Cu-Ti合金时效早期相变规律的研究

本文应用透射电子显微镜、Ｘ射线衍射等手段研究了Ｃｕ－Ｔｉ合金时效相变早期的分解过程。研究表明，过饱和的Ｃｕ－Ｔｉ合金固溶体可能首先发生的是溶质原子的短程有序化，然后通过调幅分解机理分解为贫、富溶质区，富溶质区原子进行长程有序排列，形成Ｄ１ａ型的Ｃｕ４Ｔｉ有序相。同时应用图形热力学对Ｃｕ－Ｔｉ合金分解过程中调幅分解与有序化共存的现象进行了解释。Ｃｕ－Ｔｉ合金时效过程中显微硬度的变化出现了双峰现象，第一个峰值的出现与位错密度有关，而亚稳共格的有序相Ｃｕ４Ｔｉ的形成是第二个峰值出现的主要原因     

Cu—Ti合金时效早期相变规律的研究

本文应用透射电子显微镜，Ｘ射线衍射等手段研究了Ｃｕ－Ｔｉ合金时效相变早期的分解过程。研究了表明，过饱和的Ｃｕ－Ｔｉ合金固溶体可能首先发生的是溶质原子的短程有序化，然后通过调发解机理分解为贫富溶质区，富溶质区原子进行长程有序排列，形成了Ｄ１ａ型的ＣｕＴｉ有序相。     

金刚石薄膜-金属接触的SEM和XRD研究

用ＳＥＭ和ＸＲＤ研究了金刚石薄膜与双层金属之间的接触及界面性质，采用微波等离子体ＣＶＤ方法在Ｓｉ（１１１）基片上沉积了掺硼金刚石薄膜，然后蒸发上Ｔｉ／Ａｕ金属层，在氮保护气氛下７００℃热处理５０ｍｉｎ后获得一个线性的电流－电压特性，经ＳＥＭ和ＸＲＤ实验结果表明，Ｔｉ／Ａｕ金属与金刚石薄膜之间优良的接触性能的获得，显然是由于大金刚石膜－Ｔｉ／Ｔｕ界面处产生了ＴｉＣ新相以及ＴｉＣ的浸润性质的缘故。     

用化学共沉SrTiO_3研制钛酸锶铋介质陶瓷

采用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＡＸ、粒度分析等手段研究了在（１－ｘ）ＳｒＴｉＯ３ｘＢｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２（简称ＳＢＴ）系统中采用化学共沉ＳｒＴｉＯ３时，Ｂｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２的含量对介电性能和显微结构的影响。发现当其摩尔分数ｘ小于１０％时，结构为单相固溶体，εｒ随ｘ的增加而增加；当ｘ大于１０％时，为复相结构，εｒ开始下降。这个结果与采用ＳｒＣＯ３和ＴｉＯ２固相合成的ＳｒＴｉＯ３烧块时的结果相近，变化趋势一致。但化学共沉ＳｒＴｉＯ３之晶粒细小，杂质少，故使所制介质具有非常优异的介电性能。     

钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究

在室温下,采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术（ＳＲＰ）来分析、表征;采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜中较容易出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的表面和界面特性。     

L12－（Al，Ag）3Ti向DO23－Al11Ti5相分解的电镜观察

Ｌ１２－（Ａｌ，Ａｇ）３Ｔｉ向ＤＯ２３－Ａｌ１１Ｔｉ５相分解的电镜观察田文怀杨海春根本实＊（北京科技大学材料物理系，北京１０００８３）（＊九州大学（日本））Ａｌ３Ｔｉ由于比ＴｉＡｌ具有更好的抗氧化性能，且具有密度小，熔点高（１３４０℃）的优点，作为新...     

Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究

本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ     

离子束合成TiSi2薄膜及显微结构的研究

本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的ＴｉＳｉ２薄膜的微观结构，发现了一种新的ＴｉＳｉ２相，初步确定它为简单正交结构，点阵常数与已知的Ｃ４９－ＴｉＳｉ２相等，并发现新的ＴｉＳｉ２可向Ｃ４９－ＴｉＳｉ２转化；在８００℃条件下保温３０分钟，Ｃ５４－ＴｉＳｉ２可在Ｓｉ（１１１）基片上外延生长，取向关系为：「１２１」ＴｉＳｉ２「１１０」ｓｉ，（１１１）ＴｉＳｉ２（１１１）ｓｉ。     

一种合成SrTiO_3超细粉料的新技术

研究了一种合成ＳｒＴｉＯ３高纯超细粉料的新方法，该法是将钛化合物的水解产物与可溶性锶盐在强碱性溶液中反应，直接生成ＳｒＴｉＯ３高纯超细粉料。原料溶液Ｓｒ／Ｔｉ比、碱用量和反应温度对粉料中ＳｒＴｉＯ３相含量有影响，在反应体系中加入乙醇可以改善粉料的性能     

沉积温度对Ti—B—N复合薄膜微结构及力学性能的影响

采用多靶轮流溅射技术，用Ｔｉ和六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）反应合成了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，采用ＸＲＤ、ＴＥＭ和显微硬度计研究了薄膜的微结构及其力学性能。结果表明，室温下沉积的Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜为非晶体的Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）化合物，其硬度达到ＨＫ２４７０；高温下沉积的薄膜为ＴｉＮ结构类型的Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）晶体，薄膜在晶化后硬度略有降低。     

热处理对（Ba,Cd）TiO3纳米粉体制备的影响

从Ba（CH3COO）2-CA（NO3）2-Ti（OC4H9）-H2O-CH3COOH--CH3CH2OH体系，采用溶液．溶胶-凝胶法研究多层陶瓷电容器用（Ba1-xCAx）TiO3（x=0．05）（BCT）超细粉体的制备。利用热重差热分析仪（TG--DSC）研究BCT前驱体干凝胶加热过程中各阶段的反应历程。借助X射线衍射（XRD）、比表面积测定仪研究了热处理温度对BCT粉体的物相组成、晶粒尺寸、比表面积等的影响。得到晶相单一、颗粒尺寸在35-40nrn左右、比表面积为12．9m^2／g的BCT超细粉体。     

SiO_2包覆纳米TiO_2的初步探讨

为了改善纳米TiO2的分散性,利用表面包覆技术,在TiO2的表面形成致密的SiO2膜,以达到改性的目的。讨论了SiO2包覆纳米TiO2的作用、机理和包覆工艺条件,并对包覆后的TiO2通过透射电子显微镜、Z-3000Zeta电位与粒度分布仪以及红外光谱分别进行分析。实验结果表明,包膜后的TiO2表面状态发生了变化,TiO2在水溶液中的分散性能得到明显改善。由红外光谱得知,这种包覆不仅是物理包覆,也是一种化学键合,在TiO2的表面形成Ti—O—Si键。     

TiO_2过渡层对Bi_(3.54)Nd_(0.46)Ti_3O_(12)薄膜微观结构及电性能的影响

选取厚度为5、10和20nm的TiO2薄膜为过渡层,采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.54Nd0.46Ti3O12(BNT)铁电薄膜,研究了过渡层厚度对铁电薄膜微观结构及电学性质的影响。结果表明,加入TiO2过渡层后,BNT薄膜微观结构得到改善,εr及2Pr值大幅提高,介电损耗及漏电流密度都有降低。过渡层厚度为20nm时,BNT薄膜的εr、tanδ及2Pr值分别为325、0.025(测试频率为10kHz)和36.1×10–6C/cm2,漏电流密度为8.45×10–7A/cm2(外加电场为100×103V/cm)。     

Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/ZnNb_2O_6复相陶瓷的显微结构和介电性能

采用传统电子陶瓷工艺制备了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/ZnNb_2O_6(BSTZ)复相陶瓷,研究了ZnNb_2O_6含量对BSTZ陶瓷结构和介电性能的影响规律.结果表明,BSTZ复相陶瓷可在较低温度下烧结成瓷;陶瓷中除了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3和ZnNb_2O_6两种主晶相,还有新相BaNb_(3.6)O_(10)生成;陶瓷的介电常数和介电损耗均随ZnNb2O6含量的增加而降低;当x(ZnNb_2O_6)=0.6(摩尔比)时,复相陶瓷在微波下的介电常数为74,介电损耗为0.043,可调性可达10.54%(1.0 kV/mm).     

P型TiOx半导体薄膜的特性研究与制备

TiO2陶瓷在射频溅射过程中表面成分发生改变，变化后的陶瓷表面具有良好的导电性，可作为靶材采用直流溅射法在玻璃基片上制备TiO2薄膜，发现当工作气体中不通O2时溅射得到的TiO2薄膜由于氧缺位呈N型导电，而当预先在玻璃衬底上沉积一层金属Ti时TiO2薄膜的导电类型发生了转变，由N型导电转向P型导电，该文对这一现象进行了研究，并讨论了钛层厚度和真空退火条件对薄膜P型导电性质的影响。     

工艺参数对熔盐法制备SrBi_4Ti_4O_(15)粉体的影响

采用熔盐法制备了各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体,研究了工艺参数对晶粒形貌和尺寸的影响。发现煅烧温度、盐的种类和盐的用量显著影响晶粒的形貌和尺寸。晶粒平均尺寸随着温度升高而逐渐增大,由不规则片状向圆片状发育。随着盐用量的增加,晶粒平均尺寸先增大后减小,且在硫酸盐中,晶粒尺寸明显大于相同条件下盐酸盐中的尺寸。和固相法相比,熔盐法合成的粉体具有(00l)择优生长的优点。通过调整工艺参数可以控制晶粒的形貌和尺寸,制备各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体。     

Bi_2O_3过量对熔盐法制备Bi_4Ti_3O_(12)粉体的影响

以NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的Bi4Ti3O12粉体,研究了w(Bi2O3过量)对粉体的影响,优化了制备Bi4Ti3O12粉体的工艺参数。结果表明:w(Bi2O3过量)为7.5%,1100℃烧结2h所得到的Bi4Ti3O12粉体微观形貌最佳,并探讨了Bi4Ti3O12粉体在熔盐中的生长机理。     

钛酸锆-铌酸镁系高频介质陶瓷的制备及介电性能的研究

采用固相反应的方法制备粉料,合成了一种新型的(Zr1/2Ti1/2)1x(Nb2/3Mg1/3)xO2 (x=0.05～0.30)高频介质陶瓷。XRD分析确定粉料为单相,其晶相为ZrTiO4结构。瓷片在1 430～1 470℃之间烧结。讨论了收缩率与烧结温度的关系以及介电性能随烧结温度的变化,探讨了不同配比对材料电性能的影响,确定出最佳烧结温度为1 460℃。在1 MHz下测试了材料的介电常数及损耗。相对介电常数在26～34之间。配比为x=0.25的材料,品质因数可达到1×104。     

湿化学法合成CLSNT微波介质陶瓷粉体

用改进的 Pechini 法合成 Ca_(0.28)Li_(0.15)Sm_(0.28)Nd_(0.15)TiO_3(CLSNT)陶瓷粉体。采用 TG、DTA、XRD 和 SEM等技术对 CLSNT 陶瓷粉体进行分析。在 600℃预烧 3 h 后,钙钛矿结构的 CLSNT 相形成,但有少量 Sm_2Ti_2O_7、TiO_(1.49)、Ti_3O_5、Ti_4O_7 相。预烧温度升高到 1 000℃,只有钙钛矿结构的 CLSNT 相。用这一方法能在相对低的温度下制备出性能优良的微波介质陶瓷。在 1 230℃下烧结 3 h,εr为 98,Q·f 为 6 360 GHz,τf 为 8×10–6℃–1。     

Crystal and defect structures of La2/3 xLi3xTiO3 (x ~ 0.1) produced by a melt process

The crystal and defect structures of coarse-grained crystals of La(2/3-x)Li(3x)TiO3 grown from the melt by the Tammann-St?ber method were studied by transmission electron microscopy and powder X-ray diffraction. The as-grown crystals of La(2/3-x)Li(3x)TiO3 have a Li-poor composition of La(0.57)Li(0.29)TiO3 and a diagonal-type unit cell of 2(1/2)a(p) x 2(1/2)a(p) x 2a(p) with the tetragonal symmetry [space group: P4/nbm (#125)] due to both the La-cation ordering and the tilting of TiO6 octahedra. The secondary La2Ti2O7 phase precipitates in the form of plates in the La(2/3-x)Li(3x)TiO3 phase with the orientation relationships of 001(p)//[100](La2Ti2O7) and {110}(p)//(001)(La2Ti2O7), which may cause detrimental effects to ionic conductivity.