ZST微波陶瓷在贴片式介质滤波器上的应用研究

研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。并介绍了用掺入玻璃的ZST系微波陶瓷材料制作贴片式介质滤波器的方法；分析了影响滤波器尺寸的主要因素。通过对制造的滤波器测试结果表明：其尺寸和电性能满足设计要求。     

(Zr0.8Sn0.2)TiO4(ZST)微波介质陶瓷微波烧成工艺研究

分别采用传统的电热烧结和微波烧结制备了ZST微波介质陶瓷,研究了烧结温度对介质陶瓷烧结性能、微观结构、相组成和微波介电性能的影响。结果表明:与传统电热烧结相比,在所得材料密度近似的情况下,微波烧结能降低烧结温度约70℃、缩短烧结时间2.5h,所获材料密度分布的标准差大大减小;微波烧结后材料由(Zr0.8Sn0.2)TiO4斜方晶单一晶相组成,随温度升高,无新相产生;微波烧结所得材料的晶粒尺寸均匀、结构致密;材料的介电常数和品质因数随着微波烧结温度的提高而增大,对应数值分别比传统烧结方式提高17.5%和14.3%左右。     

ZnO和Na2O对CaO-B2O3-SiO2介电陶瓷结构与性能的影响

研究了烧结助剂ZnO和Na2 O对CaO -B2 O3 -SiO2 (CBS)系微波介质陶瓷介电性能、相组成及结构特性的影响。烧结助剂ZnO在烧结过程中与B2 O3 及SiO2 生成低熔点玻璃相 ,有效地降低了材料的致密化温度 ,烧结机理为液相烧结。碱金属氧化物Na2 O虽然能够有效降低材料的烧结温度 ,但会破坏硅灰石晶体结构 ,引起材料微波性能显著降低。通过实验 ,制备出了具有优良微波介电性能的陶瓷材料 ,适用于LTCC基板及滤波器等高频微波器件的生产     

Ba_2Ti_9O_(20)微波陶瓷在贴片式介质滤波器上的应用研究

用传统固相法制备了Ba2Ti9O20微波陶瓷,研究了Ba2Ti9O20微波陶瓷的组成对介电性能的影响,通过XRD和HP8714ET网络分析仪对其晶体结构和微波介电性能进行了研究,实验结果表明:少量掺MnCO3和ZrO2的Ba2Ti9O20陶瓷材料可把烧结温度降低到1260℃,微波介电性能较好;当ZrO2的加入量为0.1wt%且MnCO3加入量为0.15wt%时,其介电性能最佳的致密化烧结温度为1280℃,可以得到:ε=37;tanδ=3×10-4;τc=-28×10-6/℃。用Ba2Ti9O20陶瓷制成的贴片式介质滤波器测试,其电性能满足设计要求。     

(Zr1-xSnx)TiO4(ZST)微波介质陶瓷制备技术及其应用的研究进展

本文介绍了ZST微波介质陶瓷的性能、微观结构，总结了近年来有关ZST微波介质陶瓷制备技术及其应用的研究进展，主要包括粉末制备、烧结、后处理以及性能预测等方面，指出了ZST介质陶瓷的发展方向。     

(Zr_(1-x)Sn_x)TiO_4(ZST)微波介质陶瓷制备技术及其应用的研究进展

本文介绍了ZST微波介质陶瓷的性能、微观结构,总结了近年来有关ZST微波介质陶瓷制备技术及其应用的研究进展,主要包括粉末制备、烧结、后处理以及性能预测等方面,指出了ZST介质陶瓷的发展方向。     

均相法制备SnO_2-ZrO_2/ZST陶瓷及其Q值的研究

以ZrOCl2·8H2O和SnO2为原料,用均相共沉淀法制备纳米ZrO2包裹SnO2粉体(SnO2-ZrO2),再以SnO2-ZrO2粉体、SnO2、TiO2和ZrO2为原料,用固相法制备(Zr0.8Sn0.2)TiO4(ZST)陶瓷。TEM观察证明:SnO2-ZrO2粉体是纳米ZrO2包覆微米SnO2粉体。用该粉体制备的ZST陶瓷研究表明:SnO2-ZrO2粉体能降低ZST陶瓷烧结温度和改善介电性能。XRD和SEM分析表明,ZST陶瓷的主晶相是单相(Zr0.8Sn0.2)TiO4;用SnO2-ZrO2(Sn4+/Zr4+摩尔比为13.07∶1)取代SnO2的陶瓷显微结构呈现出发育良好的晶粒,分布均匀,气孔少。在烧结温度为1270℃时,得到了Q值为4390(10 GHz),εr为36.8,τf为-3.1×10-6/℃的微波介质陶瓷。     

BST/MgO系铁电移相材料微波电性能的研究

采用正交设计实验方法分析了SnO2、MnCO3、B i2O3和A l2O3添加量对BST/MgO系铁电移相材料微波电性能影响。实验结果表明:SnO2的引入促进样品烧结,有助于降低低频和微波损耗,但过多的加入会产生第二相,会使微波损耗上升。Mn受主取代Ti产生空穴等缺陷,不利于微波损耗的降低,而等价取代类似SnO2的情况,有助于降低微波损耗,但过多的加入会产生第二相,也会使微波损耗上升。B i2O3对材料微波电性能有显著的影响,从离子半径匹配角度,B i2O3一般出现在晶粒间,形成玻璃相,一方面促进烧结,使致密化提高,低频损耗变小;另一方面低熔点的玻璃相引起微波损耗急剧上升。A l2O3对材料电性能影响不显著。     

BaO-Ln2O3-TiO2系高介电常数微波介质陶瓷的研究进展

简要叙述了BaO-Ln2O3-TiO2系微波介质陶瓷的结构研究情况,介绍了近年来该体系不同离子A、B位取代对微波介电性能的影响,最后提出了该材料需要进一步解决的问题和发展前景.     

BaO-TiO2-Nd2O3微波陶瓷材料介电性能的改善研究

研究了影响BaO -TiO2 -Nd2 O3微波陶瓷材料介电性能的机理 ,通过用Pb和Bi对BaO -TiO2 -Nd2 O3微波介质材料进行掺杂改性 ,得到了一种工艺稳定 ,品质因素Q值高 ,τf(谐振频率温度系数 )低 ,烧结温度较低 (12 70℃ )的微波陶瓷材料。该材料可用于制作介质滤波器及分米波通信设备用的小型、轻量的片式元器件     

氧化锌和铅硼玻璃料对MgTiO3微波介质陶瓷的影响

研究了氧化锌和铅硼玻璃料的加入对MgTiO3微波介质陶瓷的烧结和微波介电特性的影响。结果表明：氧化锌和铅硼玻璃料均可以使MgTiO3微波介质陶瓷的烧结温度降低，在等量添加的条件下，铅硼玻璃料降低烧结温度的效果更佳，可使烧结温度降至1200℃，且器件在2－6GHz的频率范围内具有良好的介电性能。     

980MHz四级式介质滤波器的研究

研究了用高介电常数介质谐振器设计滤波器的方法和制造工艺，分析了影响谐振器持入衰耗的主要因素。在陶瓷基片上形成电容耦合，制造了四级式低损介质谐振器滤波器。滤波器测量结果表明，能满足设计要求。     

原材料和制备工艺对硅酸锌陶瓷微波介电性能的影响

为了提高硅酸锌介质陶瓷的性能,研究了添加物、原材料和制备工艺对其微波介电性能的影响。采用固相法、并以去离子水代替乙醇作分散剂制备陶瓷粉料,闭腔法测量其无载Q值和频率温度系数。研究结果表明原材料的粒度、球磨工艺和烧结温度对Q.f值影响大,添加物TiO2不仅调节频率温度系数(τf),而且促进陶瓷烧结。当TiO2(wt%)12%,1240℃烧结时,获得优良的微波介电性能:介电常数(εr)为10.2,Q.f=91640GHz,τf=-5.78ppm/℃。并用该组成的材料制作了中心频率f0=5.4GHz,带宽Δf=96MHz,插损小于1.3dB的两级片式介质带通滤波器,可以用于通信系统。     

1015MHz同轴介质谐振器滤波器的研究

研究了介质谐振器滤波器的设计方法和制造工艺，分析了影响谐振器插入衰耗的主要因素。在陶瓷基征睛形成电容耦合，制造了五级式高阻带、低损耗介质谐振器滤波器。滤波器测量结果表明，能满足设计要求。     

微波介质陶瓷的界面特性及其对介电性能的影响

详细地总结了界面的偏析、扩散和润湿性对微波介电性能的影响机理。并评述了粉末的初始状态、烧结工艺、添加剂(掺杂)和烧结方法等因素对材料界面特性的影响，进而影响到材料介电性能的研究进展。最后指出了在微波介质陶瓷界面研究领域面临的问题及今后的发展方向。     

固有烧结温度低的Li基微波介质陶瓷材料

低温共烧陶瓷是近年来微波介质陶瓷材料发展的一个主流方向。固有烧结温度低的介质材料,由于其本身具有低的烧结温度以及优良的微波介电性能,因而,受到了研究者们的广泛关注。文中综合介绍了目前热点研究的固有烧结温度低的Li基CaO-Li2O-Nb2O5-TiO2以及Li2O-Nb2O5-TiO2系陶瓷材料;尤其对Li2O-Nb2O5-TiO2系微波介质材料的结构、微波介电性能等进行了详尽的讨论,分别讨论了具有高介电常数、中介电常数以及低介电常数的各种锂铌钛系陶瓷材料。同时也指出了目前对Li基陶瓷材料结构与性能之间的关系缺乏系统研究以及部分Li基材料的绝缘性能欠佳等问题。     

Cryogenic Microwave Dielectric Properties of Sintered (Zr0.8Sn0.2)TiO4 Doped with CuO and ZnO

The effect of CuO on the sintering temperature, microstructure, and the microwave dielectric properties of (Zr_0.8Sn_0.2)TiO₄ (ZST) has been investigated. The microwave dielectric properties of the ZST ceramics have been measured at cryogenic temperatures (15–290 K). The crystallite sizes of the sintered ZST ceramics are in the 30–50-nm range. The addition of CuO effectively reduced the sintering temperature to 1300°C due to the liquid-phase effects. The addition of CuO did not cause any secondary phases up to 1.5 wt% of CuO. It is found that the quality factor ( Q ) of the sample without CuO decreased with an increase in temperature, whereas the samples with the addition of CuO up to 1.0 wt% showed less dependence on temperature at cryogenic temperatures. The microwave dielectric properties of the ZST ceramics measured at cryogenic temperatures exhibited a Q factor of 15 000 for pure ZST and 11 800 for ZST with 0.5 wt% of CuO at 15 K. The increase in Q factor at cryogenic temperatures can be attributed to the reduction in both intrinsic and extrinsic losses in the ZST ceramics.     

Bi基微波介质材料研究进展

低温烧结微波介质陶瓷是近年来电介质材料方面的一个重要研究方向,也是发展片式多层微波器件的基础材料.Bi基材料具有较低的烧结温度和优良的介电性能,因而受到了广泛的关注.据此,对不同介电常数Bi基微波介质材料体系的研究进展及应用作了综合介绍,并分析了低熔点氧化物掺杂、离子取代对不同体系微波介质材料结构、介电性能的影响.