GB17625.1-2003《电磁兼容 限值 波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)》标准的主要变化

本文主要对GB 17625.1《电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)》标准的2003版和1998版进行了比较,并对G8 17625.1-2003标准中的一些新条款和新要求进行了分析。     

CB 17625.1新旧标准的变化

文章主要对CB 17625.1《电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)》新旧标准进行了对比，并就一些新条款和谐波测量要求进行了分析介绍，以使有关技术人员能够更好地理解新标准。     

GB 17625.1新旧标准的变化

文章主要对GB17625.1《电磁兼容限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)》新旧标准进行了对比,并就一些新条款和谐波测量要求进行了分析介绍,以使有关技术人员能够更好地理解新标准。     

GB17625．1新旧标准的变化

文章主要对GB17625．1《电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)》新旧标准进行了对比，并就一些新条款和谐波测量要求进行了分析介绍，以使有关技术人员能够更好地理解新标准。     

汽车内电磁骚扰检测技术标准的最新变化

结合CISPR 25 Ed.3：2008及其修改建议,介绍了汽车内电磁骚扰检测技术的国家标准GB 18655在技术限值、试验方法、产品运行条件方面的修订情况和主要技术内容。以及合格评定的一般要求和符合性判定。     

CNAL发布新版《检测和校准实验室能力认可准则》

对检测和校准实验室能力认可的新旧准则进行了对比,并对一些新增加的和修改的条款及要求进行了分析和介绍.     

器具耦合器标准GB 17465.1升级

结合家用和类似用途器具耦合器的产品结构和实际使用情况,从促进产品发展与国际标准接轨、提高产品安全性角度,着重技术性修改、具体条款要求等方面,对新版家用和类似用途器具耦合器标准GB 17465.1—2009进行解读。     

浅谈对JJG52-2013的理解与看法

JJG52-2013《弹性元件式一般压力表、压力真空表和真空表》是JJG52-1999《弹簧管式一般压力表、压力真空表和真空表》的升级版,在形式和内容上,进行了规范与完善。本文对JJG52-2013增删与修改的一些条款进行解读,并对认为有待完善的条款提出建议。     

光纤数字传输系统误码指标的分配和计算

本文介绍了我国目前对光纤数字传输系统的误码性能指标的分类、配额和计算方法,对基于ITU-T建议的数字通道和复用段误码性能指标、配额和投入业务维护限值等内容和修改部分进行了相应的说明.     

地表水中水质监测因子的设定及总氮、总磷标准值测试

通过对《地表水环境质量标准(》GB3838-2002)中总氮指标与硝酸盐氮、亚硝酸盐氮、氨氮和有机氮关系的分析,以及对总磷标准的不一致性的探讨,论述了总磷、总氮在评价饮用水源中存在的问题,提出应把总氮指标作为集中式生活饮用水源地补充项目标准限值,恢复硝酸盐氮、亚硝酸盐氮作为地表水环境质量标准基本项目标准限值;修改总磷标准值。     

IEC／EN 60598-1灯具标准2008版的更新

文内介绍了2008年出版的灯具通用标准安全要求标准IEC／EN 60598-1的最新交化，分析了可能涉及重新测试的改动部分，也阐述了不涉及重新测试的修改，期望能给灯具业界提供一个参考。     

基于液晶显示器的白场仪设计及其实现

研制了一种可用于现场标定色彩测量仪器的白场仪。该白场仪系统基于液晶显示器,以FPGA结合Flash的方式实现,通过对白场校准信息的记录和复现,可以输出标准白场图像。针对白场仪的硬件系统和软件系统,分别设计实现了FPGA控制板、液晶显示器的SVGA信号驱动和并行NOR Flash ROM控制器驱动。经测试,该白场仪系统运行稳定可靠,经计量部门校准后可以生成色温可调整的标准白场,输出亮度误差在24h内小于0.50%。     

Integrated-circuit Schottky polarity guard

An aluminium Schottky-diode bridge, fabricated using a standard linear integrated-circuit process, is described. The Schottky-barrier structure effectively eliminates parasitic p-n-p transistor action, which is troublesome when collector-base diodes are used. A `guard-ring? geometry enables a reverse breakdown of 70 V to be achieved. Comparable devices made with `metal-overlap? geometry have reduced breakdowns of 36 V. A further advantage of using Schottky diodes in the bridge is their low forward drop, which for this device is 0.42 V at 10 mA. The intended area of application is in hybrid microcircuits for telephone sets.     

超深亚微米与纳米级标准单元的可制造性设计与验证技术

当半导体工业进入到超深亚微米时代后,标准单元的设计面临着新的挑战.由于亚波长光刻的使用,图形转移质量将严重下降.在这种情况下,以集成电路的可制造性作为目标的"可制造性设计"方法在标准单元设计中变得至关重要.本文分析了超深亚微米与纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题,提出了相应的新设计规则和解决方案,完成了实际90nm工艺下标准单元的可制造性设计工作.同时,文中提出了包括光刻模拟、测试电路组等技术在内的单元可制造性设计和验证的流程.     

MmNi5-基储氢合金扫描电镜能谱仪定量分析

使用配备ＥＤＳ的ＳＥＭ,研究了ＭｍＮｉ５－基储氢合金的微观组织和微区成分。研究的合金中稀土元素含量低于化学比,晶界有Ｃｏ,Ｍｎ和Ａｌ富集相析出。分别使用ＲｅＢ６、ＲｅＰ５Ｏ和纯稀土金属作为分析稀土元素的标样进行定量分析。结果表明,全部采用纯金属标样（包括纯稀土金属标样）分析结果最好;采用ＲｅＢ６和ＲｅＰ５Ｏ１４作为分析稀土的标样时,分析误差较大。文章对误差较大的产生原因进行了讨论。     

标准粒子发生器研制

激光尘埃粒子计数器是测试洁净度必不可少的仪器,在洁净行业中有很重要的地位.本文介绍的自主研制的标准粒子发生器是校准和测试激光尘埃粒子计数器的基准仪器.国内暂时没有同类仪器,国外的仪器昂贵且维护周期长.本文介绍的仪器通过比较国外多种不同类型的发生器,确定适合我国实际需要的技术路线:成本低廉,性能满足要求.在通过大量比对试验后,证明本仪器满足实际使用的需要,并且某些性能甚至超过了国外产品.     

基于精简标准单元库的OPC复用技术

提出了一种对标准单元的光学邻近效应校正结果进行复用的方法,并通过将传统标准单元中的所有核心逻辑通过反相器和二选一多路选择器的组合来实现,得到了一套可制造性强的精简标准单元库,从而使OPC复用技术得以有效实施,并将在很大程度上提高芯片生产效率和降低掩模数据存储量.精简标准单元库中单元的电气仿真结果表明其在面积、速度、功耗方面与传统标准单元库相比性能损失很小.     

Electrofishing

This paper is intended to introduce the reader to the technology of fishing with underwater electric fields, and describes the design of two high-power pulse generators used in electrofishing apparatus by the Connecticut State Fish and Game Department. Discussed are problems in the design of electrofishing apparatus, the behavior, and the physiological basis for the behavior of fish in electric fields.     

超深亚微米可制造标准单元库设计

当集成电路的特征尺寸下降到100nm以下,可制造性设计就变得尤为重要。本文提出了一种65nm可制造性标准单元库的设计方法。通过精简基本单元的数量,降低光学矫正的时间和空间复杂度;利用DFM设计规则和光学模拟仿真对每个单元的版图进行优化以提高整个单元库的可制造性。应用该方法实现的标准单元库在时序,功耗,面积方面与传统标准单元库相比具有很好的性能,并且通过Foundry的TD部门65nm工艺线的可制造性测试,有利于65nm工艺生产良率的提升。     

设计和表征一个65nm抗辐射标准单元库

提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10％以内。