高速GaAs驱动器

报道了和于驱动ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关的高速ＧａＡｓ驱动器的设计与制作。测试结果为：同相输出时，上升时间６ｎｓ，延迟时间４．８ｎｓ，下降时间６ｎｓ，延迟时间４ｎｓ；反相输出时，上升时间６．５ｎｓ，延迟时间３ｎｓ，下降时间１０ｎｓ，延迟时间６．７ｎｓ。与ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关进行了联试，结果不仅没有影响开关的射频特性，而且开关速度仍保持原来的水平。     

高速GaAs驱动器

报道了用于驱动ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关的高速ＧａＡｓ驱动器的设计与制作。测试结果为：同相输出时，上升时间６ｎｓ，延迟时间４．８ｎｓ，下降时间６ｎｓ，延迟时间４ｎｓ；反相输出时，上升时间６．５ｎｓ，延迟时间３ｎｓ，下降时间１０ｎｓ，延迟时间６．７ｎｓ。与ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关进行了联试，结果不仅没有影响开关的射频特性，而且开关速度仍保持原来的水平     

预测全球GaAs IC市场

预测全球ＧａＡｓＩＣ市场据ＩＣＥ报道，１９９４～１９９５年ＧａＡｓＩＣ生产水平为１００ｍｍ圆片０．４μｍ工艺，部分达１５０ｍｍ圆片。目前销售的ＧａＡｓＩＣ达３５万门。１９９４年全球ＧａＡｓＩＣ市场为５．２亿美元，１９９５年为５．６亿美元，１９９６年为...     

数字移动通信用的GaAs功率MMIC

数字移动通信用的ＧａＡｓ功率ＭＭＩＣ日本松下电器产业的半导体研究中心和开发本部器件研究所已研制成数字移动通信用的能低压工作的高效率、低失真ＧａＡｓ功率ＭＭＩＣ。数字调制方式移动通信设备的发射功率放大器不仅要求低的耗散功率特性，而且还要有低的失真特性（...     

大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

3．5V GaAs HBT

３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第２期报道，日本富士通研究所研究一种新的便携电话用的３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ。该ＨＢＴ在９００ＭＨｚ下具有：单一电源供电，３．５Ｖ，输出功率１Ｗ，功率附加效率７０％，功率增益１５...     

最高工作频率12GHz的预标记GaAs IC

最高工作频率１２ＧＨｚ的预标记ＧａＡｓ　ＩＣ据杂志１９９３年第５７６期报道，ＲＩ４１４０４是最高频率为１２ＧＨＺ的预标记ＧａＡｓＩＣ。该ＩＣ是由ＧａＡｓＨＢＴ构成的。主要用于测试和光纤传输等。４分频器的电源电压为一６Ｖ（标准），耗散功率为２７０ｍｗ。...     

AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果

借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。     

具有线性GRIN结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

采用ＭＯＣＶＤ 方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ 结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５～８２５ ｎｍ ,阈值电流为１３０ ｍ Ａ。工作电流在４８０ ｍ Ａ 时,单面连续输出光功率高达２００ ｍ Ｗ,且基本保持在单模工作状态。工作在９７０ ｍ Ａ 时,单面连续输出光功率为０．５ Ｗ。     

1998年GaAs市场将达12亿美元

１９９８年ＧａＡｓ市场将达１２亿美元据ＩＣＥ报道，目前ＧａＡｓＩＣ厂家总的销售额为３５万门以上。１９９３～１９９８年ＧａＡｓＩＣ市场年平均增长率为２３％，１９９８年，ＧａＡｓ市场将达１２亿美元。ＧａＡｓＩＣ现以４英寸片子为主，而ＩＣＥ报道，从１９９４...     

Ku波段8W GaAs内匹配微波功率FET

Ｋｕ波段８ＷＧａＡｓ内匹配微波功率ＦＥＴ李祖华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｋｕ－Ｂａｎｄ８ＷＧａＡｓＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＭｉｃｒｏｗａｖｅＰｏｗｅｒＧａＡｓＦＥＴ￥ＬｉＺｕｈｕａ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓ...     

GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器

本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ     

20Gbit／s HBT调制器驱动IC

２０Ｇｂｉｔ／ｓ　ＨＢＴ调制器驱动ＩＣ据《ＮＥＣ技报》１９９５年第５期报道，ＮＥＣ公司新开发的ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ，应用于２０Ｇｂｉｔ光调制器驱动ＩＣ中，获得了良好的超高速和高压输出性能。在ＩＣ制作中，ＮＥＣ采用了独特的异质护环ＨＧ－ＦＳＴ工...     

GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来

ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料,在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分,既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料,也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构,其波长覆盖范围为０．９－Ｎ２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ 量子阱激光器的特征温度为 ２００ Ｋ,远大于现行 ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０ Ｋ）． ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件的此优异特性,对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义．由于ＧａＩｎＮＡｓ和具有高反射率（高达９９％）ＡＩ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ的分布布拉格 反射镜（ＤＢＲ）可生长在同－ＧａＡｓ衬底上,因此它是长波长（１．３０和 １．５５ μｍ）垂直腔面 发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的理想材料．垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件． ＧａＡｓ基的超高速集成电路（ＩＣ）已有相当成熟的工艺．如果 ＧａＩｎＮＡｓ－ＶＣＳＥＬ 与 ＧａＡｓ－ＩＣ相结合,将使光电集成电路（ＯＥＩＣ）开拓出崭新的局面．本文还报道我们课题 组研制高质量 ＧａＮＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和大应变 ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构取     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。     

GaAs MMIC应用展望

ＧａＡｓ　ＭＭＩＣ应用展望本刊主编林金庭中图分类号：ＴＮ４５４ＰｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅｏｆＧａＡｓＭＭＩＣｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ￥ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ１９９０年以前，砷化镓（ＧａＡｓ）技术的８０％是用于军事，随着冷战结束，高性能的ＧａＡｓＩＣ向何处去...     

作毫米波开关的应变层PIN二极管

ＤａｉｍｌａｒＣｈｒｙｓｌｅｒＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒａｎｄＵｍｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＵｌｍ首先报道了在ＧａＡｓ衬底上生长应变Ｉｎ 0 52Ｇａ 0 4 8ＡｓＰＩＮ二极管 ,并可用作开关ＭＭＩＣ。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,ＩｎＰ基ＩｎＧａＡｓＰＩＮ二极管胜过ＧａＡｓ开关电路 ,同时还具有低的ＤＣ功率以及极高的隔离度。为了避免ＩｎＰ衬底的有关工艺问题 ,采用ＭＢＥ方法把应变层ＩｎＧａＡｓ二极管生长在ＧａＡｓ上 ,采用线性ＩｎＡ1Ａｓ应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的ＳＰＳＴ隔离度高达 4 5ｄＢ …     

高效低失真多芯片GaAs集成块

高效低失真多芯片ＧａＡｓ集成块ＭＣ－７６００型ＧａＡｓ。多芯片集成块适用于数字便携式电话机，其功率效率额定值比９００ＭＨｚ频段、输出功率为１．５Ｗ的器件高４０％。这是日本电气公司的科研成果，最近已开始出售样本。它也可应用于９００ＭＨｚ便携式电话机，具...     

用于GaAs MMIC的移相曝光技术

用于ＧａＡｓ　ＭＭＩＣ的移相曝光技术据日本《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ）１９９３年第１２期报道，三菱电机公司开发用于ＧａＡｓＭＭＩＣ栅的移相曝光技术，获得０．３５Ｐｍ电极图形，可进行规模生产。在移动通信领域，因高频率、高输出功率的需要，Ｇａ...