膀胱上皮细胞表面糖被的电镜研究

应用电镜钌红染色与植物凝集素标记技术对小鼠和牛的膀胱上皮的糖被及其在发育中的变化进行了研究，结果显示膀胱表层细胞的腔面质膜上存在丰富的糖被结构，其厚度为４０－６０ｎｍ。它可为钌红染色，但对Ｃｏｎ Ａ和ＷＧＡ的标记不敏感。在胚胎发育的早期，膀胱表层细胞可被ＷＧＡ特异标记，但其标记程度随ＡＵＭ蛋白的增加而迅速下降，揭示在发育过程中膀胱上皮腔面质膜的糖被成分可能发生明显的改变。     

膀胱上皮细胞的生物学特征及其与细胞分化的关系

膀胱上皮细胞的生物学特征及其与细胞分化的关系梁凤霞，丁明孝，翟中和（北京大学生命科学学院，北京１００８７１）哺乳动物膀胱上皮细胞最典型的特征就是其表层细胞游离面质膜及细胞质中的大量的梭形泡膜均存在一种独特的膜结构—下对称单位膜（ＡＵＭ）￣［１］。目前...     

DGD包埋—去包埋样品的免疫标记

小鼠膀胱上皮细胞经细胞选择性抽提和ＤＧＤ包埋后，制备超薄切片，并对其进行免疫标记。结果表明，ＤＧＤ包埋－去包埋样品中的ＡＵＭ蛋白仍可特异地被抗体所识别，这一结果为证明小鼠膀胱上皮细胞中由ＡＵＭ蛋白组成的梭形泡以及腔面不对称单位膜结构均与中间纤维相连提高了证据。本文还对ＤＧＤ包埋后样品免疫标记技术进行了讨论。     

LD内损耗测试新方法

提出了一种新的测试LD内损耗方法，它通过对后腔面镀高反膜，并对前腔面镀不同反射率增透膜，然后根据外微分量子效率倒数1／ηo与1／1n[1／（RfRr）的线性关系（Rf和Rr分别为前后腔面反射率）求出内损耗值。这样可以消除常用的测试LD内损耗方法中因管座反射带来的误差，使误差降低达15％。     

DGD包埋－去包埋样品的免疫标记

小鼠膀胱上皮细胞经细胞选择性抽提和ＤＧＤ包埋后，制备超薄切片，并对其进行免疫标记。结果表明，ＤＧＤ包埋－去包理样品中的ＡＵＭ蛋白仍可特异地被抗体所识别，这一结果为证明小鼠膀胱上皮细胞中由ＡＵＭ蛋白组成的梭形泡以及腔面不对称单位膜结构均与中间纤维相连提供了证据。本文还对ＤＧＤ白埋后样品免疫标记技术进行了讨论。     

牛膀胱上皮细胞形态结构及AUM蛋白的定位

本文以牛膀胱变移上皮为材料,利用石蜡切片、免疫荧光及多种电镜技术,对其形态结构进行了较为系统的研究,并对上皮细胞膜蛋白 Uroplakin I 的定位做了初步的探讨。在显微与亚显微水平上,牛膀胱变移上皮细胞大致可分为三类,即富含膜泡的表层细胞,富含线粒体的中间层细胞和其下的基底层细胞。在超薄切片样品中其腔面细胞质膜由扇形凹陷区与冠状突起区相间排列而成,细胞质膜的暗一亮一暗单位膜结构可以清晰地分辨出来,靠腔面厚约80A,靠细胞质面厚约40A,表现出明显的不对称性(图1),因而称之为不对称单位膜。冰冻断裂复型样品中在细胞质膜纵断面上,表层细胞腔面膜的形状与超薄切片中类似,亦由扇形凹陷区与冠状突起区相间排列而成。扇形凹陷区即为斑区,分布着许多的颗粒状结构,颗粒大小约11—13nm(图1左     

微腔面发射半导体激光器的像散因子

微腔面发射半导体激光器的像散因子赵一广，张宇生，焦鹏飞，黄显玲，陈娓兮（北京大学物理系北京１００８７１）林世呜（中国科学院半导体所北京１０００８３）微腔半导体激光器的自发发射因子是当前非常热门的研究课题。理论预言，在微腔半导体激光器中自发发射因子可能...     

AUM结构及其与膀胱上皮分化关系的电子显微镜研究

哺乳动物膀胱上皮中存在一种独特的不对称单位膜结构。本文应用多种电镜技术，观察了小鼠和牛的ＡＵＭ的形态结构，并对ＡＵＭ蛋白及其ｍＲＮＡ进行定性与定位研究，在此基础上膀胱上皮细胞分中中ＡＵＭ结构与成分的变化，结果显示：（１）小鼠膀胱上皮中间层细胞开始转录ＡＵＭ的ｍＲＮＡ并释译ＡＵＭ蛋白形成典型的ＡＵＭ结构，而牛只有在表层细胞中表达ＡＵＭ蛋白，它们可能代表两种不同类型的膀胱上皮细胞的终末分化形式。（２）     

刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性

本文报道了用反应离子刻蚀（RIE）与晶向湿法化学腐蚀（XWCE）相结合沿InP衬底（110）方向获得工作波长1．3μm的InGaAsP／InP双异质结激光器的腔面的方法．用CH4：H2：Ar2的混合物作干法刻蚀的反应气体，用H2SO4：HCl：H2O2作湿法腐蚀的腐蚀剂，我们获得了质量较好的激光器的光学腔面．用一个刻蚀腔面与一个解理面组成激光器的F－P腔，我们获得了它的宽接触阈值电流和微分量子效率与用传统的解理腔面的激光器的宽接触阈值电流与微分量子效率相当的激光器．     

用电子束抽运的垂直腔面发射激光器作投影显示

美国加州Principia Lightworks公司和俄罗斯列别捷夫物理所的科学家正在研制用电子束抽运的垂直腔面发射激光器（eVCSEL）作背投电视显示器。有关电子束抽运的垂直腔面发射激光器的概念，在2005年西部光电子学研讨会（Jan．22—27；San Jose，CA）上作了介绍，它是超高压灯的低价替代物。会上还提出用激光二极管和二极管抽运固体激光器作显示器。     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱掩埋条形激光器

利用ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相外延二次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体激光器．经腔面镀膜后，器件已稳定工作４５００多小时．     

GaAs／AlxGa1—xAs多量子阱掩埋条形激光器

利用ＭＢＥ生长的ＧａＡＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相一次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体激光器，经腔面多功能摹一器件已稳定工作４５００多小时。     

外加电场下垂直腔面发射激光器的偏振转换电流

电光效应双折射可以控制垂直腔面发射激光器的偏振特性。本文计算了作用在垂直腔面发射激光器（VCSEL）的上面的分布格反射镜（DBR）上的外加电场产生的双折射,并在此基础上通过对自旋反转模型（SFM）的修正,得到面发射激光器在外加电场存在时的偏振转换电流。     

性能优良的光泵垂直腔面发射激光器

光泵半导体（OPS）激光器是一类以特殊类型垂直腔面发射激光器（VCSEL）为基础的新型器件，与以电流注入驱动的垂直腔面发射激光器不同，光泵垂直腔面发射激光器是用二极管泵浦激光驱动的。这种器件具有所希望的性能特性组合，如小型组件的高功率和优良TEM00模特性的组合。这种技术还可做成具有特定波长输出的激光器或在850～1600nm光谱范围可调谐的激光器。这些特性意味着光泵半导体激光器具有渗透或影响许多商业化激光应用开发的潜力，其中包括在通讯方面的应用。这方面的一个重要例子是泵浦高功率掺饵光纤放大器（EDFA）。光泵光泵…     

垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析

采用等效法布里-珀罗（F-P）腔方法对垂直腔面发射激光器（VCSEL）的上、下两层分布布喇格反射（DBR）结构的特性进行了研究，计算并讨论了上、下两层DBR结构在不同对称模型、不同周期数时对微腔结构的反射率的影响。得出反射面DBR结构的周期数为30左右，出光面DBR结构的周期数20左右，易实现激光输出，与实际设计基本一致。     

不对称单位膜的电镜显示

应用多种电镜技术，观察了膀胱上皮细胞不对称单位膜（ＡＵＭ）的形态结构，并对其成份、分布及其与细胞骨架的关系进行了研究。同时针对这一特殊细胞结构在电镜制样方法上也进行了多方面的探索，并取得一些有意义的结果：（１）ＡＵＭ富含带有糖侧链的糖蛋白；（２）小鼠中间层细胞也具有ＡＵＭ结构；（３）ＡＵＭ结构与中间纤维紧密结合。这些结果为研究ＡＵＭ与膀胱上皮细胞分化的关系以及ＡＵＭ的功能提供了新的直观的证据。     

用LPE研制的室温连续工作的1．48μm单量子阱激光器

利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长为２００μｍ，ＣＷ，１３℃）。激射波长为１．４８μｍ，最高输出功率达１８．８ｍＷ（Ｌ＝２００μｍ．ＣＷ，１８℃）。脉冲输出峰值功率大于５０ｍＷ（脉冲宽度１μｓ、频率１ｋＨｚ），未见功率饱和。量子阱的阱宽为２０ｎｍ［１］．     

降低VCSELs激射阈值途径的理论研究

针对量子阱有源层的结构特点，考虑增益和载流子浓度呈对数关系，建立量子陆垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的速率方程，导出了阈值电流密度的解析表达式，运用MATLAB软件中Simulink可视化仿真系统对理论计算进行模拟仿真，研究了降低VCSEL激射阈值的3个基本途径；有源层选用量子阱实现微腔结构，腔面采取多层介质反射膜提高光腔反射率R：改进外延生长技术在降低各种损耗。     

长波长1.3μm超辐射发光管的制备

对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜（ＡＲ）制备超辐射发光管（ＳＬＤ），测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布，并计算了器件端面的剩余反射率。     

电注入垂直腔面发射激光器

电注入垂直腔面发射激光器桑迪亚国家实验室的研究人员已报导首支电注入可见光垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）。此次演示被认为是激光技术的一个重要进展，这种进展使可见光面发射半导体激光器更接近于实现潜在的广泛产品。这个成就是桑迪亚Ｒ．Ｐ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ...