双色大面阵量子阱红外探测器读出电路设计

以双色量子阱640×512读出电路的设计为例阐述大面阵读出电路的设计要点,分模块详细说明了设计思路和具体电路结构,给出了电路仿真结果和实测结果,最后从电路、版图的角度分析了双波段大规格读出电路的一些设计要点。     

紫外焦平面探测器读出电路抗辐照加固设计

分析了MOS器件的辐照特性及辐照失效机理。基于Global Foundries 0.35μm CMOS工艺,设计了一款320×256抗辐照加固紫外焦平面读出电路。该电路数字部分MOS管采用环形栅和双环保护进行加固,并在读出电路表面交替生长了SiO2-Si3N4复合钝化层。对加固后的读出电路进行了γ辐照试验,并使用示波器实时监测读出电路的输出状态。对比加固前后的读出电路实时辐照状态表明,加固后的读出电路抗辐照性能得到了明显提高,其抗电离辐照总剂量由35krad(Si)提升至50krad(Si)。     

低功耗64×64CMOS快照模式焦平面读出电路新结构

介绍了一个工作于快照模式的 CMOS焦平面读出电路的低功耗新结构— OESCA (Odd- Even SnapshotCharge Am plifier)结构 .该结构像素电路非常简单 ,仅用三个 NMOS管 ;采用两个低功耗设计的电荷放大器做列读出电路 ,分别用于奇偶行的读出 ,不但可有效消除列线寄生电容的影响 ,而且列读出电路的功耗可降低 15 % ,因此 OESCA新结构特别适于要求低功耗设计的大规模、小像素阵列焦平面读出电路 .采用 OESCA结构和 1.2μm双硅双铝标准 CMOS工艺设计了一个 6 4× 6 4规模焦平面读出电路实验芯片 ,其像素尺寸为 5 0μm× 5 0μm ,读出电路的电荷处理能力达 10 .3     

日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计

设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(Si),抗中子辐照注量达到1×10¹³n/cm²(等效1MeV中子),验证了抗辐射加固措施的有效性。     

碲镉汞双色红外焦平面读出电路研究进展

介绍了碲镉汞(MCT)双色红外焦平面探测器的研制背景,及美、英、法等西方发达国家的发展现状。从读出电路(ROIC)设计角度出发,重点阐述了上述3个发达国家的碲镉汞双色焦平面器件结构类型和相应读出电路设计特点。最后介绍了国内昆明物理研究所在碲镉汞双色焦平面读出电路研究方面取得的进展。昆明物理研究所研制出两种碲镉汞双色焦平面读出电路,一种是适用于双铟柱半平面器件结构的128×128双色信号同步积分读出电路,另外一种是适用于单铟柱叠层器件结构的640×512双色信号TDMI(时分多路积分)读出电路。两种读出电路芯片在77 K条件下正常工作,主要功能及性能指标与国外同类产品相当。     

具有TDMI功能的640×512双色碲镉汞焦平面读出电路

研制出一种应用于单铟柱结构的长/中波双色叠层碲镉汞640×512焦平面CMOS读出电路(ROIC)。根据单铟柱结构的双色叠层碲镉汞探测器实际应用需求,读出电路设计了单色长波积分/读出、单色中波积分/读出、长/中波双色信号顺序积分/读出、长/中波双色信号分时多路积分(TDMI)/读出等四种工作模式可选功能。输入级单元电路分别采用长/中波信号注入管、复位管、积分电容及累积电容,并分别采用读出开关缓冲输出。为提高读出电路的适应性,各色信号通路分别设计了抗晕管以提高探测器的抗晕能力;读出电路采用快照(Snapshot)积分模式,单色积分时具有先积分后读出(ITR)/边积分边读出(IWR)可选功能;当读出电路工作在单色或双色信号顺序模式时,各色积分时间可调;此外读出电路具有多种规格及任意开窗模式。该读出电路采用0.35?m 2P4M标准CMOS工艺,工作电压3.3 V。读出电路具有全芯片电注入测试功能,测试结果表明,在77 K条件下,读出电路的四种积分/读出模式工作正常,单色信号输出摆幅达2.3 V,功耗典型值为65 m W。     

高水平抗辐射CMOS/SOS集成电路

本工作采用先进的全离子注入低温工艺,研制成八个高水平4000系列小规模CMOS/SOS集成电路品种,它们是SC_(4001)、SC_(4002)、SC_(4011)、SC_(4012)、SC_(4013)、SC_(4030)、SC_(4066)及SC_(4069)。这些电路除了电学参数满足相应体硅CMOS电路以外,还具有优良的抗辐照特性,其抗γ总剂量达1×10~7rad(Si),抗γ瞬态剂量率达5×10~(10)rad(Si)/s以上。 本文简要介绍CMOS/SOS器件抗γ总剂量辐照及抗γ瞬态辐照的基本考虑以及辐照实验的结果。     

采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究

讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响.通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用.与多晶硅栅器件相比,采用CoSi2 SALICIDE结构的器件经过辐照以后,器件的阈值电压特性、亚阈值斜率、泄漏电流、环振的门延迟时间等均有明显改善.由此可见,CoSi2SALICIDE技术是抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一.     

采用CoSi_2SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究

讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响.通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用.与多晶硅栅器件相比,采用CoSi2SALICIDE结构的器件经过辐照以后,器件的阈值电压特性、亚阈值斜率、泄漏电流、环振的门延迟时间等均有明显改善.由此可见,CoSi2SALICIDE技术是抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一.     

非致冷红外焦平面阵列读出电路的设计和SPICE模拟

读出电路是非致冷红外焦平面阵列的核心部件之一,对电路进行SPICE模拟是验证电路的重要手段。针对近年来得到迅猛发展的微测辐射热计(VOx)非致冷红外焦平面阵列的特点,提出了相应CMOS读出电路的设计方案,并用PSpice9.2给出了4×4CMOS读出电路的实现和精确的模拟结果。模拟结果表明,该方案是适合微测辐射热计非致冷红外焦平面阵列读出电路一种较为理想的形式,同样也适合于大阵列(如160×120和320×240)的CMOS读出电路。     

Stability enhancement of normal-geometry organic solar cells in a highly damp condition: A study on the effect of top electrodes

We present our efforts to enhance the stability of normal-geometry organic solar cells (n-OSCs), which are generally considered inferior to their inverted-geometry counterparts in terms of stability. Upon the identification of the vulnerability of top electrode/buffer layer interfaces under a humid environment, various top electrode combinations are assessed under an extremely damp condition (27 °C, 90%) for n-OSCs based on a bulk-heterojunction of poly[N-9″-hepta-decanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4′,7′-di-2-thienyl-2′,1′,3′-benzothiadiazole)] (PCDTBT) and [6,6]-phenyl C70-butyric acid methylester (PCBM70). Based on the experimental results, we propose an Al/Cu bilayer top electrode and demonstrate a 30-fold enhancement in the T₈₀-lifetime values. Our study reveals that the enhanced lifetime with an Al/Cu bilayer electrode can be attributed to its water vapor transmission rate (WVTR), which is significantly lower than that of the Al electrodes typically used in conventional organic solar cells. The enhanced normal OSCs yielded stability comparable to that of the previously reported inverted OSCs.     

基于坐标变换的合成孔径雷达高精度成像算法

针对当前合成孔径雷达成像算法处理低频大斜视角数据存在的散焦和运算量大问题, 提出了一种新的高精度大斜视合成孔径雷达成像算法.算法首先把数据录取坐标系数据变换到零多普勒坐标系数据, 然后在零多普勒坐标系中采用距离时域非均匀傅里叶变换去除距离、方位的耦合, 进而得到聚焦良好的合成孔径雷达图像.算法运算量与距离多普勒算法在一个量级, 具有较高的成像效率.仿真结果表明算法在低频大斜视角下能很好地聚焦, 从而验证了算法的正确性.     

遗传算法在自然树生成中的应用

自然景观中的对象模型的建立与实现是计算机图形学研究的重要内容,树是最普遍最常用的自然对象.文章介绍了基于遗传算法和分形几何的自然树的生成方法,该方法能够模拟树的生长过程,甚至可以根据树的生存环境控制或调节树的生长过程,从而生成各种形态的树.该方法在虚拟现实和动画设计中有较高的实用价值.     

激光-MIG复合焊接工艺参数对焊缝形状的影响

本文以激光-MIG复合焊焊接工艺参数对焊缝形状的影响为出发点,对复合焊进行了初步的研究。实验研究了激光与电弧之间的距离、离焦量、焊接速度、送丝速度、电弧的类型以及激光的倾斜角度等工艺参数对复合焊焊缝的熔深熔宽的影响。实验表明,激光与电弧之间的距离(DL A)对复合焊的熔深影响较大,在DL A为2mm时,熔深达到最大。离焦量主要是通过影响能量密度来影响熔深和熔宽,在离焦量为+2mm时熔深达到最大,不同于单独激光焊负离焦时熔深最大。焊接速度有一个合适的范围,在这个范围内随着焊接速度的增加,熔深熔宽减少。送丝速度对复合焊的焊缝形状影响最大,送丝丝度较小时焊缝形状类似于单独激光焊;送丝速度过大电弧等离子体屏蔽激光,焊缝形状类似于MIG。激光的倾斜角度对复合焊的焊缝熔深熔宽也有一定的影响,当激光的倾斜角度为10oC时,熔深达到最大熔宽最小。     

A MODEL OF RANDOM PARTICLES CONSTRUCTED BY THE PRINCIPLE OF SELF-SIMILARITY AND ITS APPLICATION

A model of random particles constructed by the operation of self-similarity in fractalgeometry is presented.The correlation function of the number density has been obtained andcan be used conveniently in theoretical study and computer simulation for wave interaction withrandom media.As an example,this model has been applied to calculate analytically the rangedependence of volume scattering in radar echoes.The result agrees with that of Rastogi andScheucher's simulation.     

利用辛几何构作带仲裁的认证码

本文利用辛几何构作一类带仲裁的认证码,计算了码的参数;当编码规则按等概率分布选取时,计算出各种攻击成功的概率并在特殊情况下得到一组完备码。     

Electrical-efficiency analysis of GaN-based light-emitting diodes with interdigitated-mesa geometry

We propose a novel method to analyze the current-voltage (I-V) characteristics of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) with different p-type electrodemesa geometries. The electrical efficiency is analyzed by calculating the electric field under the quasi-coplanar electrodes of GaN-based LEDs. The experimental results for GaN-based LEDs of chip sizes of 350×350 μm² and 1,000 × 1,000 μm² with interdigitated fingers are compared. A good agreement is obtained between the experimental and theoretical electrical efficiency of the GaN LEDs with a chip size of 1,000×1,000 μm². The current-crowding effect is analyzed by measuring the electroluminescence spectra of the devices. The result indicates that the current-crowding effect is largely reduced by increasing the number of interdigitated fingers. The electrical efficiency of a LED with a chip size of 1,000×1,000 μm² can be also enhanced by increasing the number of interdigitated fingers, showing the advantages of GaN LED with interdigitated-mesa geometries.     

利用2-D射影变换实现多视图下元素的预报

在描述多视图的几何元素对应关系方面,2-D射影变换是一种有力工具。该文把求解2-D射影变换矩阵的方法从单纯的四点对应扩展到多种组合形式的四元素对应当中,如:4点、4线、3点1线、3线1点和2点2线等。基于2-D射影对应所描述的视图关系,可以有效解决双视图和三视图条件下的点元素或线元素的预报问题。由于没有任何估计因素的介入,提高了预报结果的准确性。灵活组合点线多种元素建立视图关系使得预报环境适应面广泛。实验结果验证了方法的有效性。     

判定检测点是否在多边形内的新方法

文章提出一种新方法以检测一个点是否在多边形内。该方法将矢量和射线法结合，彻底解决了射线法所具有的奇异情况。实验结果证明该方法具有简单、易实现、快速等优点。     

几何形状对光子晶体光谱特性的影响

文中采用时域有限元近似法分析了几何形状以光子晶体光谱特性的影响，指出几何形状的微小变化将引起其光谱响应几百吉兆的频移，这在器件设计时是必须考虑的因素。