多层片式Zn0压敏电阻器的现状与发展方向

基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用，介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO—Bi2O3系、ZnO—玻璃系、ZnO—V2O5系及ZnO—Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状，并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解．     

多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向

基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状,并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解。     

片式叠层压敏电阻器及其应用

用流延工艺把电极层和半导体陶瓷交错排布，经烧结而成的片式叠层压敏电阻器，其结构类似多层陶瓷电容器。通过与氧化锌压敏电阻器及其他压敏电阻器比较表明，片式叠层压敏电阻器具有优良的性能。并论述这类压敏电阻器在ＩＣ保护、ＣＭＯＳ器件保护、汽车电路系统保护等方面的应用。     

叠层片式ZnO压敏电阻器及其在ESD保护中的应用

介绍叠层片式ZnO压敏电阻器的性能特点和应用范围，论述了其对电路进行ESD保护的基本原理及其在高 线路中的最优化设置，指出其发展方向应为低电容和超低电容化。     

多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向

介绍多层片式znO压敏电阻器的材料组成、电板材料、生产工艺及电性能，并与圆片引线型压教电阻器进行了比较。多层片式znO压教电阻器具有许多优点，如体积小、通流容量大，响应速度快，表面安装性好和实现低压化等，流延和电镀是多层片式压敏电阻器生产中比较重要的工艺。最后指出多层片式压敏电阻器的方向。     

ZVD型片式塑封ZnO压敏电阻器的制备

用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题。将ZnO陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了片式塑封ZnO压敏电阻器。该产品与片式单层矩形和多层矩形ZnO压敏电阻器相比,具有更高的可靠性和性价比。     

梯度ZnO低压压敏陶瓷的研制

采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8 V/mm,非线性系数为19,漏电流为13μA;其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单,为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。     

叠层压敏电阻器的近期研制动向

从构成叠层压敏电阻器的生片材料（材料晶粒大小、生片厚度）、内电极材料、叠层结构和表面处理等方面，介绍叠层压敏电阻器的近期研制动向。     

多层片式压敏电阻器及其应用

多层片式压敏电阻器已被广泛应用于IC保护，CMOS，MOSFET器件的保护以及汽车电子线路保护等方面，其生片材料，内电极组成，电极形状，叠层结构以及表面处理等也有很大的发展。     

多层片式压敏电阻器的最新发展动向

介绍了多层片式压敏电阻器的现状,分析了当前工艺中存在的问题(内电极与瓷体材料的反应和端电极的爬镀)和解决的办法,指出了其最新的发展动向。在工艺技术和应用上,多层片式压敏电阻器向小型化、阵列化、模块化及低电容等方向发展;同时还要从环境保护和生产成本角度来考虑,采取水基流延制备工艺和采用新配方或纳米材料来降低压敏陶瓷烧结温度。     

多层片式ZnO压敏电阻器内电极材料研究

把三种不同钯银比例的浆料用作多层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)的内电极材料,并研究了它们对MLCV电性能的影响。结果表明:含钯内电极材料的压敏电阻的电性能,明显优于纯银内电极的压敏电阻。压敏电阻的限制电压与压敏电压比(Vc/V1mA)及漏电流(IL)随着钯含量的升高而减小;非线性系数(α)、峰值电流(Ip)及能量耐量(ET),随着钯含量的升高而提高。分析认为,随着内电极材料中Ag含量的升高,Ag+的扩散增加,导致晶粒电阻增加,即施主浓度(Nd)减少,势垒高度(■)升高,致使MLCV的电性能劣化。     

ZnO-Bi2O3系MLCV内电极扩散现象的研究

为了确定Bi系MLCV的最佳烧结温度。借助于SEM直接观察、内电极间不同位置处的能谱分析及高斯扩散公式的拟合,研究了内电极的扩散过程,并测量了内电极扩散对MLCV电气性能的影响。发现烧结温度高于1040℃时,内电极的扩散较显著;Ag和Pd沿晶界扩散的扩散系数相同,约10–11cm2/s。以Ag/Pd为内电极的MLCV的最佳烧结温度为1000℃左右,在该温度下烧结的试样其非线性指数可达28。     

压敏电阻陶瓷材料的研究进展

详细介绍了目前国内外研究最多的低压压敏陶瓷材料(ZnO系、BaTiO3系、TiO2系、WO3系)、电容–压敏陶瓷材料(SrTiO3系、TiO2系)及高压–压敏陶瓷材料(ZnO系、SnO2系)等的基本配方、制备工艺、性能及主要应用等。还讨论了我国在压敏电阻器研究与生产方面所存在的问题及今后的研究方向。     

ZnO压敏电阻器复合添加剂制备技术

论述了利用化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻器复合添加剂的原理和方法，讨论了氨水、碳酸氢铵等8种试剂作为沉淀剂的可行性。实验结果表明，合理地选择复合沉淀剂和沉淀条件，可以显著地提高压敏电阻器的通流能力、降低残压比，并可降低烧结温度和成本，有广阔的推广应用价值。     

低压压敏电阻器的研究进展

综述了目前国内外研究最多的低压压敏电阻器(ZnO系)、电容–压敏双功能压敏电阻器(SrTiO3系、TiO2系)及新型压敏电阻器(WO3系)的基本组分、掺杂种类、制备工艺、性能及主要应用的研究进展。讨论了在低压压敏电阻器研究和生产方面存在的问题,并对其发展方向进行了展望。     

大通流高电压高α值ZnO压敏电阻器

研究了 Zn O压敏电阻器的通流量、非线性系数α值及压敏电压与粉料粒径和 Sb2 O3含量的关系。研究结果表明 ,适当添加 Sb2 O3,将粉料超细粉碎 ,可以制成通流量 4× 10 3A/ cm2、α值 110、压敏电压 380 V/ mm的 Zn O压敏电阻器。     

Materials effects on the electrode-sensitive bipolar resistive switches of polymer:gold nanoparticle memory devices

Electronic devices with an polystyrene (PS) layer blended with Au nanoparticles capped with conjugated 2-naphthalenethiol (Au–2NT NPs) sandwiched between Au and Al electrodes exhibit bipolar resistive switches sensitive to the electrodes. This paper reports the effects of materials, including electrode materials, capping ligands of Au nanoparticles and matrix polymers, on the electrical behavior of the polymer:nanoparticle memory devices. Although the devices using Cu to replace Au as the top electrode exhibit resistive switches similar to those with Au, the threshold voltage for the resistive switch is higher, and the current density for the devices in the low conductivity state is lower. However, the threshold voltage and the current density are almost the same as those with Au as the top electrode, when a semiconductor, MoO₃, is used to replace Au as the top electrode of the devices. The effects of these electrodes are attributed to the charge transfer at the contacts between Au–2NT NPs and the electrodes. The resistive switches are also sensitive to the capping organic ligand of the Au nanoparticles. The threshold voltage decreases and the current density increases, when conjugated benzenethiol is used to replace 2-naphthalenethiol. However, the current density dramatically decreases and the threshold voltage increases, when 2-benzeneethanethiol, a partially conjugated molecule, is adopted as the capping ligand of the Au nanoparticles. The effect of the capping ligands is ascribed to their effect on the charge tunneling across the Au–2NT NPs in the active layer and the contacts between Au–2NT NPs and electrodes. The devices with poly(methyl methacrylate) (PMMA) replacing PS as the polymer matrix exhibit resistive switches almost the same as those with PS, which indicates that the Au–2NT NPs rather than the polymer is the active material responsible for the resistive switches.     

SnO2与ZnO压敏电阻特性比较分析

采用电子扫描显微镜对SnO2压敏电阻和ZnO压敏电阻内部结构进行了综合比较,并结合离子迁移理论,利用冲击发生器和热稳定仪器进行了大量实验,结果表明:SnO2压敏电阻较ZnO压敏电阻内部相态更简单、结构更均匀,在冲击老化和工频老化中表现更好;在大电流冲击时,SnO2压敏电阻的残压远远高于ZnO压敏电阻,这一缺陷限制了其在...     

SnO_2压敏材料势垒电压的测量

依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。选取的 4个测量温度得到的结果是相同的 ,保证了实验结果的正确性。