单模半导体激光器等效电路模型

介绍了单模半导体激光器的大信号、小信号及噪声等效电路模型，给出了确定模型参数的一般方法，并在ＰＳＰＩＣＥ中以电路宏模型的方式实现了激光器的大信号模型，对激光器小信号调频响应和大信号非线性失真特性进行了计算机时域模拟。     

单模半导体激光器等效电路模型

介绍了单模半导体激光器的大信号、小信号及噪声等效电路模型，给出了确定模型参数的一般方法，并在ＰＳＰＩＣＥ中以电路宏模型的方式实现了激光器的大信号模型，对激光器小信号调频响应和大信号非线性失真特性进行了计算机时域模拟。     

用于机载激光测距／指示的激光器原理实验研究

本文介绍了激光器原理实验情况，着重介绍了波罗棱镜谐振腔电光调Q激光器重频实验及平凸非稳腔激光器实验结果及分析，文中对激光输出性能，输入能量及谐振腔腔长等几个相关又互相制约的参数进行分析，以便根据要求合理选择其参数，提高激光器质量，并通过对平凸非稳腔的理论分析及实验测试，设计出了较小发散角，较高效率的平凸非稳腔激光器。     

InGaAsP／InP掩埋条型激光器的漏电流分析

本文针对Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ埋区结构中的漏电流，用广义Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ三端器件的理论模型，细致地分析和模拟计算了Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ掩埋型ＢＨ激光器的漏电流特性，并据此给出了优化设计器件的数据曲线．通过具体的激光器工艺，我们做出的ＦＢＨ激光器的漏电流大大减小，激光器的线性输出光功率可高达２０ｍＷ，室温寿命超过１０万小时．     

光子线激光器

光子线激光器量子线激光器与砷化像中只有１０～２０ｕｒｎ宽的条内的激子、特别是电子的量子约束有关。美国伊利诺斯州西北大学Ｓ．Ｔ．ＨＯ报导的光子线激光器把光子约束在ＩｎＧａＡｓＰ中４００ｕｒｎ量级宽的条内。该组演示的激光器是个直径只有４·ＳＰｉｎ的起着强...     

InGaAs／InP分别限制量子阱激光器的阱数优化设计和实验制备

根据对ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ分别限制量子阱激光器结构的注入效率的分析和利用Ｘ射线衍射结ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ２０个周期的多量子阱结构异质界面的研究，设计，制备了４个阱的ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ分别限制量子阱激光器结构，利用质子轰击制得条形激光器，阈值电流为１００ｍＡ，直流室温连续工作，单面输出外微分子效率为３６％。     

基于MAX3766的1550nm的SFF中光发射器相关参数的设计

本文介绍了基于MAX3766芯片的1550nm的SFF光发射器相关参数的设计方法。在分析激光器调制特性的基础上，重点阐述了参数发生器、激光器偏置电路、激光器调制电流及APC自动功率控制电路设计中相关参数的设计。     

KTP晶体对CPM非稳腔YAP激光的二次谐波

从二次谐波的基础理论出发，对激光器腔参数和元件进行设计选择。以ＫＴＰ晶体为腔内倍频元件，在带抗共振环的对掸脉冲锁模非稳腔Ｎｄ：ＹＡＰ激光器中获得５３．４％的倍频能量转换。     

高功率无铝半导体激光器

ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ激光器抑制暗线缺陷的形成,器件的突然失效及缓慢退化有所减少。研究表明,高功率无铝半导体激光器比有铝ＡｌＧａＡ／ＧａＡｓ激光器具有更高的可靠性。文章分析比较了高功率有铝和无铝半导体激光器的优缺点,介绍了波长为８０８ｎｍ的高功能无铝半导体激光器的发展及国内外目前的研究状况。     

选择性质子轰击DC—PBH激光器

在普通双沟平面掩埋异质结（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器的基础上，采用质子轰击的技术，制作了一种新型的选择性质子轰击ＤＣ－ＰＨＢ激光器。这种新型的激光器结构与以前普通的ＤＣ－ＰＢＨ结构相比阈值电流降低，输出功率及量子效率得到提高，尤其是它的调制特性得到明显改善，这种结构激光器的调制带宽由原来的２．０ＧＨｚ提高到６．０ＧＨｚ。     

半导体泵浦固体激光器在激光加工中的应用

介绍了激光加工的优点和对激光器输出参数的要求，对固体激光器中发展最活跃的半导体泵浦全固体激光器进行了分析。在对当前的几种主要结构比较后，指出盘形激光器和光纤激光器将在未来的激光加工中发挥更大的作用。     

固体薄片激光器和固体热容激光器

介绍了能够实现高平均功率的两种固体激光器：固体薄片激光器和固体热容激光器。给出了它们的工作原理和理论上的工作参数。综述了固体薄片激光器和固体热容激光器的研究历史和现状，指出了高平均功率固体激光器未来的发展方向。     

InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究

利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子陆微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征。     

优化反射率以增强半导体激光器输出功率

在考虑了俄歇效应的情况下，用行波速率方程组研究了半导体激光器的输出功率与端面反射率的关系。给出了在不同偏置电流下使激光器输出端输出功率最大所需要的端面反射率。利用主动监控法在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器端面上完成了这种功率增强膜的镀制，在所选择的６０ｍＡ工作电流处，镀膜后激光器的输出功率增加了１３０％。     

半导体激光器列阵的电导数及其可靠性

在研究半导体激光器电导数与可靠性的基础上,设计了单管激光器并联实验系统,利用单管激光器并联模拟列阵的方法研究了激光器列阵的可靠性在其电导数曲线和参数上的体现,该实验结果为利用电导数参数作为列阵可靠性判据提供了参考.     

蓝光半导体激光器的发展

蓝光半导体激光器的发展过去十年，半导体激光器的应用和开拓都有爆炸性发展，包括从光盘用的几毫瓦半导体激光器到千瓦级条形列阵激光器。现在使用的绝大多数激光器，发射波长都在７８０～１５５０ｕｍ之间的近红外区，且以ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ和有关合金为基础...     

改进型1.06μmNd：YAG激光器泵源

本文报道了用改进的液相外延技术制作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ分别限制单量子阱激光器，将其端面分别蒸镀增透膜和高反膜后，激光器输出功率提高近１倍，因此用此ＬＤ端面泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，当泵浦源输出２．７Ｗ时，得到了７００ｍＷ连续激光输出。     

高功率激光器发展趋势

对二氧化碳激光器、HF/DF化学激光器、氧碘化学激光器、光纤激光器、固体激光器、半导体泵浦碱金属激光器等高功率激光系统进行了介绍,并对高功率激光器发展趋势及内在规律进行了讨论。     

我国激光器件的发展概况及近况

综述了我国大功率激光器、晶体激光器、半导体激光器、气体激光器、化学激光器和染料激光器的发展概况及近况，并对进一步发展我国激光器件的问题进行了讨论。     

InGaAs／InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究

报道了利用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术生长高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果．宽而激光器实现了室温脉冲受激发射．激射波长为１．４９μｍ，在腔长为２０００μｍ时，最低阈值电流密度为０．３０ｋＡｃｍ－２．最大脉冲光输出峰值功率达５００ｍＷ以上．同时，从理论和实验上研究了阙值电流及阙值电流密度随激光器腔长的变化关系，并与ＬＰ－ＭＯＶＰＥ生长制作的宽面双异质结构激光器进行了比较．