烧块制备技术对PMN基瓷介电常数的影响

采用预产物法、一次煅烧合成法、二次煅烧合成法等制备Ｐｂ［（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）１－ｘ－ｙ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）ｘＴｉｙ）］Ｏ３（ＰＭＦＮＴ）化合物烧块，并从其Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）物相分析结果中估算出钙钛矿相的相对含量。进而探讨了烧块的制备技术对Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＭＮ）基瓷的介电常数的影响，烧块的钙钛矿相含量增加，对应的ＰＭＮ基瓷的介电常数提高。选用合理的烧块制备技术是提高瓷料介电常数的关键环节     

生产PTC热敏电阻用的新原料

研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产ＰＴＣ热敏电阻的一些问题。主要研究偏钛酸作为生产ＰＴＣ热敏电阻原料的适宜煅烧温度、原材料的预磨情况等对合成瓷料性能的影响。结果表明：瓷料半导化的条件与偏钛酸的煅烧温度及原料预磨情况密切相关。在低于８００℃的一定温度范围内，煅烧经预先球磨的偏铁酸或在８００℃以上直接煅烧，均可实现瓷料的半导化。     

热压铸成型滑石瓷材料制备工艺的改进

<正> 滑石瓷的生产过程比普通陶瓷复杂,其主要表现在原料制备及烧成工艺两个方面。其中材料制备需经过下列过程:生滑石预烧→配料湿球磨→压滤脱水→泥饼造粒→瓷料煅烧成烧快→粗、细干球磨→和蜡制成料饼备用。如此冗长的过程给生产增加了许多不便。特别是生滑石及瓷料煅烧、粗、细干球     

电子器件

9908949压电减振机敏柔性板上的布片位置优化研究[刊]/古渊//压电与声光.—1999,21(1).—32～36,40(L)将 D 优化法推广应用于二维悬臂机敏柔性板上的压电传感/执行器的位置优化研究中,并用实验证明了该方法的合理性,为进一步深入开展机敏柔性板的振动主动控制奠定了良好的基础。参199908950化学合成法试制超细超导体瓷料的新工艺[刊]/包茜//传感器技术.—1999,18(1).—23～25(D)研究了超细超导体瓷料用化学合成法试制的新工艺。通过将溶液中的超导阳离子均匀沉淀、烘干、煅烧后得到成分和粒度分布均匀的超微细瓷料。参5     

掺杂对(Ba0.92Sr0.08)TiO3基陶瓷性能的影响

以钛酸钡、二氧化钛、碳酸钠、氧化铋、五氧化二铌等为原料,在实验中碳酸钠,氧化铋在第一次配料中加入量较少的时候,对瓷料的半导化影响不大,实验证明提高了瓷料的居里温度,且升阻比也很高;当碳酸钠和氧化铋加入量增加时,瓷料变成了绝缘介质,介电常数高于1 500,最大的超过了8 000。     

大力加强精细陶瓷的基础研究和应用开发——参加1990年日本陶瓷学会年会的体会

本文概述了1990年日本陶瓷学会论文中有关精细陶瓷的最新研究成果和研究方法。报道了金属醇盐水解法制备瓷料微粉技术、使瓷料粉体组成分布均匀的干湿混合法和使粉体平均粒径达0.2μm的超微粉碎等合成粉碎新技术,激光厚膜烧结和独石电容器用异种瓷料交互叠片改进容量温度特性等技术。说明日本陶瓷界在研究手段、粉体制造及分析方法诸方面都体现出精、细的高度,走在世界陶瓷界的前列。     

电子元件、组件

TM 53 97060413以srTi03为基电容器瓷料的研究/史伟,张沛霖,祝清亮(山东大学)Ij山东大学学报(自然科学版)一1997,32(2)、一174~178 通过对以srTi03为基瓷料配方和制造工艺的改进,得到了在一25℃~85℃的温度范围内,介电常数:大于2200,介电常数的温度稳定性较好的瓷料.图4参3(木)     

电气和电子工程用材料科学

TN04,TN305 97020028烧块制备技木对PMN基瓷介电常数的影响/江涛.孙目珍,陈绍茂,郭育源(华南理工大学)/l电子元件与材料一1996,15(6)一24~27 采用预产物法、一次锻烧合成法、二次锻烧合成法等制备Pb[(M名:/,NbZ/,):,,(Fe,/ZNb,/2)xTix)JO,(pMFNT)化合物烧块,并从其X射线衍射仪R     

含铋层化合物BaTiO3和系独石电容瓷料

分别以Ｂｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｗ，Ｎｂ，Ｐｂ等元素的氧化物合成多种不同铋层化合物，用以降低ＢａＴｉＯ３系瓷料烧成温度。通过调整ＢａＴｉＯ３的合成温度、改变铋层化合物的组成和选择合理的工艺条件等试验，探讨含铋层化合物ＢａＴｉＯ３瓷料组成对其性能的影响。以ＢａＯ／ＴｉＯ２为０．９９的ＢａＴｉＯ３烧块、钛铋层化合物及稀土元素氧化物配制成的瓷料，其性能符合美国ＥＩＡ标准Ｘ７Ｒ指标，制成的独石电容器性能优良     

含铋层化合物BaTiO_3系独石电容瓷料

分别以Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｐｂ等元素的氧化物合成多种不同铋层化合物，用以降低ＢａＴｉＯ３系瓷料烧成温度。通过调整ＢａＴｉＯ３的合成温度、改变铋层化合物的组成和选择合理的工艺条件等试验，探讨含铋层化合物ＢａＴｉＯ３瓷料组成对其性能的影响。以ＢａＯ／ＴｉＯ２为０．９９的ＢａＴｉＯ３烧块、钛铋层化合物及稀土元素氧化物配制成的瓷料，其性能符合美国ＥＩＡ标准Ｘ７Ｒ指标，制成的独石电容器性能优良，稳定可靠。     

BT基Y5V高压电容瓷织构对抗电强度的影响

在研制BaTiO3(BT)基Y5V高压电容器瓷料基础上,对不同配方的试样进行交流高压试验,SEM显微结构分析结果显示,当试样晶粒较小时(3~10μm),抗电强度较高(≥4.3MV/m),强交流电场引起的晶粒应力、应变不足以导致晶粒击穿;而晶粒较粗时(≥20μm),其应力、应变导致抗电强度明显降低。瓷体中次相对强交流电场有缓冲作用,随含量增加而抗电强度提高,但介电常数降低。在此基础上探讨了瓷体织构对抗电强度影响机制。     

二价阳离子取代的Ba2-xRxNdNb5O16瓷料结构与性能的研究

以Ba2NdNb5O16为基，通过二价阳离子的取代，探讨取代物对Ba2-xRxNdNb5O16瓷料介电性能与结构的影响。实验结果表明，Sr2+、Ca2+、Mg2+取代使瓷料的相对介电常数er随取代量显著增大，温度系数ae也发生明显变化，变化幅度与取代物离子半径密切相关。XRD、SEM微观结构分析可以推断，实验瓷料为四方晶系钨青铜结构，因取代物离子半径差异而占据五边形A2和四边形A1间隙的几率不同，引起介电性能明显变化。     

亚微米BaTiO_3 X7R MLC细晶陶瓷介质材料的介电性能研究

基于晶体化学、材料物理化学、电介质物理等基础理论,运用XRD、TEM、EDX、SEM等现代微观分析手段,对亚微米钛酸钡超细粉料制备技术以及高介高性能X7R MLC瓷料和高压高性能X7R MLC瓷料的介电性能进行了研究。     

喷雾造粒法制备中高压电容器瓷料

讨论了采用国产高速离心喷雾干燥机批量生产低损耗中高压陶瓷电容器用瓷料时,瓷料种类、生产瓷料的工艺条件(粘合剂、水含量、喷头转速、热风温度和进料量等)对瓷料的物理性能(流动性、湿度、松装密度、粒径及其分布等)的影响及其最佳工艺参数。     

非气氛炉烧结SrTiO3基环形压敏电阻器

鉴于气氛炉设备昂贵,笔者提出用非气氛炉烧结SrTiO3基环形压敏电阻器。并研制了与之相匹配的SrTiO3基环形压敏电阻器双功能(电容–压敏)瓷料。采用电子陶瓷常规设备(箱式炉或隧道炉)与工艺技术,制备了电性能符合标准要求的SrTiO3基环形压敏电阻器产品:V10mA=3.0~30.0V,α=3~9,C=15.0~140nF。结果表明:非气氛炉烧结技术,具有成本低、易操作、效率高的优点。     

制备PTC热敏电阻瓷料的新工艺

本文介绍了一种有利于PTC热敏电阻瓷料半导化的新工艺。当所用的TiO_2原料中Fe、Mg等受主杂质含量不同时,应采用不同的制备工艺。原料中受主杂质含量较低时,应采用先合成主晶相,再引入其它加入物的常规工艺;而受主杂质含量稍高时,则应采用在合成主晶相的同时就加入SiO_2-Al_2O_3玻璃形成剂的新工艺。采用新工艺可使按常规工艺难以半导化的PTC瓷料实现良好的半导化。     

中温烧结BaTiO3基瓷的非均匀结构对εr－T特性的影响

含低熔物Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２及ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３基中温烧结瓷料，通过改性物Ｌａ、Ｎｂ等在固－液相烧结过程中溶－析和缺位补偿固溶，主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成核－壳结构，并存在玻璃相。这种非均匀结构对铁电相的制约作用，引起瓷料的εｒ－Ｔ特性的改变     

低温共烧多层陶瓷基板抗折强度的研究

抗折强度是反映低烧基扳性能的一个非常重要的技木指标，本文通过控制粉料粒度、瓷料配方、热压工艺条件、烧结曲线等，可将低温共烧多层基扳的抗折强度提高到15．64kg／mm^2．     

Ba2Ti9O20陶瓷的低温烧结及其在MLCC中的应用

以 BaTiO_3和 TiO_2粉末进行固相反应来合成 Ba_2Ti_9O_(20)主晶相,通过添加烧结助剂及少量 Ca、Nd、W 改性剂来降低瓷料的烧结温度,使瓷料的介电性能达到高频 MLCC电性能要求。研究结果表明,采用 Ca、Nd、W 复合添加剂可显著地降低 Ba_2Ti_9O_(20)主晶相的合成温度降至 1 200℃,采用硼硅酸盐玻璃可使陶瓷烧结温度降低至 1 000 以下,实现了 Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷与低钯电极浆料的共烧,成功地应用于高频 MLCC。     

中温烧结BaTiO3基瓷的非均匀结构对εr—T特性的影响

含低熔物Ｂｉ２Ｏ３．ｎＴｉＯ２及ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３基中温烧结瓷料，通过改性物Ｌａ、Ｎｂ等在固－液相烧结过程中溶＝析和缺位补偿固液溶，主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成核－壳结构，并存在玻璃相，这种非均匀结构对铁电相的制约作用引起瓷料的εｒ－Ｔ特性的改变。