一种用于大功率超声清洗换能器的压电材料

通过对ＰｂＭｅ（Ｃａ＿（１／４）Ｍｎ＿（１／４）Ｎｂ＿（１／２））＿ｘＴｉ＿ｙＺｒ＿ｚＯ＿３系材料的研究，并以Ｓｒ￣（２＋）、Ｍｇ￣（２＋）等价取代Ｐｂ￣（２＋），以ＣｅＯ＿２作为添加改性剂，研制出机电耦合系数高（ｋ＿ｐ＝０．６２）、机械品质因数高（Ｑ＿Ｍ＝２０３６）、机械强度高（抗张强度为４４２ＭＰａ）、经时稳定性好的适用于大功率超声清洗换能器的压电材料。     

变温长波碲镉汞光电导现象研究

变温长波碲镉汞光电导现象研究郑为建，朱惜辰，保红珍（昆明物理研究所昆明６５０２２３）本文报导了ｎ型Ｈｇ＿（０．８）Ｃｄ＿（０．２）Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系研究；并考察了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到了一组光电导的实验...     

CO_2激光武器系统用光伏HgCdTe探测器

ＣＯ＿２激光武器系统用光伏ＨｇＣｄＴｅ探测器魏建华，庄继胜，陈淑英（昆明物理研究所昆明６５０２２３）本文简述了光伏ＨｇＣｄＴｅ探测器在ＣＯ＿２激光武器系统中的应用，介绍了找们在这种探测器研制方面的进展及国内外现状，最后论述了这种探测器在外差探测方面的...     

（100）SiTiO＿3基底上YBa＿2Cu＿3O＿7／SrTiO＿3／YBa＿2Cu＿3O＿7异质外延三层膜的透射电镜观察

（１００）ＳｉＴｉＯ＿３基底上ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７／ＳｒＴｉＯ＿３／ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７异质外延三层膜的透射电镜观察郭丽萍，刘贵荣，李　林（中国科学院物理研究所国家超导开放实验室，北京１０００８０）本文所观察的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７／ＳｒＴ...     

GaAs上热壁外延Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te薄膜

国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。     

Hg_（1－x）Cd_xTeTHM法晶体生长的数值模拟

Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅＴＨＭ法晶体生长的数值模拟严北平，王朝东，刘家璐，罗宏伟，张延庆（西安电子科技大学电子所西安７１００７１）郎维和，张宝峰（华北光电技术研究所北京１０００１５）Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ是目前长波红外探测器的最好材料，而大...     

2英寸高均匀性GaAs多层外延材料

用法国进口的ＧａＡｓＶＰＥ设备，采用ＡｓＣｌ）３／Ｈ＿２／Ｇａ体系，以ＳｎＣｌ＿４ｌ／ＡｓＣｌ＿３为掺杂液，生长了２英寸多层ＧａＡｓ外延材料，自行设计了反应器的热场分布，在反应器中增加了合适的搅拌器，用以改变反应器中气体流动情况。ＧａＡｓ外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于５％。浓度均匀性的最佳值为３．７％，厚度均匀性的最佳值为１．５％，当外延层载流子浓度为１．９×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）时，室温迁移率达到４３９０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。     

Au／Sn与p—HgCdTe的欧姆接触

研究了双层金属结构Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－ＨｇＣｄＴｅ上的接触电阻，实验测得Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１７，０．４１）的经接触电阻，ρｃ（２９５Ｋ，７７Ｋ）为１０＾－２～１０＾４Ω．ｃｍ＾２将这种电板接触应用于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２３）光伏器件，测得ｐｎ结Ｉ－Ｖ特性的正向斜率为１２．６Ω即电极接触电阻小于１２．６Ω。     

YBCO／Y－ZrO＿2／（1120）蓝宝石多层膜超导材料的分析电镜研究

我们在具有Ｙ稳定的ＺｒＯ＿２（ＹＳＺ）层的蓝宝石上获得高质量的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）高温超导薄膜。在零磁场下，７７ｋ时，其临界电流密度达到１．６×１０￣６Ａ／ｃｍ￣２。本文确定了多层膜超导材料的取向关系。ＹＢＣＯ膜的（００１）面平行于ＹＳＺ过渡层的（１００）表面。ＹＳＺ层厚为２０ｎｍ。并且，由于Ｂａ自ＹＢＣＯ层的外扩散，ＹＳＺ层含有Ｂａ。尽管蓝宝石与ＹＳＺ层间的晶格铅配很大，由于ＹＳＺ层具有［１００］择优取向，仍能获得准单晶的ＹＢＣＯ薄膜。在ＹＢＣＯ薄膜中，观察到均匀分布的、微小尺寸的Ｙ＿２ＢａＣｕＯ＿５（２１１相）沉淀粒子，它们也有利于提高临界电流密度。     

碲镉汞中的汞空位扩散

在用移动加热器法（ＴＨＭ）生长的碲镉汞（Ｈｇ＿（０．８）Ｃｄ＿（０．２）Ｔｅ）晶体中，发现在最后凝固部分的载流子浓度明显增加，可以认为载流子与汞空位等同。观测的纵向空位浓度分布可以用一个顾及到沿晶体长度不同部分的热随时间变化过程和依赖于Ｈｇ空位扩散系数的浓度模型作定量描述。     

复合晶体Sr＿（10）Nd＿4Cu＿（24）O＿（41）调制结构的选区电子衍射和会聚束电子衍射研究

Ｓｒ＿（１０）Ｎｄ＿４Ｃｕ＿（２４）Ｏ＿（４１）选区电子衍射和会聚束电子衍射研究表明，它的整体结构由两个沿ｃ方向相互穿插的基本结构Ⅰ和Ⅱ构成。两个基本结构Ⅰ和Ⅱ的空间群和晶胞参数分别为Ｇ＿１＝Ｆｍｍｍ，ａ＿１＝１１．３８，ｂ＿１＝１２．９０，ｃ＿１＝３．９１和Ｇ＿２＝Ａｍｍｍ，ａ＿２＝１／２ａ＿１＝５．６９，ｂ＿２＝１２．９６，ｃ＿２＝２．７４。利用超空间群理论，描述调制的整体结构和调制的亚结构对称性的空间群由会聚束电子衍射测定的基本结构的对称性推导获得。它们为，（γ＿０＝ｃ＿１／ｃ＿２），调制波矢。     

用低温磁力显微镜观察YBa2Cu3O7—x超导薄膜中的涡旋

用低温磁力显微镜观察ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｘ）超导薄膜中的涡旋＠郑兆佳＠袁彩文￥武汉工业大学材料研究与测试中心￥美国德克萨斯大学（奥斯汀）物理系用低温磁力显微镜观察ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导薄膜中的涡旋郑兆佳袁彩文ＡｌｅｘｄｅＬｏｚａｎｎｅ（武汉工业...     

有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究

本文采用有机金属沉积（ＭＯＣＶＤ）法在ＣａＡｓ衬底上率先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层、ｘ≈０．２、ｘ≈０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜的工艺条件，并给出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性、厚度、表面形貌、结构和电性能。     

过取样△∑调制技术（四下）──插值滤波器

过取样△∑调制技术（四下）──插值滤波器东南大学骆立俊，邹家禄一、前言过取样ＤＡＣ系统的框图如图１所示，过取样插值滤波器框图和对应各点的信号与频谱如图２所示。其中输入信号ｘ（ｎ）是高分辨率、频率为ｆ＿ｎ＝２ｆ＿ｂ的数字信号，ｆ＿ｂ为模拟输入信号的最高...     

电子通道技术在YBa2Cu3O7外延超导薄膜研究中的应用

本研究采用电子通道技术（ＥＣＰ）对单晶和双晶外延生长的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测，并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量；还对ＹＢＣＯ／ＣｅＯ＿２／ＭｇＯ／ＳｒＴｉＯ３的双外延薄膜作研究。     

GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究

本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长出了大面积（２英寸）均匀（厚度△ｔ＿ｍａｘ／≤３％，组分△　ｘ＿ｍａｘ／ｘ≤３．４％，掺杂浓度△ｎｍａｘ／ｎ≤３％，椭圆缺陷≤３００ｃｍ－２）的外延材料．分析了暗电流的成因，通过加厚势垒（Ｌｂ≥３００）、控制掺杂（ｎ≤１×１０￣１８ｃｍ￣３）、精确设计子带结构，将暗电流降低了几个数量级，同时使电子的输运得到了改善．由此得到了高质量的     

用XPS进行镉的表面化学研究

用ＸＰＳ进行镉的表面化学研究刘朝旺（昆明物理研究所昆明６５０２２３）制作本征Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ单晶，需要使用高纯源材料Ｈｇ，Ｃｄ，Ｔｃ和高纯生长管，还要避免各个工艺中的污染，如避免源材料表面氧化等。根据经验，氧化物在拉晶过程中很容易与石英管...     

HgCdTe晶片杂质浓度的检测

采用红外透射法测ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片的组分ｘ．范德堡法测晶片的载流子浓度ｎ０。用实测值ｘ和ｎ０计算出在相同低温热处理条件下不同组分（０．１９０＜ｘ＜０．２３０）的ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片７７Ｋ时本征浓度ｎｉ和杂质浓度ｎｄ．得到比值ｎｄ／ｎｉ与组分ｘ的关系曲线。对此曲线分析可知，７７Ｋ时ＨｇＣｄＴｅ（０．１９０＜Ｘ＜０２３０）并不处于杂质电离饱和区，而是处于过渡区，故不可以将霍耳系数Ｒ确定的载流于浓度ｎ０视为杂质浓度ｎｄ。     

带前放和读出装置的8元长波HgCdTe组件

本文报道了８元长波红外Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ光导探测器列阵组件的结构，制作工艺和主要性能参数。     

在含有InSb非晶过渡层的GaAs衬底上用分子束外延生长InSb薄膜

在（１００）取向半绝缘ＧａＡｓ衬底上，采用独特的含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步分子束外延（ＭＢＥ）生长了异质外延ＩｎＳｂ薄膜。ＩｎＳｂ外延层表面为平滑镜面，外延层厚度约为６μｍ，导电类型为ｎ型，室温（３００Ｋ）和液氮（７７Ｋ）霍尔载流子浓度分别为ｎ＿（３００Ｋ）：２．０×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）和ｎ＿（７７Ｋ）：２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）；电子迁移率分别为μ＿（３００Ｋ）：４１０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ＿（－１）和μ＿（７７Ｋ）：５１２００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ￣（－１）。ＩｎＳｂ外延层双晶衍射半峰宽为１９８ａｒｃｓ，最好的ＩｎＳｂ外延层的半峰宽小于１５０ａｒｃｓ。采用ＩｎＳｂ非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度，改善了ＩｎＳｂ外延层的质量。