面板过孔设计对聚酰亚胺液扩散的影响

为提高产能,笔记本电脑超高级超维场开关(HADS)产品的聚酰亚胺(PI)膜涂布方式从辊涂的感光树脂转印版(APR版)转印变更为喷墨打印,涂布方式的变更造成了PI液滴无法填充到高段差钝化层(PVX)过孔内,进而在过孔周围PI液堆积产生宏观"线Mura"不良。我们通过变更产品设计与工艺参数调整以及工艺过程优化,设法降低或消除不良产品,使良率满足量产需求。首先,通过变更钝化层掩膜版使得钝化层过孔和Com走线有一定偏移量(钝化层半过孔),半过孔设计利于PI液通过半过孔缺口设计进入钝化层过孔内。为了减小钝化层过孔尺寸和数量对PI液扩散的不利影响,钝化层过孔周期从1/3变更为1/6,过孔尺寸从5.7μm增大到7.5μm。钝化层掩膜版设计的变更极大改善了PI液进入过孔内,将"线Mura"不良率从100%降为15%。其次,从提高PI液滴涂布均匀性方向出发,将喷墨打印涂布方式从1次涂布变更为2次涂布,2次涂布的叠加效果使相邻液滴间扩散时间更久,液滴间距更小,膜厚更均匀,使"线Mura"不良率从15%降为1%。再次,通过改变PI液滴在过孔周围走线的扩散方向来提高扩散均匀性,通过将喷墨打印机台角度从0°变为2°,进一步使"线Mura"不良率从1%降为0.2%。     

Rubbing Mura产生机理及改善研究

Rubbing Mura是以接触式摩擦工艺生产TFT_LCD产品时常见的顽固缺陷,尤其在HADS产品上不良发生率更高。本文对Rubbing Mura产生的原因及机理进行分析,发现该不良由TFT基板上的源极线(Source Data,SD)附近的Rubbing弱区漏光引起。研究了Rubbing强度(Nip值)、Rubbing布型号、Rubbing布寿命、黑矩阵(Black Matrix,BM)加宽和SD减薄对HADS产品的Rubbing Mura的影响,选择最优的工艺条件,Rubbing Mura的不良发生率由2.4%降至0%,改善效果明显。     

TFT-LCD制程中Sand Mura的失效模式分析及改善研究

在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的Sand Mura问题。实验结果表明,Sand Mura发生的主要原因是像素电极ITO在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点;通过变更ITO薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在PVX过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0.3%,产品质量得到了很大的提高。此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础。     

摩擦工艺不良的探究

TFT-LCD的摩擦工艺中,容易产生摩擦Mura、L0条形不均、摩擦划伤等不良。分析及验证发现:摩擦Mura的发生与摩擦强度较弱,聚酰亚胺膜配向力不足引起像素漏光相关。选择摩擦强度好的尼龙布,并控制摩擦布寿命在100张基板以下,可以有效控制不良的发生。通过工艺调整加强摩擦强度时需考虑Zara发生情况,选择摩擦Mura和Zara总体发生较低的摩擦强度是必要的。采用摩擦辊垂直基板短边设计,可一定程度控制摩擦Mura的发生;长条型像素设计可从源头防止漏光产生。产品设计时避免显示区延伸区域大块金属的干涉可一定程度防止条形不均发生,以信号层作为绑定IC引线较之开关层做引线对条形不均改善有更好的效果。棉布的棉籽剪裁、摩擦设备机台的及时有效清洁、基板来料的超声波清洗是防止摩擦划伤发生的有效保证。     

ADS液晶面板划痕Mura研究

手指滑动ADS(Advanced Super Dimension Switch)液晶面板的L255画面时,由于按压导致的液晶分子形变和电场作用,滑动位置亮度会降低,表现为留下发暗的按压的痕迹。如果该痕迹在按压5 s后不能恢复,我们称之为划痕Mura(Trace Mura)。本文通过对比5种不同像素设计的液晶面板的滑动按压实验的结果,得到了像素电极设计、驱动电压对Trace Mura的影响;进一步模拟分析液晶分子状态,得到判断不同像素设计的Trace Mura风险的模拟方法。主要结论如下首先,像素电极尾部设计对于Trace Mura改善方面,弧角设计优于切角设计,切角设计优于开口设计;像素电极间距(Space)越小,Trace Mura风险越小。其次,Trace Mura需要在高灰阶电压下按压划动液晶面板才能发生;而发生Trace Mura的液晶面板,可以通过降低液晶面板的电压灰阶来消除按压痕迹。最后,对比液晶分子状态模拟结果,确认在电极末端的液晶分子方位角会发生突变(即向相反方向偏转),模拟的突变角度在-15°以上,预测有Trace Mura风险。     

TFT-LCD残影不良的研究与改善

影像残留是TFT-LCD,特别是TN型产品常见的不良,对产品良率影响很大。本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残影进行分析。发现产品设计时Data线两侧段差过大,是导致残影发生的主要原因,通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残影,实验得出配向膜膜厚高于110nm,摩擦强度高于5.5N·m时无残影发生。通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5h,摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10h,并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场,从而降低残影。通过以上措施,对于15.6HD产品,良率提升了10%,为企业高效生产奠定基础。     

双面印制线路板的设计

本文叙述应用图论原理设计双面印制板的方法。人们在设计印制板时,从可靠性、组装密度和生产效率等方面考虑,总希望过孔数愈少愈好。本文正是为达此目的而以连线的最少交叉数作为优化目标进行设计的。文章一开始简略地谈及印制扦件的划分,面数的确定等问题,而着重谈了网络图的分解及印制板的设计过程。所谈设计过程是以Nicholson法为基础先求出对应印制板两面的两个无交叉数的子图,而后用李氏算法求给定网络中一定产生交叉的连线的道路和过孔设置位置。方法可适用于CAD系统,也适用于人工布线。此法虽不一定能求出交叉数绝对最少的解,但此方法比较省时。     

基于多普勒频差的无源雷达测速精度分析

为了提高无源雷达系统的测速精度,研究了基于多普勒频差的速度测量.利用典型航线的仿真试验结果表明,相比传统的位置差分测速,基于多普勒频差测速性能有较大提高.同时,给出四站时差系统的测速精度理论推导,并且仿真分析Y型布站时,不同多普勒频差测量误差情况下的速度精度分布规律.仿真结果为无源雷达系统设计和应用提供了理论依据.     

加固液晶显示器高温环境下热应力探究

为了探究加固液晶屏高温下热应力影响,建立了基于ANSYS的液晶屏复合结构的有限元分析模型,模拟分析了二维模型等效应力和液晶层上边界Y方向应力的分布情况。仿真结果表明,当环境温度上升到70℃,胶层中气泡和裂纹附近会发生应力集中,液晶盒上边界也会发生相应位置Y方向应力集中。将三种光学胶实际测试的力学数据代入模型分析发现,光学胶的弹性模量和热膨胀系数越大,引起的应力集中也越明显。基于模拟分析,胶层中含有裂纹时液晶屏所受应力最大,因此加工中应避免胶层出现裂纹。在对液晶屏粘贴ITO玻璃时,应该选用弹性模量和线膨胀系数较小的光学胶。     

周边配向膜Mura改善研究

在大世代线液晶面板厂,因产品切换便捷、产能高等优势,配向膜材料涂布多采用喷墨印刷方式。但随着高分辨率、无边框等技术升级,喷墨印刷方式面临的挑战也随之增加,产生了很多新的配向膜不良。本文研究了一种周边配向膜Mura,分析原因为阵列基板上的配向膜固化时,在基板周边过孔处出现堆积,造成周边显示区配向膜厚不均匀,导致显示区边缘形成暗线不良。文章从配向膜边界位置、预固化温度、预固化环境气压和配向膜膜厚4个方面进行分析实验,证明了外扩配向膜边界、降低预固化温度、降低预固化环境气压和降低配向膜膜厚,可以有效减轻配向膜在周边过孔处堆积,进而成功解决此不良,获得优异的显示品质。     

基于激光光束质量测量的超消色差物镜设计

在激光光束质量测量时,为了避免每次测量不同波长激光都要对聚焦透镜的焦平面位置进行标定,降低测量误差,研究和设计了覆盖紫外至近红外波段的超消色差物镜。基于波像差的理论,推导了超消色差物镜初始结构求解的方程组。应用光学设计软件Zemax设计了工作波段为350~1100nm的宽光谱超消色差物镜,焦距为200mm,入瞳直径为25mm。给出了光学系统图、纵向像差曲线、焦移曲线及调制传递函数(MTF)曲线。设计结果表明,采用该方法设计的物镜,在0.707孔径处不同波长光线的球差曲线基本相交于一点,实现了超消色差;工作波段内的焦移仅为26.3μm,基本固定了焦平面的位置;在截止频率范围内的MTF均接近衍射极限,满足了紫外至近红外波段激光光束质量的测量要求。     

TFT-LCD一种绿Mura机理分析和改善

色斑不良(Mura)是薄膜晶体管液晶显示器常见的显示缺陷,严重影响产品品质。色斑不良表现形式多样,原因也各不相同。本文针对8.5世代线发生于81.28cm(32in)产品上的一种固定位置发绿条状Mura,通过实物解析、设备排查和不同工艺条件试验,对不良机理进行研究。实验结果表明,81.28cm(32in)产品彩膜绿像素使用的G-1型光刻胶受光照后性质发生变化是导致该不良的直接原因。进一步确认不良的根本原因为G-1型光刻胶中颜料分子锌酞菁化合物在600～700nm光波处存在吸收峰,被光照后吸收光子生成自由载流子,形成附加电场,导致该区域液晶偏转异常,显示出宏观绿Mura。从阻隔光照和减少光生载流子产生数量两个方向入手,通过添加高敏感度光起始剂和使用颜色浓度更高的颜料分子,形成两种改善材料,量产导入后,均成功将不良发生率由约20%降低为0,有效提升了产品品质。     

光刻胶段差对光刻图形的影响与改善

TFT光刻制程中,光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上,各区域的光刻程度不同,严重影响着光刻图形的质量。文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析,根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点,推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时,光刻系统中光刻平面所应处于的位置,同时结合当前光刻系统焦平面的位置,计算出光刻平面的调整量,并以该调整量对当前光刻平面进行调整。结果表明:对于极限分辨率为2.41μm的投影光刻机,要使厚0.52μm的光刻胶段差内光强变化量为零,光刻平面调整量为9.434 42μm,且对光刻平面调整后10μm后,在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下,可显著改善沟道长为2.5μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留。     

聚合物的表面取向与液晶预倾角之间的关系

在经摩擦处理的聚合物取向层上,液晶分子是在离表面倾斜的某一极角上取向排列起来的。这一预倾角在设计ＬＣＤ时是一个重要参数。本文介绍了聚合物取向层的摩擦工艺,并介绍了测定在取向层中聚合物倾斜角的测量方法。本文还描述了在聚合物倾斜方向和液晶层预倾角之间的关系。     

选择合适的基站天线

基本电气指标 选择天线时必须考虑天线塔的机构强度、天线高度、发射功率等技术指标。 增益——天线是无源装置,为了增加一个方向上的增益你必须从另一个方向上取得能量。由于天线总的发射能量是固定的,要增加天线的增益只能在某一方向或平面上重新分配能量,增益只能在所要求的方向或平面上产生。 移动无线电系统使用的是垂直极     

高斯光束—光波导的耦合

本文研究了 Si基 Si O2 光波导与高斯光束之间的耦合。用有效折射率法计算了波导 TE模基模的分布 ;实验测试了与光斑直径小于 10 μm的高斯光束的耦合位置允许误差。结果表明归一化耦合比在5 0 %以上时 ,x- y方向的位置误差应该在± 5μm内 ,z方向位置误差在± 2 0 0μm。     

RGBW彩色滤光片技术开发与应用

为了扩大公司产品布局,尽快将RGBW产品推入市场,本文对该类产品关键的RGBW彩色滤光片(Color filter,CF)技术进行开发,并结合公司产线特点,对RGBW CF技术应用能力提升进行研究。首先通过产线测试,从高平坦保护膜(Over coating,OC)材料特性、OC厚度设计、OC工艺条件等角度出发,对该技术的关键特征参数RGB-W段差进行优化,建立像素尺寸、OC厚度与段差关系的数据模型,并进行产品验证。接着,建立段差与液晶盒厚、色温、透过率的关系,对OC Mura的影响因素进行分析及优化,降低新技术应用可能造成的产品品质风险。最后,针对产线特点造成的OC异物高发问题,通过异物检查机、SEM、显微镜等分析设备对异物发生率及发生原理进行分析,从材料、工艺参数、设备参数及设备状态等角度制定改善对策,提升产品良率。最终实现RGB-W段差0.6μm以下,CF良率99.5%以上。该技术满足产品品质及量产稳定性要求。     

非金属材料材质一致性确认的重要性

该文主要针对手机导光板在市场上使用一段时间容易变黄的问题开展了试验研究。采用密度、红外光谱仪（IR）、示差扫描量热仪（DSC）和热重分析仪（TGA）对易发黄手机导光板、良品手机导光板、原材料1及原材料2进行了一致性测试,发现前后两次供货的手机导光板材质不一致。由此说明企业在来料控制时对材料进行一致性确认的重要性。     

扩展源高速平均密度场光传输成像分析

扩展源发出的光经过平均密度场传输的成像还没有被充分地研究。当某个扩展源与某个侧窗头罩内的成像系统相距较近时,用光线追迹和傅立叶光学研究该扩展源发出的光经过平均密度场传输的成像特性。研究发现扩展源上不同点光源的成像偏移角和成像模糊指标有差异。因此采用综合偏移指标、综合模糊指标来分别描述扩展源成像的总体偏移、模糊情况。研究发现:当扩展源和成像系统的相对位置不变,平均密度场相对成像系统分别沿流向、展向、光轴方向平移时,上述两个指标均会发生变化。并且在这三种情况下这两个指标的变化情况各不相同。对上述现象的原因进行了深入的分析。在工程设计中,该研究有助于选择成像系统相对窗口的合适安装位置。     

高束流密度金属注入离子源

本文对直接从高温石墨室的稳定金属等离子体放电中,引出高束流密度的宽束离子源的设计特点和初步试验进行了介绍。金属蒸气是通过将电子流引入到具有阳极电势的坩埚内,使其中的纯金属蒸发而得到的。当金属蒸气的数量达到能自己维持的程度时,就停止送入用于起动放电的氩气。引出的钛或铜离子束在距离子源50cm处的靶上,束斑直径可达几厘米,束流密度可达几百μA/cm~2。该系统简单、安全、易于保养。