金属颗粒调制的复合碳纳米管电子器件的构建和特性测量

利用传统微电子加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件.电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米管电子器件的独特性能.     

金属颗粒调制的复合碳纳米管电子器件的构建和特性测量

利用传统微电子加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件.电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米管电子器件的独特性能.     

一种简便的制备碳纳米管装填Fe纳米丝的方法

自1991年Ijima发现碳纳米管以来，人们对碳纳米管及其复合物的关注方兴未艾。在碳纳米管中装填金属纳米丝，可能会改变它们的电学性质，增强金属纳米丝的机械强度和化学稳定性，这种复合结构可用作纳米电子器件中的导线、纳米电极及探针，特别是有希望在磁记录材料上得到应用，开展这方面的研究有重要的意义。到目前为止，已有一些将金属装入碳纳米管的物理和化学方法。     

纳米电路一新时代的电器

在《自然一材料学》上，科学家报告了完全用碳纳米管制作的第一个电子开关和逻辑器件。Prabhakar Bandaru和同事的工作首次表明：可以在不使用金属栅控制电流的情况下制造纳米电子器件。     

半导体器件的发展与固态纳米电子器件研究现状

简要回顾了半导体电子器件由真空电子管到固体晶体管,直至纳米电子器件的发展历程。分别比较了不同的半导体电子器件的材料、理论和所采用的制备技术。在此基础上综述了当前较热门的纳米电子学和固态纳米电子器件,并由纳米器件的分类简单介绍了当前固态纳米电子器件的三个部分,即量子点、谐振隧穿器件和单电子晶体管。最后对半导体器件的发展提出了展望。     

碳纳米管与外电路的连接技术进展

首先,介绍了碳纳米管电子器件应用中的关键工艺技术——碳纳米管与外电路的连接技术,回顾了碳纳米管与外电路装配的发展历程。从碳纳米管在电极间的随机连接到电场定位组装和原子力显微镜的可控操纵,描述了各种装配方法的特点。其次,讨论了碳纳米管与外电路连接的可靠性问题,并介绍了电子束、扫描探针显微镜和超声波等多种改善接触性能的焊接方法。最后,简单展望了碳纳米管与外电路连接的发展趋势,指出数目可控的碳纳米管组装技术和规模化的焊接工艺是今后研究工作的重点。     

纳米电子／纳米光电子技术

主要介绍纳米技术领域里纳米电子学／纳米光电子学的基本概念、纳米电子学的分类、纳米电子器件、纳米光电子器件、纳米电子学和纳米光电子学的发展模式以及纳米高技术群。     

纳米电子/纳米光电子技术

主要介绍纳米技术领域里纳米电子学/纳米光电子学的基本概念、纳米电子学的分类、纳米电子器件、纳米光电子器件、纳米电子学和纳米光电子学的发展模式以及纳米高技术群。     

固体纳米电子器件和分子器件

综述了两类纳米电子器件———固体纳米电子器件和分子电子器件的定义、分类方法及特点,并提出发展纳米电子器件的几点建议。     

纳米电子器件与纳米电子技术

介绍了纳米电子器件与纳米电子技术的概念以及纳米电子器件的分类;综述了现有的光刻、外延、SPM、特种精细加工等相关的纳米电子器件制备与加工技术;阐述了纳米电子技术中急需解决的若干关键问题。     

纳米线、纳米管器件在逻辑电路中的应用

本文报导了几种以碳纳米管和半导体纳米线为基础的电子器件和逻辑电路，如：碳纳米管场效应管、纳米线逻辑门电路等。同时，通过比较传统半导体器件和纳米器件，分析了这些纳米器件的特点。在室温下，这几种纳米电子器件和电路均有良好的电学特性。     

透射电镜下纳米材料的操纵

纳米材料以其不同于体材料的优异性能和广阔的应用前景成为材料和物理学研究的热点。纳米材料的性能与其结构密切相关，例如纳米碳管，可以表现为半导体性或金属性。传统的测量手段只能分别得到结构和性能的信息，无法满足纳米材料研究的需要，而且，作为未来电子器件的基本构成单元，纳米材料的原位操控和测量对纳米材料的性能研究和进一步构造新型电子器件也是非常有益和必要的。     

基于碳纳米管的场效应晶体管研究获新进展

在国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下，化学所有机固体院重点实验室等在基于碳纳米管的场效应晶体管研究领域取得新进展。基于碳纳米管的电子器件是纳米电子学的热点研究课题之一，具有重要的科学意义和应用前景。场效应晶体管是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，是微电子学中最重要的单元器件之一。     

基于碳纳米管的微纳机电器件应用研究

综述了近年来碳纳米管在微纳传感器、纳米发电机、纳米执行器、纳米电子器件、纳米收音机与薄膜扬声器等方面取得的瞩目成果及典型应用,介绍了基于碳纳米管的微纳机电器件的制造工艺、器件性能及其研究进展,指出了碳纳米管基微纳机电器件在多元化发展、工艺多样化、材料复合化、产业化工程等方面的发展趋势。     

国际视点

正技术提取纳米管以制备性能优异的电子器件斯坦福大学的研究人员开发出一项新技术可大力推进半导体碳纳米管的商业应用潜力,其可用于印刷电路、可弯曲的显示屏、伸缩式电子元件和太阳能系统。斯坦福大学副教授Zhenan Bao与加州     

纳米器件的发展动态

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。     

纳米电子器件

概述了用于超高密度集成电子计算机的纳米尺寸电子开关器件的研究进展。讨论了场效应晶体管的两类替代物：（１）量子效应的单电子固态器件；（２）分子电子器件。提出了每一类器件的分类方法，描述了其在工作原理并对各种器件进行了比较。     

大功率微波真空电子器件的发展及应用

本文给出了大功率微波真空电子器件的发展及应用情况。海湾战争证明,微波管仍然是现代军事电子装备的关键器件,其性能的不断改进,大大增强了电子战和雷达系统的成力。真空微电子技术和相对论电子学为微波真空电子器件的发展,奠定了更为广阔的基础。     

ZnS一维纳米结构中的高密度孪晶

一维纳米材料在纳米电子器件和光电子器件方面具有潜在的应用前景,因此,近年来有关一维纳米材料的研究吸引了许多科研小组的兴趣。已经制备出各种一维纳米构态例如纳米线、纳米带等。在众多已制备的一维纳米材料中,ZnS作为一种宽带系半导体在很多领域有着广泛的应用。它可以用在光学涂料、固态太阳能电池、光电调节器,光电导元件、场效应晶体管,     

场发射技术在强流真空电子器件中的应用

阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷。以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性能上显示了卓越的潜力。本文回顾了基于CNT、场发射阵列等场发射阴极的强流器件(微波管、X射线管等)的发展现状,并对场发射技术存在的不足和可能的解决途径进行了讨论。