海洛因的激光拉曼散射谱

给出海洛因的实测 X射线衍射谱、傅里叶红外吸收谱和激光拉曼散射谱 .由衍射谱测出 :海洛因属于正交晶系 ,原胞基矢是 a=8.0 0 3,b=14.373,c=16.0 92× 10 -10 m.又由吸收谱计算得 :海洛因的基本声子能量是 L O=0 .0 4 86,TO1=0 .0 555,TO2 =0 .0 616,LA=0 .0 2 57,TA1=0 .0 0 97,TA2 =0 .0 134 e V.海洛因所有的傅里叶红外吸收峰都是由这些基本声子能量按不同组合方式得到 ,并且每一个激光拉曼背向散射频移峰 ,也是由这些基本声子能量组合而成 .     

半导陶瓷的红外吸收谱和喇曼散射谱

ＺｒＯ２·ＳｉＯ２·Ｐ２Ｏ５半导陶瓷是由ＺｒＯ２、ＳｉＯ２和Ｈ３ＰＯ４用高温固相反应制成．它的傅里叶红外吸收谱是由ＺｒＯ２和ＳｉＯ２的标准谱叠加而成．根据标准峰的位置分别计算出两种氧化物的四个基本声子能量．这些声子按照不同组合方式形成ＺｒＯ２·ＳｉＯ２·Ｐ２Ｏ５半导陶瓷的全部傅里叶红外吸收峰．半导陶瓷的喇曼背向散射峰也是由这些基本声子组合而成．对比四角和单斜ＺｒＯ２的喇曼特征谱线看出，在未掺杂和用Ｙ２Ｏ３或Ｎｂ２Ｏ５掺杂的半导陶瓷样品中，ＺｒＯ２的晶粒微结构分别属于单斜和四角对称晶系．     

Si(1-x)Ge_x外延层结构参数的椭偏光谱表征技术研究

本文测量并分析了不同组分的Si1-xGex合金的椭偏光谱，得到了能量范围为2.0～5．0eV内的主要临界点的能量与Ge的组分的关系，给出用椭偏光谱分析Si1-xGex合金厚度和Ge组分的方法．     

溶胶—凝胶法制备的PbTiO3薄膜的光学性质研究

采用溶胶－凝胶法在石英玻璃衬底上制备出均匀透明的无定形PbTiO3薄膜，并对其 光学性质进行了详细的研究，发现其折射率的波形符合经典的Cauchy函数。由半导体理论计算得到无定形的PbTiO3薄膜的光学禁带宽度为3．84eV.FTIR透射光 谱研究表明无定形PbTiO3薄膜在中红外波段没有吸收峰出现，对于在550℃下 快速热退火得到的PbTiO3薄膜，通过远红外反射光谱测量，观察到了6个约外活性声子膜。     

纳米6H-SiC薄膜的等离子体化学气相沉积及其紫外发光

采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si(100)衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构、形貌以及键合特性进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在500℃的衬底温度和高氢气稀释条件下,所制备的纳米SiC薄膜红外吸收谱主要表现为SiC TO声子吸收,X射线衍射显示所制备的纳米SiC薄膜为6H结构.采用氙灯作为激发光源,不同氢气流量下所制备的样品在室温下呈现出峰值波长可变的紫外发光.     

纳米6H-SiC薄膜的等离子体化学气相沉积及其紫外发光

采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si(100)衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构、形貌以及键合特性进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在500℃的衬底温度和高氢气稀释条件下,所制备的纳米SiC薄膜红外吸收谱主要表现为SiC TO声子吸收,X射线衍射显示所制备的纳米SiC薄膜为6H结构.采用氙灯作为激发光源,不同氢气流量下所制备的样品在室温下呈现出峰值波长可变的紫外发光.     

Pb1-xMnxTe稀磁半导体外延薄膜的光学特性

采用分子束外延(MBE)方法在BaF2(111)衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe(0≤x≤0.012)稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0~11.0μm中红外透射谱的分析并应用透射光谱上干涉峰峰值的位置计算获得了Pb1-xMnxTe薄膜的折射率,由最小平方根拟合得到折射率的一阶Sellmeier色散关系.在吸收边附近,通过直接跃迁吸收系数与光子能量的关系外推得到其光学带隙.结果表明,在中红外区域其折射率随着Mn含量的增加而减小,其光学带隙则随着Mn含量的增加而增大,在温度T=295K时,随着Mn含量x由0变化到0.012,其光学带隙Eg由0.320eV增加到0.370eV.     

HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光

利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析，分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试，在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射，认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发．然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。     

Er~(3+)/Yb~(3+)共掺氟化物颗粒的红外光谱特性及Judd-Ofelt理论分析

制备了Er3+/Yb3+共掺氟化物基质颗粒并对其吸收光谱进行测试。研究了不同基质、煅烧温度以及不同的Er3+/Yb3+共掺比例对颗粒在980nm及1550nm波段附近吸收特性的影响。应用Judd-Ofelt(J-O)理论对样品光谱进行了分析,拟合得到强度参数为Ω2=9.9887,Ω4=2.7333,Ω6=0.4868。结果表明,样品通过高温热处理提高了声子辅助跃迁几率,提高了能量转化效率。Er3+/Yb3+以1:6比例混合共掺时吸收性能最好。J-O理论分析表明,氟化物颗粒有较低的声子能量,Er3+/Yb3+共掺氟化物材料具有较好的红外吸波特性,是一种很好的红外上转换材料。     

MOCVD生长的GaN膜的光学性质研究

本文报道（0001）晶向蓝宝石衬底上金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长的单晶六角GaN薄膜室温光学性质．由光吸收谱和488umAr+激光激发的光调制反射光谱（PR）确定的禁带宽度分别为3．39和3．400eV，从光吸收谱得到了GaN薄膜的折射率随光谱能量的变化关系．对PR谱的调制机理进行的分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制．应用喇曼光谱研究了GaN薄膜中的声子模，通过对LO声子-等离激元的耦合模散射峰的研究，得到了材料中的载流子浓度和等离激元阻尼常数．     

脉冲激光沉积法制备红外光学SiC薄膜特性研究

采用脉冲激光沉积法在锗基底制备无氢SiC薄膜,研究了激光能量对SiC薄膜显微结构、成分和红外光学性能的影响规律。利用傅里叶红外光谱仪测量了锗基底SiC薄膜样品的红外透射光谱,其在785 cm-1附近有一个强烈Si-C键特征吸收峰,并在红外波数4 000~1 300 cm-1之间具有良好的透过性。通过对透射光谱拟合计算可知:在红外波段2.5~7.7 m之间,SiC薄膜的折射率和消光系数均随着激光能量的增加而增大,折射率大约从2.15上升到2.33,激光能量从400 mJ增加到600 mJ,且当激光能量为400、500 mJ时,消光系数均在10-3量级以内,光学吸收很小。研究表明,SiC薄膜在红外2.5~7.7 m波段是一种优异的光学薄膜材料。     

在氩气氛下生长的C_(60)薄膜的结构与特性

采用惰性气氛蒸发法制备 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)及紫外 -可见光谱研究了在氩 (Ar)气氛下生长的 C6 0 薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性 .AFM测量表明在 Ar气氛下生长的C6 0 薄膜的表面生长岛更尖锐 ,并且有较大直径的表面粒子 .由紫外 -可见光吸收谱测量发现 Ar气氛下生长的 C6 0 薄膜的强度和吸收峰位置与在真空下生长的 C6 0 薄膜比较有大的红移 .可求出在 Ar气氛下生长的 C6 0 薄膜的光学禁带宽度 Eg=2 .2 4e V,比在真空下生长的 C6 0 薄膜禁带宽度 (2 .0 2 e V)要大 .与真空下生长的 C6 0 薄膜比较     

液相外延法制备0.55eV-GaInAsSb四元合金薄膜及其在热光伏器件中的应用

利用液相外延法(LPE)在n型GaSb衬底上成功制备了用于热光伏电池的Ga1-xInxAsySb1-y四元合金薄膜.通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析评价.x射线能谱(EDAX)分析表明四元合金薄膜的成分为x=0.2,y=0.17.红外傅里叶变换透射谱分析表明,其室温下的吸收截止波长为2.256μm,对应禁带宽度为0.55eV.室温下的霍尔测试结果表明外延膜具有良好的电学性能,其非故意掺杂的薄膜表现为P型,载流子浓度为6.1×1016 cm-3,迁移率为512cm2/(V·s).又进一步利用Ga1-xInxAsySb1-y薄膜制备了不同结构的GaInAsSb基热光伏电池,光谱响应测试表明其量子效率可达60%.     

用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射

用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备了纳米碳化硅薄膜.实验中发现:在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下,可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜.用高分辩透射电子显微镜、傅里叶红外吸收谱、Raman散射和X射线光电子谱等分析手段对薄膜的结构进行了分析.在室温条件下,薄膜能够发出强烈的短波长可见光,发光峰位于能量为2.64eV处.瞬态光谱研究表明样品的光致发光寿命为纳秒数量级,表现出直接跃迁复合的特征.这种材料有希望在大面积平面显示器件中得到应用.     

Infrared spectroscopy and transmission electron microscopy of polycrystalline silicon carbide

The polycrystalline structure of silicon carbide was investigated by infrared spectroscopy and transmission electron microscopy (TEM). The films were obtained by annealing in the temperature range 950–1250°C of amorphous silicon carbide films deposited on a silicon substrate by PECVD. The broad absorption band at around 750 cm⁻¹ in the infrared spectrum of amorphous material after annealing at high temperature changes from a Gaussian to a Lorentzian shape, corresponding to the transition from an amorphous to a polycrystalline phase. The SiC peak becomes sharper with increasing the annealing temperature, this effect being related to the growth of crystalline grains. TEM microscopy indicates that the crystallisation occurs homogeneously in the films and the diffraction pattern shows that the film crystallises into cubic 3C–SiC. The distribution of polycrystalline grains as determined by TEM evidences an increase of the grain size with increasing the annealing temperature. A correlation between infrared peak width and mean grain radius has been found.     

湖北秦古绿松石的红外吸收光谱特征

为了研究新近发现的并极具开采潜力的湖北省竹山县秦古地区绿松石的特点,采用傅里叶变换红外光谱仪(Nicolet550型)对湖北秦古地区绿松石的红外吸收光谱进行测试,分析出OHˉ,H2O及PO43-集团的振动模式和频率决定了绿松石红外光谱的主要特征,且不同产地、不同结晶类型的绿松石的红外吸收光谱差异较小,说明秦古绿松石的分...     

Photoluminescence origin of nanocrystalline SiC films

The nanocrystalline SiC films were prepared on Si then annealed at 800℃ and 1 000℃ for 30 minutes （111） substrates by rf magnetron sputtering and in a vacuum annealing system. The crystal structure and crystallization of as-annealed SiC films were determined by the Fourier transform infrared （FIR） absorption spectra and the X-ray diffraction （XRD） analysis. Measurement of photoluminescence （PL） of the nanocrystalline SiC （nc-SiC） films shows that the blue light with 473 nm and 477 nm wavelengths emitted at room temperature and that the PL peak shifts to shorter wavelength side and the PL intensity becomes stronger as the annealing temperature decreases. The time-resolved spectrum of the PL at 477 nm exhibits a bi-exponential decay process with lifetimes of 600 ps and 5 ns and a characteristic of the direct band gap. The strong blue light emission with short PL lifetimes suggests that the quantum confinement effect of the SiC nanocrystals resulted in the radiative recombination of the direct optical transitions.     

Specific features of photoelectric and optical properties of amorphous hydrogenated silicon films produced by plasmochemical deposition from monosilane–hydrogen mixture

Photoelectric and optical properties of amorphous hydrogenated silicon films produced by plasmochemical deposition from a monosilane-hydrogen mixture have been studied at a fraction of hydrogen in the mixture that corresponds to the onset of formation of a nanocrystalline phase in the structure of the films obtained. A behavior untypical of amorphous hydrogenated silicon films is observed for the photoconductivity and the spectral dependence of the absorption coefficient. The temperature dependences of the photoconductivity in the films under study are found to vary with the energy of incident photons. At a photon energy of 1.3 eV, temperature quenching of photoconductivity is observed. Prolonged illumination of the films led to a certain decrease in the absorption coefficient at photon energies in the range 1.2–1.5 eV. The results obtained are attributed to the possible presence of silicon nanocrystals in the structure of the films and to the influence of these nanocrystals on their photoelectric and optical properties.