GaAs MMIC和MESFET的生产技术及成品率控制

本文根据国外的经验和数据并结合我国的实践,分析和介绍GaAs MMIC(毫米波集成电路)和MESFET的生产技术和成品率控制原则.这些情况对我国GaAs MMIC和MESFET的进一步开展和生产有参考价值.     

10GHz1瓦功率砷化镓场效应管

<正>南京固体器件研究所已研制成8～10GHz、输出1瓦的WC62型功率砷化镓场效应晶体管.器件栅长0.8μm,总栅宽3060μm,由36条单栅指宽85μm的栅条并联组成.工艺上采用了质子注入隔离有源区的全平面结构,用聚酰亚胺作隔离介质进行栅互联,以减小有源区横向宽度,斜凹栅槽用两段腐蚀法获得,然后斜蒸发TiMoTiAu多层栅金属,用二氧化硅和聚酰亚胺对有源区作双层钝化保护,栅和漏均为双键合压块双引线的整体结构,源接地采取面连接技术,减小了源电感.这样.提高了器件的微波功率性能、成品率和可靠性.器件在     

1983年国际半导体工艺与生产展览会

<正> 1983年国际半导体工艺与生产展览会于9月27至29日在英国伯明翰国际展览中心举行。参加展出的有西欧、美、日、东德的约190家大小厂商,同时还举行半导体工艺国际会议,并有三天的专业人员提高课程,内容是“半导体中的热问题”。 展览会展出的展品几乎包括了半导体工艺与生产的各种类别,大型设备虽未运到现场,但都提供了产品说明和有关资料。展览会反映了当前半导体工艺与生产的国际水平及技术的高速度发展。以下简要介绍有特色的展品和情况。     

采用离子注入N~+层和质子隔离的12GHz 200mW功率GaAs MESFET

本文报导了采用质子隔离和Si~+离子注入N~+接触层技术,提高了功率GaAa MESFET的微波性能和可靠性.已经制成栅长1μm,总栅宽600μm的GaAs功率MESFET,12GHz下最大输出功率210mW,经严格考核表明器件具有较高的可靠性.     

C-X波段中功率GaAs MESFET

本文给出GaAs功率MESFET设计公式和计算曲线.实验结果表明:理论计算可用于确定器件的结构参数和材料参数.器件采用二氧硅隔离覆盖式叉指结构、斜凹槽栅及芯片四侧接地工艺.在4GHz下输出功率2W,9GHz下输出功率可达800mW,12GHz下输出100mW.     

12GHz 100—200mW质子注入隔离GaAs MESFET

<正>南京固体器件研究所已于1982年12月研制成功12GHz、100-200mW GaAs MESFET。该器件首次采用了质子注入隔离有源区的准平面结构,并在浓度为1～2×10~(17)cm~(-3)的N型有源层上用硅离子注入制备1×10~(18)cm~(-3)的N~+接触层,有效地减小了寄生栅压块电容和源串联     

X波段GaAs单片中功率放大器

本文叙述了GaAs单片功率放大器的设计方法,给出了初步的实验结果.采用集总元件、制作在1×1.2mm芯片上的单级放大器,在1dB带宽340(8100～8440)MHz的频率内,最大小信号增益为6.5dB,5.2dB下的输出功率为100mW.     

X波段输出100mW砷化镓单片功率放大器

<正>南京固体器件研究所已研制出X波段砷化镓单片单级功率放大器.FET管芯、匹配电路和偏置电路全部集成在l×1.2×0.1mm的GaAs芯片上,其中MESFET的总栅宽为600μm,栅长0.8μm,采用空气桥源互连,电路全部采用集总参数元件,并首次将高通滤波器型匹配