表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响

利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同。Au/GaAs界面退火实验表明,当退火温度小于约225℃时,表面内Ga、As含量随退火温度升高而等量增加;温度高于225℃时,As开始逸出。热退火同时还会使Au芯能级位置向高束缚能端移动。     

高灵敏度GaAs/AlGaAs多量子阱狭带红外探测器

在半导体超晶格研究基础上,发展了以量子阱内电子由束缚基态至势垒顶附近连续态跃迁为机理的长波长红外探测器,这也是近几年来发展的一种新型红外探测器。它具有响应速度快、量子效率高、可变波长、热稳定性和均匀性好的优点,在军事和民用上占有重要地位,已成为国际上极为重视的高技术研究的前沿课题。1985年West和Eglash首先观察到GaAs量子阱中的光跃迁现象。在1987年levine等人制造出第一个GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器,近年又制造出性能更好的探测器:工作温度77K,峰值波长为8μm,峰值探测率D_(λρ)~*=4.0×10~(10)cm、(Hz)~(1/2)/W。     

高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器

本文报道我们研制的高灵敏度、低暗电流的ＧａＡｓ量子阱长波长红外探测器的制备和性能．探测器具有５０个ＧａＡｓ量子阱和Ａｌ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ势垒，器件制成直径为３２０μｍ的台面型式单管．探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大．通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高：探测峰值波长为９．２μｍ，工作温度为７７Ｋ时，峰值电压响应率为９．７e５Ｖ／Ｗ，峰值探测率超过１e１１ｃｍ·／Ｈｚ／Ｗ，暗电流小于０．１μＡ．     

(113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱研究

光致发光（PL）实验表明；与（001）衬底比较，（113）B－GaAs／Al0.3Ga0.7As单量子阱结构（SQW’s）具有增强的光跃迁几率，它被归因于（113）B－GaAs阱中较大的重空穴有效质量mhh结果给出：这个数值比以前所报道的都高．     

a-Si:(Cl,H)薄膜的PESIS研究

利用 Mg Ka X射线作为激发源,对 a-Si:(Cl,H)薄膜进行了 PESIS研究.样品是采用辉光放电方法在SiCl_4-SiH_4-H_2混合气体中,当石墨衬底温度为350℃时生长的.实验发现,薄膜中的Cl只起补偿 Si悬挂键的作用,不起掺杂作用.对Si 2p光电子峰进行分解,得到Cl引起Si 2p能级的化学位移为 1.1± 0.1eV.根据原子电负性的考虑,认为在 a-Si:(Cl,H)薄膜中,只存在 Si-Cl单键结合,不存在 Si-Cl_2、Si-Cl_3和 Si-Cl_4的结合形式.对Cl 2p光电子峰的分析结果表明,在这种薄膜中,Cl只有一种化学形态,即Si-Cl结合态,不存在分子Cl_2.     

低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器

采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm~2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.     

AlxGa1—xAs外延层中Si平面掺杂的SIMS研究

利用二次离子质谱系统地研究了生长温度，Ａｌ组分Ｘ值和Ａｓ４夺强对Ｓｉδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ时，随着生长温度的提高或Ａｌ组份Ｘ值增加，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰都非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Ｓｉ原子的扩散，因此ＳＩＭＳ剖面的展宽与扩散无关。     

高探测率的GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器

探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为77 K,峰值电压响应率 R_v= 9.7× 10~5V/W,峰值探测率 D~*= 6.2 × 10~(10)cmHz~(1/2)/W.     

带有光电子发射产额谱的表面分析联合谱仪

一、引言我们研制的表面分析联合谱仪具有LEED,RHEED,AES和光电子发射产额谱仪(PYS)等表面分析器,并带有分子束外延设备以便进行亚原子层金属淀积和生长各种理想表面。这是非常适合半导体表面和界面研究的新型设备。本文介绍了此联合谱仪的结构和设计方案。此外,还给出PYS的调试和校准方法。