在保留原ＲＯＭＢＩＯＳ中软盘服务例程子程序ＩＮＴ１３Ｈ功能调用的同时，扩充了读ＩＤ域、读磁道、读删除数据和写删除数据４个子功能调用、为了引用方便，定义了各子功能的出入口多数及返问标志、这些子功能展现了磁道微观结构，在加密工程中有很大用途．     

辉光放电质谱仪直接测定超高纯镉中的痕量杂质元素

首次在国内报道了一种在无标准样品存在时，用辉光放电质谱仪VG9000（英国VG公司）直接且快捷地定量测定超高纯金属镉中痕量杂质元素的方法。该方法可获得用其它仪器分析无法达到的技术参数，也可应用于冶金或半导体工业中超高纯金属和半导体材料中痕量杂质元素的定量分析。     

GSM中的用户跟踪和设备跟踪

介绍了ＧＳＭ系统中用户跟踪和设备跟踪的概念，以及在ＧＳＭ电信管理网中如何实现用户跟踪和设备跟踪。     

LTE系统中基于ARM软件跟踪调试技术的研究与实现

本文论述了在LTE系统中基于ARM11内核的嵌入式跟踪调试技术。为了满足LTE系统中高速数据业务的需求,方便产品开发期间ARM子系统的运行流程控制和异常情况的定位分析,本文提出了一种可靠性高、性能强的实时跟踪调试技术方案。该方案的难点在于跟踪信息片内缓存的管理和嵌入式操作系统中高低优先级任务切换时跟踪信息的缓存处理方法,保证LTE系统的高速率运行和跟踪信息的时序性。     

一种全硬件动态指令翻译模型

文章在研究分析DAISY和Cruseo（tm）这两款处理器后，针对X86指令集系统提出一种全硬件的动态翻译模型.该模型用RISC内核实现X86操作，指令翻译和转换完全用硬件实现.对于X86指令长度不定，取指部件效率不高，该模型使用多队列取指：RISC内核的执行采用路径预测技术.它的优点是在兼容的基础上尽可能地提高处理器性能。     

手机触摸屏知识产权微量物证分析鉴定

触摸屏主要分为电阻式、红外线、电容式触摸屏等,而电容式触摸屏以透光率高、可支持多点触摸、寿命长的优点赢得了人们的喜爱。随着触摸屏技术的迅速发展,触摸屏类的知识产权侵权案件也经常发生。该类侵权主要通过将专利权利要求书中的某一项或几项技术特征进行一定的修改,从表面上实现不侵犯知识产权。我所运用科学的微量物证分析技术对电容式触摸屏的技术特征进行鉴定,为触摸屏的知识产权鉴定提供技术支持。     

Efficient co-simulation framework enhancing system-level power estimation for a platform-based SoC design

This paper proposes a hardware–software (HW-SW) co-simulation framework that provides a unified system-level power estimation platform for analyzing efficiently both the total power consumption of the target SoC and the power profiles of its individual components. The proposed approach employs the trace-based technique that reflects the real-time behavior of the target SoC by applying various operation scenarios to the high-level model of target SoC. The trace data together with corresponding look-up table (LUT) is utilized for the power analysis. The trace data is also used to reduce the number of input vectors required to analyze the power consumption of large H/W designs through the trade-offs between the signal probability in the trace results and its effect on the power consumption. The effect of cache miss on power, occurring in the S/W program execution, is also considered in the proposed framework. The performance of the proposed approach was evaluated through the case study using the SoC design example of IEEE 802.11a wireless LAN modem. The case study illustrated that, by providing fast and accurate power analysis results, the proposed approach can enable SoC designers to manage the power consumption effectively through the reconstruction of the target SoC. The proposed framework maps all hardware IPs into FPGA. The trace based approach gets input vectors at transactor of the each IP and gets power consumption indexing a LUT. This hardware oriented technique reports the power estimation result faster than the conventional ones doing it at S/W level.     

两个新的特征提取轨迹网络模型

稀疏轨迹网络利用输入模式时间序列形成类的轨迹,初步实现了空时联合不变性特征提取,但不同类别的轨迹可能重叠,不利于准确分类。本文首先将不同类别轨迹之间的距离等因素引入学习算法,对轨迹调整进行自适应优化,提出一种自适应轨迹神经网络模型：进而从神经元的特性出发,以自适应Ｓｉｇｍｏｉｄ函数包作为激活函数,改善不同类别在特特征空间分布情况,提出一种量子轨迹神经网络模型。模型在任意手写体数字识别上测试了特征提     

密钥序列设计的迹函数方法

迹函数方法在纠错编码中虽然早已被广泛应用，但是它应用于序列密码设计之中则只是最近几年的事情，由于多方面的原因，迹函数突然以惊人的速度渗入了序列密码的多个领域，而且还有迅速扩展之趋势，正是在这种背景之下，本文系统地综合分析了最近几年国内外有代表性的成果，并提出了一些个人观点和看法。     

退火气氛中痕量氧在反应形成Pt硅化物中的作用

利用X-射线衍射,XPS和AES技术深入地研究了退火气氛中氧对Pt硅化物薄膜的固相成分的影响,发现痕量氧引起硅和铂(Pt)的不完全反应.为了形成单相的PtSi膜,在退火过程中防止氧的沾污是非常重要的.