用于WiMAX的高线性度1W和2W放大器

可以支持750MHz～3．9GHz频带,ALM～31X22功率放大器内置有源偏压电路并且不需射频匹配器件。在典型的5V和400mA偏压条件下,ALM-31122可以在900MHz下带来31．6dBm输出功率（P1dB）、47．6dBm的OIP3和15.6dB增益。ALM-31222则可以在2GHz时提供31．5dBmP1dB、47．9dBm OIP3和14．9dB增益的输出。     

凌力尔特推出新的固定增益放大器

正2014年4月14日-凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出20 MHz至2 GHz、单端输入及输出、固定增益放大器LTC6431-20,该器件提供卓越的46.2 dBm OIP3(输出三阶截取)和2.6 dB噪声指数。其OP1dB(输出1dB压缩点)为同类最佳的22 dBm。该器件有两个级别版本,包括100%经过测试、在240MHz保证提供42.2 dBm最低OIP3的A级版本,以及在同样的频率范围提供45.7 dBm典型OIP3的B级版本。该器件在20 MHz至1.4 GHz的频率范围内,输入和输出均在内部匹配至50 Ω,并具有一个20 dB功率增益     

凌力尔特推出新的固定增益放大器

正2014年4月14日-凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出20MHz至2GHz、单端输入及输出、固定增益放大器LTC6431-20,该器件提供卓越的46.2dBm OIP3(输出三阶截取)和2.6dB噪声指数。其OP1dB(输出1dB压缩点)为同类最佳的22dBm。该器件有两个级别版本,包括100%经过测试、在240MHz保证提供42.2dBm最低OIP3的A级版本,以及在同样的频率     

集成FBAR滤波器的高增益GPS低噪声放大器

在2．7V和6mA的典型工作条件下，ALM1612 LNA／滤波器模块可以提供优异的性能表现，包括0．9dB的噪声系数、18dB的增益、＋2dBm的输入三阶截点（IIP3）以及超过65dBc的移动通信Cell／PCS频带抑制能力。     

用于802.11a/HiperLAN和HiSWANa接收机的两级低噪声放大器设计

本文分析了一个小型(6mm×15mm)两极、低噪声、无限稳定的放大器设计,用于802.11a、HiperLAN2和HiSWANa接收机应用。在5.5GHz时,放大器具有22.2dB增益、1.4dB噪声系数、线性输出功率(P-1dB) 11.5 dBm、三阶输出截距点(OIP3) 28 dBm,频率覆盖目前北美、欧洲和日本无线局域网络规定使用的5 GHz频谱部分。     

应用于S波段AESA的射频收发前端设计

采用0．18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于s波段AESA的高集成度射频收发前端芯片。系统由发射与接收前端组成,包括低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、驱动放大器和带隙基准电路。后仿真结果表明,在3．3V电源电压下,发射前端工作电流为85mA,输出ldB压缩点为5．0dBm,射频输出在2～3．5GHz频带内电压增益为6．3～9．2dB,噪声系数小于14．5dB;接收前端工作电流为50mA,输入1dB压缩点为-5．6dBm,射频输入在2～3．5GHz频带内电压增益为12—14．5dB,噪声系数小于11dB;所有端口电压驻波比均小于1．8：芯片面积1．8×2．6mm0。     

应用于无线传感器网络低噪声放大器的设计

本文给出一种应用于无线传感器网络射频前端低噪声放大器的设计,采用SMIC0．18μmCMOS工艺模型。在CadenceSpectre仿真环境下的仿真结果表明：该低噪声放大器满足射频前端的系统要求,在2．45GHz的中心频率下增益可调,高增益时,噪声系数为2．9dB,输入P1dB压缩点为-19．8dBm,增益为20．5dB;中增益时,噪声系数为3．6dB,输入P1dB压缩点为-15．8dBm,增益为12．5dB;低增益时,噪声系数为6．0dB,输入P1dB压缩点为-16．4dB,增益为2．2dB。电路的输入输出匹配良好,在电源电压1．8V条件下,工作电流约为6mA。     

新品发布

RF VGA提供增益和功率控制单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围,集成了宽带放大器和衰减器,具有60dB动态增益和衰减范围(大约+20dB增益和-40dB衰减),22dBm输出功率水平(1dB压缩点),在1GHz频率和8dB噪声系数下具有+31dBm输出三阶截点。ADIhttp://www.analog.com具有超低抖动的时钟AD951x系列时钟分配芯片集成了低相位噪声的PLL频率合成器内核、可编程分频器和可调延迟单元电路。器件具有亚皮秒抖动的低相位噪声时钟输出,LVPECL时钟输出达800MHz,附加抖动小…     

C波段8W功率GaAs MESFET的设计和制作技术

采用自行研制的两只C波段5．2－5．8GHz 4W以上的GaAs MESFET功率营芯,通过设计适当的匹配网络、优化网络元件参数,结合工艺制作技术,实现了C波段5．2－5．8GHz 8W GaAs MESFET功率管。该功率管在5．2－5．8GHz频带内的功率增益约为7．0dB,1dB的压缩功率约为39dBm,功率附加效率约为30％。功率管的测量值与计算值基本吻合。     

一种2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器

利用0.35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器．其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2.452GHz,2.45GHz和2MHz．测试表明：在3.3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的电流约为4mA,转换增益超过6dB,输入1dB压缩点约为－11dBm．     

驱动功率放大器微分叠加技术的分析与实现

本文提出了一种新的统一表达式,用于分析微分叠加技术在大信号和小信号时的效果。根据该表达式,微分叠加技术在大信号和小信号时有不同的优化方法。在0.13μm工艺下实现了一种用于可配置射频发射机的使用大信号微分叠加技术的驱动功率放大器。该驱动放大器兼容900 MHz频段的GSM信号和1.95 GHz频段的WCDMA信号,其增益范围可达44 dB,增益步长为2 dB。测试结果表明,该发射机的总体OIP3可达19 dBm,其输出1 dB压缩点可达7.5 dBm。     

三维高集成度微波单片接收机和发射机电路

推《1996IEEEMTT－SInt．MWSymP．Dig．》报道，IchihikoToyoda等人用三维（3D：MMIC工艺开发出了无绳通信系统用的高集成度接收机和发射机，两者的频率分别为9·2－12GHZ和9．5—14GHZ，增益20dB。3DMMIC的基本结构如图1所示。3DMMIC工艺能有效地减小电路面积，显著提高集成度。用这一工艺制作的X波段单片接收机的尺寸仅为2mmX2mm，在9．2－12GHz下，变频增益23士3dB，镜像抑制优于15dB，噪声系数5．5士05dB，增益控制范围在50dB以上，本振功率为0dBm，信号功率一sodBm，中频14o＊HZ；发射机的尺寸仅为1．9mmXI·9mm…     

大动态范围有源上变频混频器可取代无源混频器

凌力尔特公司（Linear）新推出的大动态范围有源上变频混频器LT5579可取代目前市场上最好的无源混频器。该器件1．5GHz～3．8GHz的宽频率范围覆盖了1．9GHz蜂窝频带以及2．6GHz和3．5GHz WiMAX频带。在2．14GHz时，该器件具有27．3dBm输出IP3线性度和9．9dB噪声指数，实现了较大的发送器动态范围。另外，该混频器具有2．6dB变频增益，这是同类器件中最好的。LT5579集成了本机振荡器（LO）缓冲器，     

一款3～6.3 GHz增益可调的低噪声放大器设计

针对无线接收机在对不同信号进行放大时,噪声恶化严重的问题,文中在驱动放大级采用电流复用技术,可以降低系统功耗,同时,在增益变化过程中保证了输入级增益对后级电路噪声的抑制作用,使得增益变化过程中,噪声始终低于1 dB。输入级和输出级阻抗匹配良好,在3 GHz～6.3 GHz的工作频段上可实现系统增益的连续可调范围约30 dB(19.6 dB～49.6 dB),同时通过采用两个控制电压分别控制两级放大电路,在增益变化过程中系统获得了良好的增益平坦度,版图尺寸为0.95×1.53 mm²。在常规工作状态下,系统噪声为0.56±0.02 dB,增益为49.6±0.47 dB,功耗97 mW。在4.5 GHz频率处,系统的OP1dB为10.3 dBm, OIP3达到29 dBm,具有良好的线性度。     

一种1.9 GHz高性能功率预放大器的设计

介绍了一个基于0.35μm CMOS 6层金属工艺,采用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器。电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA。测得功率预放大器的功率增益为10 dB,最大有6 dBm输出功率到50Ω负载。采用片上线性化技术,功率预放大器在1.9 GHz频率获得了很好的线性度:输出三阶截点OIP3=9.4 dBm,输出1 dB压缩点OP1 dB=-0.6dBm。     

一种用于5G终端增益可调的低噪声放大器设计

针对无线接收机需要对不同强度信号进行不同程度放大的要求,采用WIN公司的0.15 μm GaAs pHEMT工艺设计了一款工作频段为5G通信频段3~5 GHz的可变增益低噪声放大器。该放大器包含两级放大电路,均采用自偏置结构,降低了端口数量,通过调节第二级放大电路的控制电压在0至5 V之间变化,可实现系统增益的连续可调范围约39.3 dB(－3.5~35.8 dB)。放大器版图尺寸为0.94×1.24 mm²。控制电压为0 V时,系统噪声为0.53±0.01 dB,增益为35.5±0.35 dB,中心频点4 GHz处,OP1dB为13.2 dBm,OIP3达到32.7 dBm,表明系统具有良好的线性度。     

NEC公司1．5 W GaAs MMIC SPDT开关

NEC的UPG2179TB SPDT GaAs MMIC开关提供在0．5GHz～3GHz的宽频带内的高隔离、低插入损耗性能、理想的线性度，而且靠2．5V～5．3V工作。P1 dB为 32 dBm(典型值)(2GHz)，3V隔离度为27dB(典型值)(2GHz)，3阶截获点为 60 dBm(3V)。该UPG21769TB的设计用于频率高达3GHz的蜂窝和无绳电话等手持装置、802、11b／g、     

产品介绍

X—波段放大器中心频率:10 GHz带宽:±500 MHz增益:28 dB输出功率; 20 dBmKu—波段放大器中心频率:13～18 GHz带宽:±250 MHz增益:30 dB噪声系数:<2 dB输出功率: 20 dBm微波、毫米波段高次倍频器倍频次数:×5、×6、×7倍频效率:5%杂波抑制:-40 dB     

产品介绍

X—波段放大器中心频率:10GHz带宽:±500MHz增益:28dB输出功率: 20dBmKu—波段放大器中心频率:13～18GHz带宽:±250MHz增益:30dB噪声系数:<2dB输出功率: 20dBm微波、毫米波段高次倍频器倍频次数:×5、×6、×7倍频效率:5%杂波抑制:-40dB     

用于IEEE802．11b／g WLAN直接下变频接收机的射频前端设计

介绍了一种应用于IEEE802．11b／g无线局域网接收机射频前端的设计。基于直接下变频的系统架构。接收机集成了低噪声放大器、I／Q下变频器、去直流偏移滤波器、基带放大器和信道选择滤波器。电路采用TSMC0．18μm CMOS工艺设计,工作在2．4GHz ISM（工业、科学和医疗）频段,实现的低噪声放大器噪声系数为0．84dB,增益为16dB,S11低于-15dB,功耗为13mW;I／Q下变频器电压增益为2dB,输入1dB压缩点为-1 dBm,噪声系数为13dB,功耗低于10mw。整个接收机射频前端仿真得到的噪声系数为3．5dB,IIP3为-8dBm,IP2大于30dBm,电压增益为31dB,功耗为32mW。