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70MHz的声表面波带通滤波器 据报道:美国Phono公司生产出了中心频率为70MHz的带通滤波器,这种滤波器有FB—70—2.2型和FB—70—5.1型两种。FB—70—2.2型主要技术指标:-1dB带宽为2.2MHz(最小);-3dB带宽为2.6MHz(最小);-40dB带宽为4.4MH2(最大)插损为24dB(最大);抑制为55dB。FB—70—5.1型滤波器主要技术指标:-1dB带宽为5.1MHz(最小);-3dB带宽为5.6MHz(最小);-40dB带宽为7.9MHz(最大);插损为24dB(最大);抑制为50dB。FB—70—2.2型每只售价为85.50美元;     

改进型3IDT-LCR结构的低损耗小矩形系数SAW滤波器

通过理论仿真,该文研制了一种改进型的3IDT-LCR结构,并基于该结构在42°Y-X LiTaO₃压电基片上研制出一种低损耗、小矩形系数的SAW滤波器。滤波器标称频率为253.75 MHz,实测插入损耗1.05 dB,低端带外抑制接近80 dB,高端带外抑制接近65 dB,-1 dB带宽10.52 MHz,-3 dB带宽12.54 MHz,-40 dB带宽16.68 MHz,矩形系数1.33。实测结果表明,该改进型3IDT-LCR结构的SAW滤波器具备低插入损耗、小矩形系数和高带外抑制的特点。     

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500—800MHz SAW滤波器 美国AT&T微电子公司推出的17型SAW滤波器,其工作频率范围为500—800MHz,中心频率为622.018MHz。滤波器插损为15.5dB;3dB加载Q值为800,移相度为-0.33°;振幅变化为1dB(最大):输入和输出的失配衰减分别为3dB和2.7dB;最大抑制为40dB;温度范围为-40—+30℃。器件适合于OC—12 SONET标准,采用小型22管脚的表面封装外壳。尺寸为16mm×3mm×10mm。     

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1GHz的微波SAW滤波器 最近,美国Thomson-ICS公司推出了FBN_900系列工作中心频率为1GHz,带宽为20—55MHz的低插损微波SAW滤波器。滤波器的插损小于10dB,波形因素接近于2.5∶1,采用TO—5外壳或表面封装。滤波器主要适用于较小体积、高稳定性和线性相位应用的需要。     

用双曲锥形换能器制作SAW滤波器组

双曲锥形换能器能从一个宽的换能器孔径中的某点激励一束窄的SAW滤波束,这束SAW的中心沿换能器空间成线性变化。当它发出一束SAW,这种换能器就能进行空间频率分选,这就使得它成为制作滤波器组或频率分离多路器。采用双曲锥形换能器实现了制作14信道的信号倍增器,其中心频率为180MHz,带宽120MHz,带外抑制40dB,插损19dB,而采用级联SAW滤波器结构阻带抑制超过80dB,插损大约在30dB左右。     

实用化静磁表面波带通滤波器研究

根据静磁表面波的基本理论建立了静磁表面波带通滤波器的设计模型 ,以实用化的静磁表面波带通滤波器为目标 ,重点考虑了静磁表面波带通滤波器的中心频率与带宽控制问题 .依据模型对滤波器进行了设计、制作和测试 .实际制作的滤波器性能指标为 :中心频率调谐范围为 4 .2～ 5 .2GHz、3dB带宽 180MHz± 6MHz、插损 11dB左右、带外抑制大于 30dB ,与理论设计结果基本一致 ,从而得到了实用化静磁表面波静磁波带通滤波器的原形 .进一步提高器件的中心调谐频率 ,在毫米波段将有广阔的发展前景 .     

文摘选辑

(一)声表面波技术 152 三个换能器结构的SAW滤波器的插损和三次渡越回波(TTE)——(Setsune K.)《电子通信学会论文志C》(日)J65C 12(1982)969—76 提出了一种三个换能器结构的SAW滤波器的改进设计,该设计实现了低插损和通带内大的三次渡越回波(TTE)抑制。在不同的电匹配条件下,从理论上研究了TTE和基片的耦合系数之间的关系。发现当耦合系数为0.25％最小值时,TV-VIF SAW滤波器通带范围内TTE抑制远大于40dB,插损大约为11dB。(声)     

基于DGS 结构的微带岔线型带通滤波器设计

本文介绍了一种基于缺陷地结构(DGS)的微带岔线型宽带带通滤波器的设计过程。此滤波器以四分之一波长的开路枝节型带通滤波器为原型进行设计和改进,引入了微带岔线和DGS 结构,在增加通带带宽和阻带带宽的同时,使滤波器的带外谐波抑制和带内回波损耗得到了很大的改善。采用HFSS 三维场仿真软件进行S 参数的仿真,从仿真结果可 以看出,所设计的带通滤波器中心频率为11.5GHz,其3dB 相对带宽大于50%,带内插损小于0.3dB。此外,在1-6GHz的第一阻带内,滤波器的带外抑制大于20dB,最大抑制度为52dB;在15-24GHz 的第二阻带内滤波器的带外抑制大于20dB,最大抑制度为46dB。整个滤波器尺寸仅为12mm × 16mm。     

新型CRLH传输线带通滤波器设计

设计了一种新型双负介质传输线结构,该传输线结构具有负的磁导率和负的介电常数,同传统的混合左右手(composite right/left-handed,CRLH)传输线相比,该结构以更简单的构成、更小的尺寸实现了更好的左手媒质特性。应用该结构设计制作了一个任意可调双频带谐波抑制带通滤波器,测量结果显示:该滤波器第一个通带位于2.45 GHz,具有0.5 dB的插损和56%(1 400 MHz)的3 dB带宽;第二个通带位于5.8 GHz,具有1 dB的插损和27%(1 600 MHz)的3 dB带宽。这种CRLH传输线滤波器在无线通信、导航等多频带微波系统中具有良好的应用价值。     

一种连续通带宽带双工器的研制

设计并制作了工作在2.2～2.8GHz的带状线结构3dB定向耦合器和2只通带分别为2.2～2.5GHz及2.5～2.8GHz的8阶微带发夹线结构带通滤波器,利用该耦合器和带通滤波器设计制作连续通带宽带双工器,并通过ADS进行仿真。由仿真结果可知,在2.2～2.8GHz双工器全频带内输入端口的反射系数S11均优于-17.00dB,通带2.2～2.5GHz带内插损S21最优为-2.09dB,通带2.5～2.8GHz带内插损S31为-2.53dB,其中两通带的交接点2.5GHz处插损约-6.5dB。实测结果与仿真结果基本吻合。     

基于互补螺旋谐振器的SIW带通滤波器设计

在基片集成波导(SIW)结构中加载了互补螺旋谐振器(CSR),实现了具有超宽带外抑制的带通滤波器。CSR是复合左右手结构的一种,其等效电路与互补开口谐振环(CSRR)的相似,但CSR结构更加紧凑,设计更加灵活。SIW具有与传统金属波导相似的结构特点和分析方法,但它体积更小,且更容易与其它平面电路结合。将两个CSR单元加载到SIW中,会产生一个低于SIW截止频率的通带。调整两个CSR单元的位置,会在通带的两侧分别产生一个传输零点。本文设计的带通滤波器较传统的SIW滤波器体积更小,并且具有更宽的带外抑制。根据测试结果,滤波器的中心频率为7.68GHz,3dB带宽为394 MHz,带内插损最小值为1.91dB,带外抑制在9~18GHz范围内优于30dB。     

基于LTCC的超宽带巴伦滤波器小型化设计

该文设计了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化超宽带巴伦(Balun)滤波器。该巴伦滤波器由一个五阶带通滤波器和基于Marchand巴伦改进型巴伦级联组成,带通滤波器采用耦合谐振式的设计方法,设计成宽带高抑制巴伦滤波器,在二阶、三阶和四阶谐振之间创新采用电感级联的拓扑结构,使相对带宽在48%以上。巴伦输入与输出之间的耦合采用一种并联堆叠式耦合螺旋传输线,增强了传输线之间的耦合,并拓宽了巴伦的带宽。结果表明,该巴伦滤波器通带为1.71~2.76 GHz,插损均小于2.3 dB;在50~669 MHz,抑制大于35 dB;在669~1 245 MHz,抑制大于17 dB;在3 205~3 400 MHz,抑制大于27 dB;在3 400~6 000 MHz,抑制均大于30 dB。两个输出端口信号的相位差和幅度差分别为180°±15°(1 710~2 340 MHz)、180°±10°(2 500~2 760 MHz)和±1.0 dB,具有较高的通用性和良好的应用市场。     

圆形IDT结构声表面波滤波器的设计与实现

采用硅基AlN薄膜作为压电衬底,利用改进的δ函数模型对变迹加权圆形IDT结构进行建模仿真,根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,并在实验室制作了中心频率为300 MHz,带内插损8 dB的SAW带通滤波器样品。测试结果表明,其仿真结果与试验结果一致性较好。     

国外简讯

美国声子公司生产出一种FB70-40型70MHz SAW带通滤波器,其3dB带宽最小为40MHz,35dB带宽最大为52MHz.在5-48MHz和96—180MHz带宽范围内的抑制为35dB,插入损耗小于36dB.器件用具有14个管脚的双列直插式封装.售价99美元.     

基于LTCC工艺的小型化可调频带通滤波器的设计

设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化带通滤波器。采用两谐振器之间的耦合效应,减小了器件的尺寸。在HFSS中建立滤波器模型并仿真,滤波器的中心频率为1.07 GHz,带宽为428 MHz,回波损耗大于22 dB,2 f_0处抑制大于45 dB,整体尺寸仅为6.5 mm×4 mm×0.9 mm。在此滤波器上模拟表贴变容二极管来调节两个谐振器中的电容实现中心频率可调。结果表明,滤波器的中心频率在1.05~1.23 GHz内连续变化,在中心频率变化过程中插损始终小于1 dB,回波损耗始终大于15 dB,2f_0处抑制大于45 dB。     

一种具有边带陡峭特性的超窄带滤波器

应用LTCC技术,设计了一款带通滤波器。采用开口环谐振结构作为基本谐振单元,利用谐振级之间的耦合产生传输零点,实现边带抑制。给出了开口环谐振结构的等效电路分析,滤波器的通带中心频率为23.2 GHz,3-dB带宽为600 MHz,具有很窄的相对带宽,3-dB相对带宽仅为2.6%。对滤波器进行仿真和优化,结果表明,通带22.9~23.5 GHz内插损小于3 dB,低阻带10~21.1 GHz的衰减大于45 dB,高阻带25.3~40 GHz的衰减均大于30 dB。该滤波器的尺寸为4 mm×3.5 mm×0.45 mm,具有非常好的窄带特性和边带抑制特性。     

级联型声表面横波滤波器

该文介绍了在压电石英基片上具有一阶温度系数为0的声表面横波滤波器,制作出高频、高带外抑制窄带滤波器,并采用两只声表面横波滤波器联级后的方式,提高带外抑制性能。测试结果表明,滤波器的频率为1 219.4 MHz,损耗为9.38 dB,-1 dB带宽为0.743 MHz,-3 dB带宽为1.06 MHz,-40 dB带宽为2.94 MHz,群延时波动在偏离中心频率-100～100 kHz时的值小于100 ns,且输入、输出端驻波均小于2。     

具有良好选择性及带外抑制的小型低通滤波器

本文提出了一种具有良好选择性以及宽带带外抑制的小型低通滤波器结构。滤波器的每一级由一段微带线和交指电容构成。基于对每一级结构的分析,我们可以确定通带的范围。为了进一步提高带外的抑制性,对单级滤波器进行了周期性的级联。通过产生多个带外衰减极点来实现带外的宽带抑制。此滤波器3dB 截止频率3.67GHz,带内插损-0.9dB,带内回波损耗低于-13dB。通带到阻带的选择度为160dB/GHz。带外抑制从3.8GHz 到13.1GHz 低于-20dB。     

低损耗射频SAW滤波器的设计

采用42°Y-XLiTaO3基片,利用耦合模(COM)模型和P矩阵级联的方法对低损耗声表面波(SAW)梯形滤波器进行仿真设计。通过分析SiO2厚度对滤波器中心频率偏移的影响、建立等效电路模型对封装进行仿真,成功地设计制作了一款中心频率为1 575MHz,带外抑制大于20dB,最低插入损耗为-1.2dB的四级SAW梯形滤波器,测试结果与仿真结果相吻合。     

基于枝节加载环形谐振器的双频带滤波器

该文提出了一种新型的非对称枝节加载环形谐振器,并研究了该谐振器的性质。基于提出的谐振器设计了一款双频带通滤波器,并进行了测试。测试结果表明:滤波器的两个通带的中心频率分别为2.38 GHz和5.19 GHz,带宽分别约为140 MHz和90 MHz,带内插损分别小于1.7 dB和2.2 dB,回波损耗分别大于15 dB和12 dB。4个传输零点按频率由低到高分别为1.78 GHz,3.34 GHz,4.98 GHz和5.96 GHz,这些零点极大地提高了滤波器的选择性。