淀积条件对化学淀积PbS光电导特性的影响

本文研究了淀积时间和淀积溶液中氢氧化物和铅离子浓度对于化学淀积PbS膜光电导特性的影响。从时间常数、噪声和电阻的测量可以看出,淀积条件决定着俘获中心的数量以及载流子密度。在制备的条件下,俘获中心和PbS晶格中淀积的过量铅原子有关。     

二氯硅烷外延工艺的进展

本文讨论了关于采用二氯硅烷淀积外延硅的新近研究。另外,介绍了应用二氯硅烷淀积多晶硅和氮化硅膜的情况。当淀积温度变化时,用二氯硅烷淀积硅膜的淀积速率变化很小。在高淀积速率以及比四氯化硅低100℃的温度下能生长结晶质量优良的均匀外延层。讨论了与其它硅烷相比二氯硅烷的经济优点。同时列出了有关物理性质和操作技术的内容。     

二氧化硅膜的减压淀积

我们在一个减压CVD反应器中,于700～750℃下用四乙氧基硅烷(TEOS)分解法,在硅衬底上淀积出了二氧化硅膜。淀积速率为200～300埃/分。在能装载100片的淀积区,淀积膜厚的均匀性优于1％。台阶覆盖性良好,缺陷密度很低,膜的应力是压应力而且很小。膜的折射率,红外质谱和密度与常压淀积的二氧化硅膜相同。系统中添加磷化物使淀积速率增加,膜厚的均匀性变坏。因此,这种反应并不能适用于淀积集成电路所用的掺磷二氧化硅膜;然而,对非掺杂的二氧化硅膜淀积工艺来说,这种反应似乎是一个很好的工艺过程。     

磷硅玻璃膜的等离子活性淀积及特性

研究了由等离子体活化反应系统(P—PSG)淀积的磷硅玻离膜。分析了对应不同淀积参数的P—PSG的基本特征。在该等离子体淀积方法中,利用反应气体SiH_4、PH_3和N_2O进行淀积, P—PSG有高的淀积速率〔大约为百分之10(W/O)P摩尔重量〕。用这种方法淀积的P-PSG膜与常压下(AP-PSG)淀积的常规PSG膜比较,显示出良好的薄膜性能,如在热处理期间具有较强的抗裂性,保真的台阶覆盖和可控的压应力等。     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在 U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上 ,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型 .该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响 ,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下 ,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期 .模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合 ,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程 .     

激光淀积: 一定会发展

激光淀积可把径向尺寸小的薄膜结构直接记录到基片上。图1表示普通激光淀积试验装置。激光淀积虽有几种，但一般可很方便地分成两类，即热和光化淀积。     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型.该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期.模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程.     

VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积

介绍了大规模集成电路中两种ＣＶＤ二氧化硅膜的淀积，并对这两种二氧化硅膜的淀积方式及其性能进行了比较。指出ＴＥＯＳ淀积方式，是今后集成电路中ＳｉＯ２淀积的主流工艺。     

PVD淀积速率理论

本文建立了PVD淀积速率与光源功率以及淀积时间关系的理论,发现理论与薄膜厚度关于淀积时间关系的实验结果相符合。     

光诱导化学汽相淀积非晶硅薄膜及其在太阳电池中的应用

本文较系统地评述了光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术淀积非晶硅薄膜的开发现状,主要介绍了LCVD淀积非晶硅薄膜 的机理.评价了LCVD淀积非晶硅薄膜的电学和光学特性,最后介绍了这种薄在制备晶硅太阳电池方面的应用.     

激光诱导化学气相淀积SiO_2薄膜

已经证明,用气相施主分子,可以快速（3O00A/分）的进行光化学淀积二氧化硅。利用ArF激光器（193nm）来激励并离介硅烷（SiH_4）和笑气（M_2O）分子进行淀积,与早期的用汞灯不相干光进行辐照淀积氧化物相比,其淀积速度快,可达到汞灯的20倍的淀积速率,在特定范围内,受离介反应的限制。并受紫外光（UV）对衬底直接碰撞的影响。     

激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.     

钝化膜的低温等离子体淀积

硅烷气体分别和氮气、氧化亚氮(N_2O)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度,在常温至350℃的条件下淀积了氮化硅和二氧化硅。 本文给出了在不同射频功率,淀积温度和硅烷气浓度条件下所得的淀积速率,薄膜腐蚀速率、折射率等主要实验数据以及红外透射光谱、俄歇电子能谱分析结果。     

LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析

叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象.     

Ti的激光化学汽相淀积

用1.4kW_cwTEM_ooCO_2激光分解TiBr_4,使Ti淀积在不锈钢基体上。对膜的厚度和淀积速率作为TiBr_4的分蒸气压、辐射时间和室温的函数进行了研究。得到比用化学汽相淀积制作的纯Ti膜大两个数量级的淀积速率(190μm/h)。另外,用俄歇电子谱、扫描电     

Si1-x-y GexCy的淀积工艺和材料特性

研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-yGexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减少量的方法。在单晶硅、图形硅片α-Si和光片α-Si表面Si1-x-yGexCy上淀积的Si1-x-yGexCy薄膜的表面形貌不同,在单晶硅上成长的是单晶态的Si1-x-yGexCy,在除单晶硅之外的材料上成长的都是多晶态的Si1-x-yGexCy,多晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率高于单晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率。多晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率高于单晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率,造成了淀积工艺完成后有源区CD的减少。利用低温淀积工艺和控制浅沟槽隔离(STI)凹陷的深度,可以有效减少由于淀积Si1-x-yGexCy薄膜造成的有源区CD减少量。同时,研究了碳组分对硼扩散的抑制作用,碳组分越高,对硼扩散的抑制作用越大。     

采用等离子增强TEOS工艺淀积硅氧化层

美国电报电话公司贝尔实验室的研究人员研究了一种采用四乙氧基硅烷(TEOS)定向淀积硅氧化层的工艺。先前的研究显示,硅氧化层的台阶复盖随O_2:TEOS气体流量比而变化,在传统的富氧条件下不可能进行定向淀积。在上个月在加州圣克拉腊召开的VLSI多层互连会议上,他们报道了通过控制淀积的化学过程进行定向淀积的最新研究成果。     

室温下用离子束辅助淀积法在衬底上镀制MgF_2膜

实验在真空度为2×10~(-4)Pa的普通扩散泵浦高真空室中淀积MgF_2膜。当离子源工作时,这真空度降到10~(-2)Pa(充了氩气)。膜淀积在热源上方40cm处的25×12mm石英玻璃和PMMA衬底上。Kaufman型离子枪在衬底下方30cm处,与衬底法线成30°角。加了负偏压的1cm~2的离子探针用陶瓷架同蒸发物流隔开。淀积速率和膜的厚度用石英晶体控制。膜均以5A/Sec的速率淀积。参考膜不用离子束辅助法制作:一组淀积在室温衬底上,另一组淀积在加热到300℃的衬底上。用离子束     

半导体器件制造技术(八)

在半导体器件和集成电路中,需要应用多种金属薄膜和介质薄膜,金属膜用作器件内部电极的欧姆接触和延伸引出,集成电路各组元件之间的低电阻连接等。介质膜用作集成电路中多层布线的介质绝缘等。这些薄膜一般都采用真空淀积的方法制作。因为此淀积过程在真空中进行,可以得到器件所需要的高纯膜,也可避免器件表面被沾污。同时,淀积可以在低温下实现,因此,淀积过程不至引起器件内部结构的变化。一般地说,真空淀积可分成蒸发和溅射两种不同的方法。     

氧对多晶硅膜电特性的影响

研究常压淀积后4200A磷掺杂的多晶硅膜厚作为淀积速率的关系。利用电子微探针分析测定建立了淀积速率和多晶硅膜中氧含量之间的关系。从而说明淀积速率对膜的电特性和晶粒大小的影响。对于淀积速率低于400A/分的膜研究了氧含量大约是膜重量的1％,重量比约为1％的浓度的氧含量在高温过程中抑制晶粒生长,并且由于对膜性能的影响载流子浓度和(?)耳迁移率下降而使方块电阻增加。