（Sr,Pb）TiO3陶瓷的PTCR现象

通过化学共沉淀工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于７０Ω·ｃｍ，升阻比超过１０＾６，烧结温度可以降低至１１００℃以下。     

柠檬酸盐溶液—液相包裹法制备超细PTCR粉末的研究

通过复合柠檬酸盐溶液喷雾干燥法制备掺杂ＢａＴｉＯ３粉末，再经液相包裹法添加烧结助剂的和受主要持，制得了超细，化学均匀性好，烧在性大于的ＰＴＣＲ粉末。掺杂ＢａＴｉＯ３粉末的实际粒径范围为２０－５０ｎｍ，烧结助剂和受主杂质可通过液相包裹技术均匀地包裹在掺杂ＢａＴｉＯ３超细粉末颗粒表面，用这种粉末烧结制得的ＰＴＣＲ样品，具有孤ＰＴＣＲ效应。     

Nd2O3掺杂BaTiO3陶瓷的结构和电性能研究

研究了组份为Ｂａ１－ｘＮｄｘＴｉＯ３（ｘ＝０．００２－０．０４）陶瓷的结构和电性能，实验结果表明：当０．００２≤ｘ≤０．００４时，轻度Ｎｄ２Ｏ３掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷呈半导体；而当０．０１２≤ｘ≤０．０４时呈绝缘性。ＢａＴｉＯ３陶瓷的室温电阻率ρｖ随Ｎｄ＾３＋含量的变化呈Ｕ型特曲线。组份为Ｂａ０．９９７０Ｎｄ０．００３０ＴｉＯ３的材料具有最低的ρｖ和最佳的ＰＴＣＲ效应，相应于最大的平均晶粒尺寸和最     

双受主掺杂BaTiO_3基PTC陶瓷性能的研究

本文系统地研究了Ｆｅ~（２＋）、Ｍｎ~（４＋）复合受主掺杂和烧结工艺对ＢａＴｉＯ_３基ＰＴＣ陶瓷性能的影响， 通过不同复合受主掺杂量和不同烧结工艺，测试并整理了较大量的ＰＴＣ陶瓷材料的室温电阻及 其升阻比数据，旨在研究多受主掺杂和烧结工艺对瓷料性能的影响规律及寻找一种相应的最佳配 方和最佳烧结工艺，提高ＰＴＣ陶瓷的特性。     

液相原料制备PTC粉体及其性能研究

本文介绍了一种通过液相原料形式引入以草酸盐共沉淀来制备ＰＴＣ粉体的新方法。即ＢａＴｉＯ３、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｎＯ２、Ｙ２Ｏ３等均采用液相原料引入，然后用草酸进行共沉淀，通过灼烧制得ＰＴＣ粉体。用这种粉体制得的ＰＴＣ陶瓷，其晶粒均匀性和电性能都优于传统固相法制得的ＰＴＣ陶瓷。     

多晶BaTiO3陶瓷的纳米非均匀性与电性能

发现了多晶ＢａＴｉＯ３陶瓷晶界附近的化学组成具有纳米尺度上的非均匀性，研究了非均匀性对陶瓷电性能的作用。ＰＴＣ热敏电阻器的电阻温度关系可用势垒模型说明：ＢＬ电容器的介电温谱要用壳层模型才能解释，这种差别主要由于晶界区的纳米非均匀性。     

钡锶铅氧化物陶瓷的结构与热敏性

本文应用共沉淀法制备了Ｂａ１－ｘＳｒｘＰＢ１＋ｙＯ３－δ（Ｘ＝０，０．１，０．３．０．５，０．７，１；ｙ＝０．０．１．０．２，０．３）陶瓷试样。测定了试样的电阻－温度特性。并对样品进行了Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的观察，以研究Ｓｒ掺杂ＢａＰｂＯ３陶瓷的结构和热敏性。实验结果表明：掺杂钡铅氧化物陶瓷仍是钙钛矿结构。随着Ｘ含量增加（ｙ为定值）陶瓷的ＰＴＣＲ温度升高，但ＰＴＣＲ效应逐渐降低；ｙ＝０时，几乎没有ＰＴＣＲ效应．ｙ＞０．２时，ＰＴＣＲ效应也不明显，而在０＜ｙ≤０．２时，ＰＴＣＲ效应随ｙ值的增加而增大。     

BaTiO3系陶瓷电压非线性特性研究

对ＢａＴｉＯ３－ＢａＺｒＯ３,ＢａＴｉＯ３－ＢａＳｎＯ３,ＢａＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３非线性陶瓷材料的介电性能（ε,ｔａｎδ）与外ＢａＺｒ０．１３Ｔｉ０．８７Ｏ３,ＢａＳｎ０．０６Ｔｉ０．９４Ｏ３在直流偏压下ε可变化１．５￣２．７倍;在交流电压下ε可变化２￣２．５倍,且具肮介电常数、较高抗电强度,可用作开关电源ＲＣＤ保护电路的非线性陶瓷电容器和荧光灯无触点起辉器材料,Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３在直流偏     

多施主掺杂PTC陶瓷材料的研究

本文在双施主掺杂高ＴｃＢａＴｉＯ_３基ＰＴＣ陶瓷材料的基础上,对ＢａＴｉＯ_３的Ａ、Ｂ、Ｏ位同时进行离子置换以实现多施主掺杂,同时还研究了烧结温度对阻温特性的影响。研究结果表明,多施主掺杂试样的烧成温度对ｐ－Ｔ性能影响很大,在一定配方及工艺条件下,获得的ＰＴＣ陶瓷材料的室温电阻率变化不大,升阻比明显提高。     

高居里点PTC陶瓷相变延迟现象的研究

本文研究了高居里点ＰＴＣ陶瓷相变延迟现象的原因。认为由于主晶相Ｂａ１－ｘＰｂｘＴｉＯ３固溶不充分，成分分布不均匀所造成的。对生产高性能，高α系统的ＰＴＣ陶瓷有一定的指导作用。     

醇盐水解法合成高纯超细BaTiO3粉体

近年来，高纯超细ＢａＴｉＯ３粉体的制备技术发展十分迅速，它们在ＢａＴｉＯ３电子陶瓷的应用研究中起着日益重要的作用。尽管ＢａＴｉＯ３粉体的合成方法很多，但醇盐水解法有其不可解辨的优点。本文就醇盐水解法合成ＢａＴｉＯ３粉体的制备技术及其发展作了综合评述。     

掺Cr,Ni钛酸钡陶瓷的介质非线性效应

对ＢａＴｉＯ３及其掺Ｃｒ或Ｎｉ陶瓷的ε，ｔｇδ进行了测量和讨论。测量电压为０．０５－５Ｖ，测量频率为０．１－１００ｋＨｚ，实验表明：ＢａＴｉＯ３陶瓷是非线性材料，适量掺入Ｃｒ或Ｎｉ可明显抑制这种效应。非线性效应、内偏置电场现象和老化现象都邮自同一根源，即电畴结构的稳定性，非线性效应是电畴结构反抗外场作用稳定性的表现。     

BaPbO3／BaTiO3系复合陶瓷的研究

报道了导电陶瓷ＢａＰｂＯ３与铁电陶瓷ＢａＴｉＯ３进行复合的结果，研究了该复合功能陶瓷的物相、导电性和低温电阻温度特性。结果表明：采用合理的合成工艺，可得到呈现混和分布的两相复合功能陶瓷材料，该复合材料的电导特征符合三维渗流导电行为。     

多孔BaTiO3陶瓷的显微结构及半导化不均匀现象

本文用扫描电子显微镜和微区能谱分析研究了Ｎｂ掺杂浓度对多孔ＢａＴｉＯ３陶瓷显微结构及半导化性能的影响；对Ｎｂ掺杂浓度在半导化组分附近的样品中产生的半导化不均匀现象进行研究，认为产生这种现象的主要原因是由于样品中的Ｎｂ元素在烧成过程中通过表面向外界扩散引起的。     

两种晶型结构的TiO2对PTC启动元件恢复特性的影响

对比金红石、锐钛矿两种晶型结构的ＴｉＯ２粉体对ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣ启动顺恢复特性的影响，分析得出国产启动器与日产样品恢复时间差异的由来。     

SrTiO3基功能陶瓷的制备与特性研究

本文研究了气相扩散ＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３使ＳｒＴｉＯ３基陶瓷基片晶界绝缘化,气相扩散ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３制备的陶瓷综合性能优良。讨论了气相扩散ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３的工艺条件对半导化ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的介电性能（ε）、介电损耗（Ｄ）、非线性系数（α）及电阻率（ρ）的影响,用ＳＥＭ和ＥＰＡ对微观结构进行了观察和分析,结果显示ＰｂＯ和Ｂｉ２Ｏ３主要集中在晶界附近。用ＳｒＴｉＯ３气相扩散法成功     

超细BaTiO3粉的液相合成技术研究

把快速混合技术运用于草酸盐沉淀法，制备了超细ＢａＴｉＯ３颗粒。运用ＸＲＤ，ＴＥＭ等测试手段，研究了制备超细ＢａＴｉＯ３粉末前驱体的液相合成工艺条件，过程规律及相应的表面处理技术。     

钙掺杂对BaTiO3PTCR陶瓷性能的影响

钙参杂对ＢａＴｉＯ３ＰＴＣＲ陶瓷的微观结构和电性能具有显著的影响,钙掺杂有助于晶粒的均匀生长。少量钙掺杂对材料阻值及电性能影响不大。当钙掺杂达到一定时,材料的晶粒迅速减小,其电阻温度系数达到最大,室温电阻值增大。     

MnO2对0.85Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—0.15BaTiO3陶瓷弛豫现象的影响

研究了ＭｎＯ２掺杂对０．８５Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－０．１５ＢａＴｉＯ３陶瓷电介电、热释电以及铁电弛豫等性能的影响。添加ＭｎＯ２使ＰＺＮ－ＢＴ陶瓷的介电常数ε下降，室温老化率明显增大。随着ＭｎＯ２含量的增加，ＰＺＮ－ＢＴ陶瓷介电常数与温度的关系中所表现出来的频率弛豫现象逐渐减弱，直到消失，但其扩散相变现象仍然十分明显。     

BaTiO3超细粉的研究

通过对ＢａＴｉＯ３超细粉制备过程的探索，研究了影响化学配比及粒度的因素，提出反应过程中的ＰＨ值是影响Ｂａ：Ｔｉ比的关键因素，反应条件，分散剂，陈化剂及煅烧温度对粒度具有决定性作用，本研究提供了一条ＢａＴｉＯ３超细粉制备的新途径。