Pb（Mg_（1／2）W_（1／2））O_3－PbTiO_3－PbZrO_3陶

研究了Ｐｂ（Ｍｇ＿（１／２）Ｗ＿（１／２））Ｏ＿３－ＰｂＴｉＯ＿３－ＰｂＺｒＯ＿３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ⅰ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．２７０）Ｗ＿（０．３６７）Ｔｉ＿（０．１７８）Ｚｒ＿（０．１８２））Ｏ＿（３．０９１）；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．１０９）Ｗ＿（０．１８７）Ｔｉ＿（０．２０４）Ｚｒ＿（０．３４０）Ｏ＿（２．７５８）。两相居里点分别为：Ｔ＿（ｃＩ）＜－６５℃，Ｔ＿（ｃＩ）＝１０５℃，图像处理得到两相的面积比为：Ｓ＿Ⅰ＝６８．６４％，Ｓ＿Ⅱ＝３１．３６％。按３－３模型复合，得到两相体积比为：７６％、２４％。复合相的介电性能符合Ｘ７Ｒ要求，｜ＴＣＣ｜≤１２％，且介－温曲线与原材料有相同的规律。     

Pb（Mg1／2W1／2）O3—PbTiO3—PbZrO3l陶瓷的化学不均匀性和介电行为的…

研究了Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３－ＰｂＺｒＯ３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ｉ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ０．２７０Ｗ０．３６７Ｚｒ０．１８２）Ｏ３．０９１；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ０．１０９Ｗ０．１８７Ｔｉ０．２０４Ｚｒ０．３４０）Ｏ２．７５８。两种居里点分别为：ＴＣＩ〈－６５℃，ＴＣＩ＝１０５℃，图像处理     

溶胶－凝胶法制备含PbTiO_3微晶的玻璃陶瓷

采用溶胶－凝胶工艺低温合成含有Ｐｂ、Ｔｉ成份和玻璃相组成成份的均匀透明凝胶，并通过热处理在凝胶玻璃中原位生长出纯净的铁电ＰｂＴｉＯ３微晶．利用热分析手段和ＩＲ谱分析了凝胶在热处理过程中有机基团的分解及内部元素键合方式的演变．结合ＸＲＤ和ＳＥＭ研究了钛酸铅微晶在凝胶玻璃中的生长历程．概括了凝胶玻璃组成对钛酸铅结晶结构和结晶行为的影响．并阐述了溶胶－凝胶法制各铁电玻璃陶瓷的意义．     

LCMAS微晶玻璃／Y－TZP复相材料

本工作对ＬＣＭＡＳ微晶玻璃／Ｙ－ＴＺＰ复相材料在不同的烧结温度下所出现的晶相进行了研究，发现材料在烧结温度下，Ｙ－ＴＺＰ中的ＺｒＯ２与微晶玻璃中的ＳｉＯ２发生化学反应生成锆英石（ＺｒＯ２·ＳｉＯ２），少量Ｙ－ＴＺＰ的加入起不到相变增初作用．由于Ｙ－ＴＺＰ起到微晶玻璃晶核剂的作用，仍能使材料的抗折强度和断裂韧性得到大幅度的提高．当Ｙ－ＴＺＰ含量为９５ｗｔ％时，复相材料的抗折强度和断裂韧性分别为６３１ＭＰａ和８．４ＭＰａ．ｍ１／２．     

硬盘基板用微晶玻璃的析晶过程研究

利用差热分析、热膨胀曲线与Ｘ射线衍射等方法研究了含ＴｉＯ_２和ＺｒＯ_２的 ＭｇＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２玻璃的析晶过程．７８０℃时玻璃中析出的镁铝钛酸盐促使玻璃在８００℃析出Ｍｇ－透辉石,随后在 ９３０℃Ｍｇ－透辉石和镁铝钛酸盐开始向假蓝宝石、金红石和Ｚｒ／Ｔｉ固溶体转变;１０３０℃假蓝宝石开始转变为β－石英固溶体,而在１１２５℃以上温度,β－石英固溶体转化为α－堇青石、方石英和顽火辉石,同时金红石和Ｚｒ／Ｔｉ固溶体向锆英石和钛酸镁转变．依据玻璃析晶序列,选择在９３０～１０５０℃间温度下对玻璃进行热处理,制得以假蓝宝石为主晶相的微晶玻璃．此微晶玻璃具有细小均匀的晶粒结构,具有高的弹性模量（１２０ＧＰａ）和良好的表面性能,是适宜的硬盘基板材料．     

PbTiO_3微晶玻璃陶瓷的结构和热释电性能研究

采用溶胶－凝胶方法在Ｐｂ－Ｔｉ－Ｂ－Ｓｉ－Ｏ凝胶玻璃体系中,析出了ＰｂＴｉＯ３微晶．ＤＴＡ和Ｘ－ｒａｙ衍射分析表明,随玻璃含量的增加,析晶温度升高．热释电测试结果说明,随着玻璃含量的增加,热释电系数增大;随烧结温度的升高,ＰｂＴｉＯ３微晶玻璃陶瓷的热释电系数也随之增大．介电温谱的测量则显示,ＰｂＴｉＯ３陶瓷与ＰｂＴｉＯ３微晶玻璃陶瓷具有明显的差异．     

铁电（Pb_（0．925）La_（0．075））（Zr_（0．65）Ti_（0

本文对射频磁控溅射制备的（Ｐｂ＿（０．９２５）Ｌａ＿（０．０７５）－（Ｚｒ＿（０．６５）Ｔｉ＿（０．３５））＿（０．９８１）Ｏ＿３薄膜作了ＸＰＳ全扫描和窄扫描能谱分析。结果表明，薄膜的表面缺Ｐｂ是形成ＴＺＯ相的主要原因；随着退火温度的升高，薄膜中钙钛矿相的形成导致各元素的结合能发生位移。     

ZrO2基陶瓷超微粉的热分解及晶化过程研究

以Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４和Ｙ（ＣＨ３ＣＯＯ）３为原料，应用溶胶－凝胶法制备了ＺｒＯ２＋９％摩尔分数Ｙ２Ｏ３超微粉末。通过ＴＧ－ＤＴＡ，ＸＲＤ分析技术，研究了粉末的热分解过程及晶化过程，结果表明：ＺｒＯ２＋９％Ｙ２Ｏ３超微粉末的热分解过程分为三个阶段；水份和有机溶剂的蒸发；有机基团的燃烧和无定形ＺｒＯ２的形成，无定形ＺｒＯ２向立方相ＺｒＯ２的转变，钇稳定立方相ＺｒＯ２的合成温度在４７０℃左右。     

用于永久性存贮器Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜的特性

用磁控射频溅射方法制备了Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜。研究了制膜工艺对Ｐｂ（Ｚ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明，所制备的薄膜表面致密，光滑。此Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜以钙钛矿结构为主，并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得。通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜的铁电特性得     

LCMAS微晶玻璃／Y—TZP复相材料

本工作对ＬＣＭＡＳ微晶玻璃／Ｙ－ＴＺＰ复相材料在不同的烧结温度下所出现的晶相进行了研究，发现材料在烧结温度下，Ｙ－ＴＺＰ中的ＺｒＯ２与微晶玻璃中的ＳｉＯ２发生化学反应生成锆英石（ＺｒＯ２·ＳｉＯ２），少量Ｙ－ＴＺＰ的加入起不到相变增韧作用。由于Ｙ－ＴＺＰ起到微晶玻璃晶核剂的作用，仍能使材料的抗折强度和断裂韧性得到大幅度的提高。当Ｙ－ＴＺＰ含量为９５ｗｔ％时，复相材料的抗折强度和断裂韧性分别为６３１     

MOD制备的PZT薄膜的相结构发展和成分分析

采用MOD工艺制备了PZT薄膜,利用XRD和TEM研究了焦绿石相向钙钛矿相的转变过程．制备在Pt／Ti／SiO₂／Si衬底上的PZT薄膜,其XRD分析显示焦绿石相在600℃完全转变为钙钛矿相;与之相比,Pt箔上无支持的PZT薄膜,其TBM分析表明PZT焦绿石相完全转变为钙钛矿相的温度更高,且与薄膜的厚度有关．XPS研究表明,薄膜表面含有化学吸附氧和污染碳,无其它杂质存在.表面富含少量Pb,其Zr／Ti比与化学计量比一致,但晶格中缺氧．     

钆锆烧绿石粉体的高温固相制备工艺

为获得钆锆烧绿石(Gd2Zr2O7)粉体的制备工艺条件,以Gd2O3和ZrO2粉体为原料,在温度为1 300～1 500℃的条件下,采用高温固相法制备钆锆烧绿石粉体;采用X射线衍射法对所制备的样品进行物相与结构分析,用扫描电子显微镜观察样品的微观形貌。结果表明,在常压、保温72 h的条件下,钆锆烧绿石的最佳煅烧温度为1 500℃,此时所制备的晶体结晶程度高,晶粒尺寸在3μm左右。     

Effect of microwave annealing temperatures on lead zirconate titanate thin films

Lead zirconate titanate (Pb(1.1)(Zr(0.52)Ti(0.48))O(3)) thin films of thickness 260?nm on Pt/Ti/SiO(2)/Si substrates were densified by 2.45?GHz microwave annealing. The PZT thin films were annealed at various annealing temperatures from 400 to 700?°C for 30?min. X-ray diffraction showed that the pyrochlore phase was transformed to the perovskite phase at 450?°C and the film was fully crystallized. The secondary (again pyrochlore) phase was observed in the PZT thin films, which were annealed above 550?°C. The surface morphologies were changed above 550?°C of the PZT thin films due to the secondary phase. Higher dielectric constant (ε(r)) and lower dielectric loss coercive field (E(c)) were achieved for the 450?°C film than for the other annealed films.     

半化学法制备0.80Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3陶瓷的反应机理

采用半化学法制备了纯钙钛矿相的0．80Pb（Mg1/3Nb2/3）O3－0．20PbTiO3（简称为0．80PMN－0．20PT）陶瓷。反应前驱体是以硝酸镁的饱和溶液代替传统氧化物混合法中的氧化镁，与PbO、Nb2O5和TiO2混合球磨得到的。该前驱体的TG－DTG－DSC和XRD分析表明，半化学法的反应机理不同于传统氧化物混合法和二次合成法的反应机理。在煅烧过程中，硝酸镁与氧化铅反应生成铅的活化中间体Pb6O5（NO3）2，由此活化的PbO或Pb3O4可与Nb2O5生成不稳定的、缺B位的焦绿石相Pb3Nb2O8，再与MgO反应生成钙钛矿相PMN－PT。     

高活性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的合成及其烧结性能研究

以Pb3O4、ZrO2和TiO2为原料,采用冲击波加载技术合成锆钛酸铅Pb(Zr0.95Ti0.05)O3粉体,并对粉体活性和烧结特性进行XRD和SEM表征,研究结果表明,利用冲击波的高温高压作用可以合成单一钙钛矿相锆钛酸铅粉体,合成粉体产生了细化并存在一定程度的晶格畸变,有利于增强粉体活性,促进了低温活化烧结,也显著地改善了陶瓷的烧结性能,在常压下1200℃烧结150min得到了密度达到7.83g/cm3的锆钛酸铅95/5陶瓷体,比传统固相法制备的粉体烧结温度降低了100℃左右,且得到的陶瓷体晶粒形状、大小均匀。     

PMSZT压电陶瓷的烧结工艺研究

研究保温时间对PMSZT压电陶瓷的相组成、显微结构及电性能的影响。结果发现,烧结温度1240℃保温1h时,密度达极值7．83g／cm^3。保温1h的试样,晶粒致密均匀,居里温度最低。随着保温时间的缩短或延长,居里温度增加。电性能在保温1h时达最佳,ε33^T/ε0=1700,d33=336pC/N,Kp=0.655,Qm=2200,tgδ=0.0030。     

温度场和电场调控硅基反铁电厚膜相变电流特性研究

采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高(100)取向生长、表面平整且结构致密的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用下发生反铁电相、铁电相和顺电相的相互转变,随外加电场增加,反铁电-铁电相变温度逐渐减小,介电常数峰值由2410减小到662,相变电流密度值由2.21×10-7A/cm2增大到8.52×10-7 A/cm2;随外加温度场增加,反铁电-铁电相变电场强度逐渐减小,饱和极化强度由39μC/cm2减小到31μC/cm2,相变电流密度值由2.89×10-5 A/cm2减小到8.8×10-6 A/cm2,温度场和电场可实现对反铁电厚膜相变电流效应的有效调控。     

Bi2O3—ZnO—Nb2O5系中焦绿石结构与相分布

根据焦绿石结晶化学原理，研究了Bi2O3－ZnO－Nb2O5（BZN）系中焦绿石的相结构与分布用淬冷技术保持样品的高温相结构，用粉末X-射线衍射技术（XRD）分析相组成与相结构得到了BZN系中两种焦绿名单相（立方相α和正交相β和α-β复相分布的等温相图，并探讨了该系统中焦绿石立方相和正交相之间的α-β位移式相变的机理     

新型片状结构的碱式碳酸镁合成PMNT的研究

采用微米级的碱式碳酸镁作为原料,用一步烧结的方法制备铁电材料0.67Pb （Mg1/3Nb2/3）O3-0.33PbTiO3（PMNT）。经过1200℃烧结后, XRD测试没有发现烧绿石相。与传统的使用氧化镁为原料的两步烧结法相比,此方法方便。同时,系统地研究了此方法可以避免烧绿石相的原因。