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薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化 总被引:1,自引:1,他引:0
在300~600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN-DSOI结构.结果显示,SOI CMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN-DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力. 相似文献
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本文给出一种SOI CMOS门级二维集成数值模型.该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起,可准确地模拟亚微米SOI CMOS反相器的瞬态特性、并给出清晰的内部物理图象.模型采用一种新的数值方法──交替方向法,将二维瞬态方程转化为两个相邻时间层的一维问题解,并提出动态二步迭代法以确保瞬态模拟的快速、稳定收敛.本文简要讨论了SOI CMOS器件中少子的累积对电路瞬态特性的影响.本模型还可用于计算辐射对SOI器件的影响以及研究漏电机理,它为高可靠亚微米SOI器件及电路的研制提供了方便的CAD工具. 相似文献
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讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响.通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用.与多晶硅栅器件相比,采用CoSi2 SALICIDE结构的器件经过辐照以后,器件的阈值电压特性、亚阈值斜率、泄漏电流、环振的门延迟时间等均有明显改善.由此可见,CoSi2SALICIDE技术是抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一. 相似文献