技术信息市场

<正> 1.单模连续可变光衰减器 该产品适用于单模光纤通信系统的调试、校正和测量,就其功能、性能及可靠性而言,已达到国外同类产品的水平,而价格只有国外同类产品的四分之一。其主要技术指标:(1)工作波长为1.3/1.55μm;(2)插入损耗<3.5dB;(3)衰减范围为0～65dB;(4)衰减量精度:对粗调盘来说,衰减量为10dB、20dB时为±1dB,衰减量为30dB、40dB时为±2dB;对细调盘来说,衰减量为50dB以下时为±0.5dB,50dB以上时为±1dB。     

7GHz频段单栅GaAs场效应管微波混频器

本文介绍了单栅G_aA_s MESFET微波混频器的工作原理和设计方法,给出了实际电路和测试结果.在6.7～7.2GHz频带内获得3.8±0.4dB转换增益,单边带噪声系数为7.2±0.3dB.     

用于船舶自动识别系统的机载阵列天线设计

为了满足船舶自动识别系统抗干扰性能的要求,设计了一种机载阵列天线.天线阵列由5个单极子天线单元组成,整体尺寸为Φ720 mm×306 mm,天线单元沿圆周均匀排列.通过泰勒分布和牛顿优化算法,优化阵列的辐射幅度及相位,得到实测的方位面增益-15 dB抑制范围达到128°,-20 dB抑制范围达到77°;装机后-15 dB抑制范围在114°以上,-20 dB抑制范围在51°以上.该阵列天线结构简单,成本低,满足机载环境的使用要求.     

国外简讯

由Siemens Matsushita公司生产的F4957型SAW滤波器,其3dB通带为10.6MHz,适用信道间隔为12MHz,插损为24dB.群延迟波纹为±25ns.残余边带宽度为750kHz.滤波器采用的外壳为SIP5L.体积为19.9mm×12mm×5.5mm.另由该公司在F4957基础上研制而成的F4962M型SAW滤波器,其3dB通带为11.6MHZ.信道间隔为12MHZ.插损值为26dB.群延迟波纹为±25ns,残余边带宽度为400kHz,封装外壳为SIP5K.体积为8.7mm×17.3mm×4mm.     

6.5-9GHz宽带GaAs FET功率放大器单片集成电路

<正>南京电子器件研究所已研制成X波段两级GaAs FET功率放大器单片集成电路.3dB带宽为6.5-9GHz.7.8GHz下,小信号增益8.5dB;1dB压缩输出功率70mW;4.5dB增益水平下输出功率140mW.芯片直流参数合格率较高.芯片尺寸为1.6×1mm.     

X波段集成镜像抑制混频器

文章利用CAD技术研制了X波段集成镜像抑制混频器.混频器工作频率10-11GH_z,中频频率60MH_z,噪声系数≤7.5dB(包括前中1.5dB噪声),镜频抑制度≥20dB,信号与本振隔离度≥20dB,所需本振功率2-8MW.混频管采用南京55所生产的WH334,介质基片为聚四氟乙烯玻璃纤维板(h=0.6mm),混频器本振与信号接口为波导连接,其体积为75×48×42mm~3;本振与信号接口为同轴连接,其体积为48×68×30mm~3.由于本文章采用了CAD技术,所以电路无需调试,便可得到满意结果,且一致性好,适合批量生产.     

基于微机械工艺的60 GHz波束扫描天线阵

提出了一种应用于高速率无线通信的基于微机械工艺的波束扫描天线阵.基于微机械工艺的空气填充的同轴线结构能提供低损耗的矩形微同轴传输线和馈电网络设计.设计的传输线仿真和测试插入损耗均小于0.18 dB.仿真和测试结果吻合良好.波束扫描天线阵的尺寸为17.5×14.5×0.42 mm3, -10 dB带宽为10 GHz(55~65 GHz), 其带宽覆盖60 GHz标准的全频段.波束扫描角度分别为±35°和±11°.在60 GHz中心频点, 增益分别为11.8 dBi和12.1 dBi.     

4×4光开关元件

日本航空电子在千叶县幕张Messe举行的“InterOpto2000”上宣布,该公司正在开发利用MEMS(micro electro mechanicalsystems)技术的(2×2)×32光分歧/插入多重元件(OADM:optical add/drop multiplex-er).OADM元件是在对应DWDM通信系统中使用的元件,用于筛选出某个波长的信号或者追加信号.正在开发中的OADM元件,是通过组合32个2×2光开关元件实现的.每个光开关元件尺寸为16mm×20mm,消耗功率为10μW/元件,插入损失在1dB以下,串音(Cross Talk)为70dB以上.另外,光开关结构为在正方形台面(Stage)上配置反射镜形成的.使用静电调节该正方形台面上下运动,带动反射镜随之上下移动来改变激光光路.除此之外,该公司还展示了4×4光开关.光开关元件的尺寸为10mm×10mm.消耗功率为10μW/元件,插入损失最大6dB,串音(Cross Talk)确保在70dB以上.但是该公司表示不打算组装4×4以上的大规模产品.“对于大规模要求,打算以4×4元件做为1个单元,通过组合多个单元的方法来满足用户要求”.     

一种低相移衰减器

分析设计了一种低相移PIN二极管衰减器,其平均衰减相移量为0.25°/dB,工作频带为2.5～5.3GHz,在0dB和12dB衰减时,频带内各频率的相移量都在0.5°范围内,衰减0～10dB时的输入匹配性能优于10dB。     

X波段GaAs单片中功率放大器

本文叙述了GaAs单片功率放大器的设计方法,给出了初步的实验结果.采用集总元件、制作在1×1.2mm芯片上的单级放大器,在1dB带宽340(8100～8440)MHz的频率内,最大小信号增益为6.5dB,5.2dB下的输出功率为100mW.     

小型化前倾毫米波双狭缝天线的设计与制作

常规侧向探测天线主波束垂直于天线辐射面,会导致飞行探测漏报率高,因此有必要研究具有前倾探测功能的天线,以提高探测准确率。基于HFSS软件,设计了狭缝天线结构。设计的输入参数如下：频段为36.85~37.15 GHz,收发隔离度优于50 dB,前倾角为20°~24°,旁瓣抑制度要求大于-10 dB,天线长度小于85 mm,方位角大于80°,俯仰角小于11°,增益大于11 dB。测试结果表明,天线增益为12 dB,在36.85~37.15 GHz条件下,方位角位于116°~134°之间,俯仰角位于8°~9°之间,前倾角在22°~24°之间,旁瓣抑制度位于-11.45~-14.60 dB之间,且波束方向可控。在36.5~37.5 GHz频率范围内,驻波比保持在1.413以下,收发隔离度保持在-51.132以下,天线总长度为83 mm。该天线的测试结果与设计一致,能满足设计要求,为无人机侧向探测器提供天线技术支撑。     

12GHz GaAs单片低噪声放大器

研制了用于直播卫星接收机中单级和两级12GHz频段的GaAs低噪声放大器。单级放大器在11.7～12.7GHz带内提供小于2.5dB的噪声系数,大于9.5dB的相关增益,在此频带中两级放大器噪声小于2.8dB,相关增益大于16dB,为了获得低噪声而又不降低可重复性,在此放大器中采用了具有离子注入有源层的0.5μm短距离栅电极(CSE)FET,单级放大器芯片尺寸为1×O.9mm,两级放大器的芯片尺寸为1.5×0.9mm。     

X波段4bit MMIC数字移相器的设计与实现

基于WIN 0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并制备了一款X波段4 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器.22.5°和45°移相单元采用开关滤波型拓扑结构,90°和180°移相单元采用高低通滤波型拓扑结构.对拓扑结构工作原理进行分析,并采用ADS2014软件完成电路的电磁仿真及优化.测试结果表明,该4 bit MMIC数字移相器获得了优良的宽带性能,且与仿真结果吻合良好.在8～ 13 GHz频带内,移相器的均方根(RMS)相位精度误差小于6.5°,插入损耗优于-6.8 dB,RMS插入损耗波动低于0.5 dB,输入回波损耗优于-13 dB,输出回波损耗优于-9.5 dB.该4 bit MMIC数字移相器在相对带宽为47％的X频段内性能优良,适用于有源相控阵雷达等通信系统中.     

1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8. 角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅. 研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB. 通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.     

新型双向可调光纤扭转传感器的设计与实现

提出一种新型多模光纤扭转传感器的基本原理和传感结构,推导了扭角传感的理论公式,该传感器的扭角与多模光纤的功率损耗呈线性关系。在±40°扭角范围内,技术上实现了灵敏度为0.375dB/deg.的双向对称线性扭转传感;在双向非对称线性扭转传感中,获得了0.592dB/deg.的灵敏度。     

Monolithically Integrated Laser Diode and Electroabsorption Modulator with Dual- Waveguide Spot-Size Converter Output

A 1.60μm laser diode and electroabsorption modulator monolithically integrated with a novel dual-waveguide spot-size converter output for low-loss coupling to a cleaved single-mode optical fiber are demonstrated.The devices emit in a single transverse and quasi single longitudinal mode with an SMSR of 25.6dB.These devices exhibit a 3dB modulation bandwidth of 15.0GHz,and modulator DC extinction ratios of 16.2dB.The output beam divergence angles of the spot-size converter in the horizontal and vertical directions are as small as 7.3°×18.0°,respectively,resulting in a 3.0dB coupling loss with a cleaved single-mode optical fiber.     

国外简讯

有限脉冲响应SAW滤波器 Phonon公司推出一种型号为FB199.5-6的SAW带通滤波器,带宽为6MHz,中心频率为199.5MHz。在此带宽范围内,滤波器具有线性相位和平坦的振幅响应,最大抑制为60dB,输入功率为±25dBm(最大),振幅波纹为±0.25dB,相位误差为±2°。滤波器密封在15脚的双列直插式外壳内,尺寸为20×12×5mm。 压电/热电材料     

新型LTCC高隔离低插损3dB90°电桥设计

基于宽边耦合带状线结构,该文设计了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的高隔离低插损3 dB 90°电桥。该电桥使用螺旋耦合线有效地减小了器件尺寸,同时以对称式结构建模更便于后期的优化调整。在宽边螺旋耦合带状线垂直方向引入一个伸入式可调隔离电容,极大地提高了该电桥的隔离度,使其可达27 dB,且插入损耗≤0.2 dB,较之传统的定向耦合器结构,其在提升性能的同时大幅减小了器件尺寸。对耦合线直角拐弯处的电场强度进行分析与优化,采用45°斜切的方式使拐角处的电场强度与直线处大致相等。对上接地金属板进行环形镂空处理,这将改善带内的幅度平衡度。该文设计的3 dB 90°电桥通带为0.96~1.53 GHz,插入损耗≤0.2 dB,幅度平衡度≤±0.7 dB,相位平衡度为90°±1°,隔离度≥27 dB,其具有良好的应用市场。     

L波段致冷GaAs场效应晶体管放大器

<正> 一引言在1～2GHz频率范围内,用室温最佳器件达到的噪声温度(括号内为噪声系数)的典型值是:双极晶体管为120°K(1.5dB),砷化镓场效应晶体管为50°K(0.7dB),参量放大器为40°K(0.6dB)。在许多应用中,特别是在射电天文学中,这些噪声温度限制系统灵敏度,即使需要致冷,也希望有更低的噪声。这是事实,因为灵敏度的其它限制在这个频率     

一种新颖的4bit和5bit超宽带GaAs单片数字衰减器

介绍了一种新颖的DC～20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果．该衰减器的设计采用纵向思维的方法．最终得到的4bit数字衰减器的主要性能指标是：在DC～20GHz频带内,插入损耗≤3.5dB,最大衰减量15dB,衰减步进1dB,衰减平坦度≤0.2dB,衰减精度≤±0.3dB,两端口所有态的电压驻波比≤1.6,相对于参考态,衰减态的插入相移在－10°～5°以内,芯片尺寸1.8mm×1.6mm×0.1mm．5bit数字衰减器的主要性能指标是：在DC～20GHz频带内,插入损耗≤3.8dB,最大衰减量15.5dB,衰减步进0.5dB,衰减平坦度≤0.3dB,衰减精度≤±0.4dB,两端口所有衰减态的电压驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在－14°～2°以内,芯片尺寸2.0mm×1.6mm×0.1mm．