平面器件欧姆接触的电流流动模型

本文提出了平面器件的欧姆接触的电流流动模型,用简单明了的物理意义、 直观地采用电流流动的微分方程解出了考虑电流集中效应存在时的接触电阻表达式,并讨论了在器件设计中的应用。为使工程应用方便,给出了R_(cs)～a和R_(cs)～L_T两组曲线族。     

一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型

对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.     

一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型

对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.     

Microchip双重连接运算放大器

Microchip Technology(美国微芯科技公司)近期推出一款适用于数码应用的创新模拟器件。新器件采用具有低功耗片选的8引脚封装,并实现标准二级放大器信号链。器件内部的二级放大连接功能可将一个运算放大器的输出作为另一个运算放大器的输入,从而使得整体设计更为紧凑。Microchip MCP62x5器件能在扩展工业温度范围(即-40℃～+125℃)内运行,能提供轨到轨输入/输出(I/O)的单端运算放大器。新器件的增益带宽积(GBWP)为2MHz、5MHz及10MHz,可在低供电电流下运行,有助于设计人员开发高效电流流量设计。新器件广泛适用于传感器、汽车、仪表…     

Vishay发布18款FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出18款采用TO-252AA(D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4～15 A的200 V和600 V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器。这些器件兼具极快的恢复时间、低正向压降和反向电荷,其中包括业界首个采用此种封装且正向电流大于10A的600V整流器。其发布的200 V整流器具有4 A、8 A和10 A的正向电流,600 V器件具有5 A、6 A、8 A、12 A和15 A正向电流。12 A电流的VS-12EWH06FNx-M3和15A电流的VS-15A WL06FNx-M3、VS-15EWL06FNx-M3、VS-15EWH06FNx-M3和VS-15EWX06FNx-M3在此类采用TO-252AA封装的器件当中具有最高的正向电流。4～6 A器件适用于照明应用(镇流器)中的缓冲二极管,8～15 A适用于电信和桌面电源中的PFC升压和输出二极管。由于具有高功率密度,Vishay的这些新款整流器可以取代这些应用中更大的SMD器件,例如采用TO-263AB(D2PAK)封装的整流器。     

高电压大电流功率运算放大器

<正> OPA549是BB公司新推出的一种高电压大电流功率运算放大器。它能提供极好的低电平信号精度,能输出高电压、大电流,可驱动各种负载。该器件的主要特点有:输出电流大,连续输出电流可达8A,峰值电流可达10A;工作电压范围宽,单电源为+8～+60V,双电源为±4～±30V;输出电压摆幅大;有过热关闭功能,电流极限可调;有使能及禁止功能;有过热关闭指示;转换率(压摆率)最高为9V/μs;工作温度范围为-40～+85℃。该器件主要应用于驱动工业控制设备(如电机、阀门、激励器和螺管线圈等)、测试设备、电源、音频功率放大器等大电流负载。 引脚功能与主要技术参数 该器件采用11引脚叉齿形封装(ZIP封装),各引脚排列如图1所示。各引脚功能如附表所示。     

LR6系列集成稳压器及其应用

<正> 美国Supertex公司最近推出一种高输入电压、低输出电流的LR6系列线性集成稳压器,它的特点是:输入电压范围宽(15～450V);连续工作输出电流为3mA,输出脉冲电流可达30mA,外接一个MOS场效应管,输出可达150mA;自身耗电为50μA;线性调整率为0.1mA/V;负载调整率为50mV/mA;纹波抑制率为60dB。 LR6系列有三端器件及五端器件两种结构。三端器件有     

高端双向电流并联监测芯片INA170

1主要特点INA170是美国德州仪器公司生产的高端双向电流监视器单片IC。该器件具有宽输入共模电压范围和低静态电流特性 ,并可利用输出偏移完成双向电流检测。其偏移电压电平由外部一只电阻和电压参考设定。当INA170单电源供电工作时 ,允许双向电流测量。INA170可将差动输入电压变换成一个电流输出 ,输出电流在负载电阻上产生的一个电压降 ,可在1到100的范围设置任意一个增益。IN A170的主要特点如下 :●具有较宽的电源电压范围 : 2.7～ 40V ;●具有 2.7～ 60V的、与电源电压独立的宽输入共模电压范围 ;●增益(1～100)可由电阻编程…     

集成电路

Seiko电池保护ICSeiko Instruments公司S-8242系列用于保护两单元锂离子电池组,据称是业界最小封装(1.8 mm×2 mm×0.85 mm),具有最低电流消耗(工作状态最大为10A;关断状态最大为0.1A)。该器件也适于锂-聚合物可充电电池组。S-8242只需要三个电阻、两个电容和一个N通道场效应晶体管(NchFETS),共六个外部元件。该器件提供六引脚SNB(B)或SOT-23-6 SMT封装,具有3.9V～4.4V过充电检测电压(50mV步进)、2V ～ 3V过放电检测电压(100mV步进),具有两级过载电流保护。其它特性包括28V高耐受电压,充电器检测功能和-40℃～85℃工作温度范围…     

高k纳米MOSFET的关态泄漏电流的研究

对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚阈区泄漏电流(ISUB)及带间隧穿电流(IBTBT)。对50 nm和90 nm MOSFET器件的Id-Vg特性进行了比较,发现在高Vdd下,关态泄漏电流(Ioff)随IEDT的增加而不断增大,并且器件尺寸越小,Ioff越大。高k栅介质能够减小IEDT,进而减小了Ioff,其中HfSiON、HfLaO可以使边缘隧穿电流减小2～5个数量级且边缘诱导的势垒降低(FIBL)效应很小。但当栅介质的k>25以后,由于FIBL效应,关态泄漏电流反而增大。     

9种新型电荷泵反转倍压器

Tclcom公司在2000年8月推出一个系列9种电荷泵反转倍压器新器件:TC1682～1684、TC2682～2684及TC3682～3684。这一个系列基本功能相同,在性能上略有差别。它们共同的特点有(?)工作电压范围1.8V～5.5V,输出电压-3.6～11V;输出电阻典型值120Ω;电压转换效率99％,外部仅需3个电容器;输出电流可达10mA;有节省电能的关闭模式(TC2682～2684无此功能);工作电流低;工作温度范围工业级(-40℃～(?)85℃);小尺寸MSOP封装。     

凌特推出电源管理系统集成电路LTC3456

凌特(Linear)日前推出电源管理系统集成电路LTC3456，该器件专为由两节碱性／镍镉／镍氢金属电池、USB或墙上适配器供电的便携式应用而优化。LTC3456可向固定3．3V主输出提供高达150mA电流以及向一个可调(VBATT～0．8V)内核输出提供高达200mA电流，为微处理器、微控制器和其外部设备电路供电。此外,     

使用新的PPTC/双金属混合器件技术保护大电流放电的锂离子电池应用

本文介绍了一种新的混合式技术,它可提供一种紧凑、稳健的电路保护器件,它能在额定电压超过30VDC的情况下提供30A以上的工作电流。这种金属混合PPTC器件(MHP)由一个双金属片保护器和一个聚合物正温度系数(PPTC)器件并联而成。这种组合既     

SiGe HBT 60Co γ辐照总剂量效应

测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及器件电流注入水平的变化。实验结果显示在累计辐照剂量超过5 000 Gy(Si)后,器件电流增益变化与辐照剂量存在线性反比关系,且增益损伤系数与器件电流注入水平有关;器件在受到总剂量为2.78×104Gy(Si)辐照后,器件静态基极电流Ib、集电极电流Ic、静态直流增益及最大振荡频率fmax出现不同程度退化;但器件其他电参数如截止频率fT、交流增益|H21|及结电容(CCBO)与辐照前相比未出现显著退化。利用MEDICI数值模拟分析了SiGe HBT参数退化机理。     

输出5V稳压的高效电荷泵变换器IC——TPS60130／131／132／133系列

TPS60130/131/132/133系列电荷泵DC/DC变换器是一种倍压式电荷和线性稳压器结合的集成电路,是美国德州仪器公司的新器件。该器件输入2.7～5.4V,输出电压的5V,输出电流可达150mA及300mA。该器件主要特点有:转换效率高,最高可达90％;输出电流大(TPS60130及TPS60131可达     

平面型2.6μm InGaAs 红外探测器变温特性研究

通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R     

40V_(IN)、2.1A轨至轨LDO+可提供广泛的监视、保护和电缆压降补偿

正加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS,CA)凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出LDO+TM系列的最新器件LT3086,该器件提供了以前线性稳压器所没有的重要功能。该40 V、2.1 A低压差线性稳压器(LDO)具有电流监视(利用可在外部设定的电流限值)和温度监视(采用外部控制的热限制温度)功能。LT3086包括一个可编程电源良好状态标记,提供电缆压降补偿,且易于并联。LT308x LDO系列器件的电流基准可提供不受输出电压影响的调节。     

4～20mA电流环供电温度传感器

用一个模拟温度传感器、一个运放、一个晶体管和一个低压降线性稳压器构成的电路（见图１)提供4～20mA输出(3.75～28V范围)。因为所用器件都具有低静态电流,所以可用此电流环为这些器件供电。温度传感器IC1输入到运放/晶体管组合A1和Q1,图中R1做为放大器负载。温度传感器的输出特性由0℃时的744mV补偿和11.9mV/℃定标系数标定。R1的选择是使其符合IC1的温度范围和4～20mA输出。在本例中,IC1在-25℃时的输出是0.4465V。选择R１为111Ω将在-25℃提供4mA输出。在125℃,IC1输出是2.213V,在所选111Ω阻值的R1上给出19.937mA输出。…     

0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR静电防护器件的设计

提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流(～pA)和开启速度快的骤回Ⅰ-Ⅴ特性,并且没有闭锁问题.该器件的抗ESD能力可达～94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.     

高压、可调恒流LED驱动器MAX16800及其应用

MAX16800是MAXIM公司2005年8月份推出的新器件,是一种可工作于高电压、可设定恒流输出的高亮度白色LED驱动器。该器件主要特点:工作电压范围6.5～40V;恒流输出范围35～350mA;输出电流精度可达±3.5%;内部集成了低压差恒流调整管,其压差典型值为0.5V;另有输出5V、4mA线性稳压器给内部电路供电;过热关闭保护;外部有电流检测电阻及内部差动电流检测放大器,形成控制回路,使LED电流稳定;有EN端作选通及输入PWM信号作调光(EN接低电平时,耗电典型值12μA);小尺寸有加强散热功能的16管脚T Q F N封装;工作温度范围-40～+125℃。该器件主…