砷化镓数字集成电路

集成电路问世近二十年来,在提高电路性能、集成度和降低成本等方面都取得了显著的成绩.1978年,64KRAM的研制成功标志着集成电路技术发展到一个新阶段,即由大规模向超大规模过渡的新阶段.在VLSI的研制中,除继续对二十年来一直垄断集成电路领域的硅技术进行大力研究外,超导和砷化镓技术的研究工作也很活跃.虽然     

发展集成电路必须重视半导体设备

一、引言近二十年来,以集成电路(IC)和微计算机为中心的微电子技术发展十分迅速。集成电路已从小规模集成电路发展到了超大规模集成电路(VLSI)。目前已能大量生产第一代VLSI(16K位静态RAM~*、64K位动态RAM及16位微处理器);科研水平是第二代VLSI(64K位静态RAM、256K位动态RAM及32位微处理器);今年将发表256K位静态RAM。在整个七十年代中,电路的集成度平均每两年提高4倍,每块电路     

电子系统设计的新概念--系统级芯片

系统级芯片(SOC) 集成电路在过去30年的发展几乎完全遵循Moore定律,即集成电路的集成度每隔18个月就翻一番。进入90年代以后,集成电路仍保持着非常高的发展速度。从美国SRC(semiconductor research corporation)组织给出的“1997年到2009年美国集成电路工艺     

硅集成系统设计导论

一、超大规模集成(VLSI)特点及能力1.集成度与计算能力自1959年世界上第一块半导体硅集成电路研制成功以来,集成电路以其极高的性能价格比,受到工业界及学术界极端的重视,实现了人类历史上最为迅速的技术发展.衡量一个集成电路技术进步的主要标志是集成度.所谓集成度是指每一个硅芯片上所集成的品体管的数目.集成度的提高使集成电路的功能增强,单位功能的成本降低,电路速度提高,功耗下降,可靠性提高.这些优点恰恰就是集成电路发明的驱动力,是分立元件组成的电路发展到集成电路的根本原因.数字集成电路的主要应用是数字信号处理.一般用信息吞吐率     

超大规模集成电路的发展

一、什么是超大规模集成电路发明晶体管之后的1959年,便有人研制成功了集成电路.以后集成电路向提高集成度方向发展.由小规模集成电路到中规模集成电路.当在一块硅片上制成了一千个以上的晶体管时,人们便称其为大规模集成电路(LSI).     

集成电路测试处理机

最近,集成电路的微细加工技术,已经能够形成1μ的图形,集成度从LSI推进到VLSI。从而64KDRAM、256KDRAM等集成度大的器件的大量生产如今已成为现实。集成度有以2倍/年的比例增加的倾向。可以预测,高集成化将会更加向前迈进。随着集成度的增加,器件高速化;随着位数和门数的增加,呈现出了多引线化的倾向。     

低温微电子器件和电路——微电子学的研究前沿

一、微电子学发展的需要随着微电子器件、电路和系统的设计理论和工艺制备技术的发展,目前,在微电子技术某些方面,已面临着一种必须依靠低温才能解决问题的趋势.低温微电子学单独作为一学科发展方向问世,主要由以下几方面的因素促成:1.过去二十年来,集成电路的集成度每十年增加100倍,目前代表性产品是兆位动态随机存储器,集成度达到每芯片数百万个元件.由于CMOS电路独特的低功耗,高抗干扰能力等特点,已成为八十年代超大规模集成电路的主流工艺和技术.集成度的不断提高和器件尺寸的不断减小,正向其极限逼近.到九十年代初期,光学图形转移技术将会达到极限:     

ULSI时代即将到来

最近,半导体产业界认为自从1971年集成化微处理器问世以来,集成电路的集成度几乎每两年增长两倍,预计1990年集成电路半导体芯片的集成度可达100万个元件,2000年可达1000万个元件的水平。一般,人们将一块芯片上集成的元件数在10万至1000万之间的集成电路称之为超大规模集成电路,用VLSI来表示。而ULSI表示超超大规模集成电路,它的芯片集成度高达1000万个至10亿个。     

高密度组装和印刷布线技术

前言 半导体集成电路(IC)技术的出现,至今已有20多年的历史了。在这二十年期间,一方面通过提高集成度寻求高性能化,使集成电路技术由中规模(MSI),大规模(LSI)进一步发展为超大规模集成(VLSI)化。其中,电子技术革新一直起着主导作用。另一方面,作为其辅助技术的印刷布线板业已成为电子技术发展的一部分。早在集成电路出现以前,人们就用通孔铜镀法制作了双面和多层印制板。     

纳米电子技术

<正> 微电子技术引发了本世纪的信息革命,纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。 纳米电子技术应运而生 微电子技术经历了50年代小规模集成电路(集成度为100个元件)、60年代中规模集成电路(集成度为1000个元件)、70年代大规模集成电路(集成度为1000个元件以上)和超大规模集成电路(集成度为10~5个元件)以及80年代特大规模集成电路(集成度为10~6个元件以上)几个发展阶段。     

VXI总线形成集成电路自动测试系统的核心

1 VXI总线与集成电路ATE 集成电路测试仪是随着集成电路的大发展而成为自动测试系统中最重要分支,集成电路的集成度从七十年代初期的几十个元件发展到九十年代的几百万个元件,集成电路测试仪亦从手动单台仪器发展成庞大的自动测试系统。因为集成电路是信息社会的基础产品,计算机和通信机的支柱,仍然处于高速发展阶段。以微     

世界电子信息技术和产品开发的未来展望

从世界微电子及电脑的最新进展及发展势头来看,予计本世纪最后几年,集成电路芯片的集成度将每隔1～2年提高一倍;半导体技术日趋成熟,将以目前的0.3微米线宽,到2000年将推进到0.1微米线宽。届时一块集成电路内至少容纳5000万至1亿个晶体管,甚至可能达到10亿个晶体管的极限,是目前集成度的50倍以上;未来几年,由于特殊用途的半导体(ASIC)具有高速、低耗、发光等诸多优点,其需求量将急增,化合物半导体将十分走俏;神经网络式超大规模集成电路和模糊芯片将得到更大发展;可实现最佳控制的神经网络及模糊控制的家屯新产品将日臻成熟,并大量投放市场。     

三维集成电路

<正> 一、高集成化发展的必然趋势二十几年来半导体集成电路技术有飞跃的发展。以硅动态随机存取存贮器(DRAM)为例,1972年开发成功1K产品,到1985年就已有1M位产品问世,其集成度大约是每三年翻两番。这种集成度的提高,主要是依靠改进器件和电路设计、增大芯片面积以及缩小图形尺寸而得以实现的。但就目前的电路设计来说,一晶体管型存贮单元DRAM的开发已接近简化的极限。因此今后将主要是依靠增大芯片面积和缩小图形尺寸。     

国外微电子组装发展概况和展望

电子组装是电子学的一门边縁学科,它的定义为“将一张电原理图转变成为一个实用的具有一定形状尺寸的电子硬件(组件、插件、分机、分系统和整机)的技术过程”。电子技术从电子管、晶体管发展到集成电路,相应的组装互连技术也从金属底板分立元件分立走线发展到印制电路板、多层印制电路板。自59年出现集成电路以来,固态技术发展很快,现在已进入第4代大规模/超大规模集成电路,79年集成度已     

数字电路概况及选用参考

一、国外数字电路发展概况在数字电路二十年的进程中,始终朝着高密度、低功耗、高速度、低成本的方向发展. 高密度往往是反映集成电路技术水平的首要标志,这方面发展得特别快.在短短的二十年中,经历了小规模(SSI),中规模(MSI),大规模(LSI)的阶段.并已进入了超大规模集成电路(VLSI)的生产阶段.与此同时,试制成了极大规模集成电路(ULSI).微处理机和存贮器是集成度迅速提高的有力见证.目前,微处理机不仅有8位和16位的产品,而且还试制成了相当于中型计算机性能的32位微处理机,例如英特尔     

硅外延技术的进展

过去十年来,集成电路发展很快。硅片尺寸从1.5吋坛大到4吋,集成度从每片1000个元件坛加到10万个元件,条宽从10μ减到2μ,成本从每个晶体管5美分降到1/20美分。总之集成电路向着高集成度、高密度、高速度、低功耗发展,工艺技术向低成本、高置信度、便于生产及高成品率方向发展。     

预排列栅MOS器件

随着电子计算机向大型化,高速化发展,正在逐渐成为它的主要组成部份的半导体集成电路也希望向高集成度,高稳定性的方向努力。在半导体集成电路中,按照器件的结构大体上可分为MOS集成电路和双极集成电路两类,从集成度、经济上看,在中速和低速存储器中MOS集成电路今后将占有重要的位置。然而,在MOS集成电路领域里,最近提出了各种各样的设想,为了提高集成度、特性和稳定性,出现了许多新工艺,新结构,并积极地向商品化方向发展。     

支配半导体器件的微细加工技术

七十年代中集成电路达到了平均每年提高集成度两倍,八十年代逐渐进入了超大规模集成电路(VLSI)的时代,例如,从图1就可看到动态存储器集成度如此提高的情况。按照英特尔公司总经理G·莫尔的看法,集成电路的高集成化主要是由于(1)元件的微细化,(2)芯片的大尺寸化及(3)元器件设计技术的进步。     

VLSI工艺发展现状点滴

随着MOS工艺向超大规模集成电路方向的迅速发展,VLSI的集成度七十年代约每年提高1倍,八十年代预测约2年提高1倍。 在此情况下,原先应用的某些常规工艺或在近来一个时期内出现的某些工艺已渐渐地与超大规模集成电路的发展不相适应了。影响电路集成度、复杂性及电路性能的材料、加工工     

2000年的集成电路测试

在1965年戈登·摩尔发表举世闻名的“摩尔定律”,预测集成电路的晶体管数目每隔18个月增加一倍。三十五年来,集成电路历经小规模、中规模、大规模、超大规模至特大规模的发展,证明该定律的正确性,而且在二十一年纪的头十年该定律仍然有效。可以预期,2000年将开发成集成度达1亿个晶体管的微处理器,2010年集成度达到10亿个晶体管的微处理器。集成电路的集成度越高,芯片的成本也越高,电路设计和生产过程中任何疏漏,都影响最终成品率。质量的保证由每个环节的测试仪器把关,芯片封装前后的测试更为重要。进入新千年之际,集成电路测试业面临有三个值得注意的问题,它们是: 1.速度与精度;