InGaAs／InAlAs量子级联激光器研究

简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性,该器件具有增强型脊型波导结构,在80K时阈值电流为0．5A,相应的阈值电流密度为5KA／cm^2。     

155Mb／s时分光交换系统

本文介绍了国内第一个１５５Ｍｂ／ｓ时分光交换实验系统。系统以新型半导体光器件－半导体光开关门为核心构成，传输速度为１５５Ｍｂ／ｓ。     

三端1.3μm InGaAsP／InP双区共胺激光器

研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍ ＩｎＧａ ＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性，两种激光器均实现了室温连续（直流）工作，吸收区电极的设置使两种器件的Ｐ／Ｉ特性均获得了大范围调节。     

应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器

利用应变补偿的方法研制出激射波长λ≈3.5—3.7μm的量子级联激光器.条宽20μm,腔长1.6mm的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs量子级联激光器已实现室温准连续激射.在最大输出功率处的准连续激射可持续30min以上.     

低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.     

GaAS/GaAlAs pnpn负阻激光器异质基区输运特性及载流子限制因子

本文从求解连续方程出发,分析了作者们参与研制的GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中含有双异质结激光器结构的晶体管异质基区的输运特性,讨论了各自的影响.求得了激射有源区中载流子限制因子的分析表达式.     

InGaAsP／InP MQW电流控制型双稳／非线性增益开关激光器

一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．     

408自锁高速双光子开关的研究

４０８自锁高速双光子开关的研究李长英，忽满利，王胜远，韩雁勤（西北大学物理系统激光教研室，西安７１００６９）徐大纶，程昭，吴荣汉，张权生（中科院西安光机所瞬态光学技术国家重点实验室）基于对ＣＣＴＳ光双稳逻辑功能及ＰＩＮ型自电光控测器逻辑功能进行了深入...     

GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中的光开关、光双稳特性

本文首次报道了利用PnPn型GaAs/GaAlAs 激光器件实现光双稳及光开关工作的实验结果以及采用双光晶体管模型对于器件的光双稳、光开关作用原理的一般性分析.