气敏元件的环境温度特性

研究了γ—Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＷＯ３、Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３气敏元件的环境温度特性。环境温度改变时（－４０～４０℃）元件的阻值Ｒ０的变化依基体材料及检测气体而异，Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３乙醇元件最为稳定，ＺｎＯ和ＷＯ３的Ｈ２Ｓ元件的Ｒ０有明显漂移，但在一定浓度Ｈ２Ｓ中的Ｒｇ比较稳定。这几种元件均适于在ＶＨ＝５Ｖ下工作。     

适合大众家庭使用的装机计划（续）

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货郎担问题最优并行启发式算法

本文给出了满足三角不等式的货郎担问题的并行启发式算法，在ＳＩＭＤ ＣＲＥＶ ＰＲＡＭ并行机上该算法使用Ｏ（ｎ＾３／ｌｏｇ＾２ｎ）台处理器需Ｏ熄ｌｏｇ＾２ｎ）时间，这里ｎ是给定城市的个数，因而该并行算法是最优的。     

SnO2薄膜的电学气敏特性与光学气敏特性研究

用射频磁控反应溅射法制备了ＳｎＯ２薄膜,并分别测量薄膜在乙醇气体中的电学气敏特性和光学气敏特性。对实验结果的分析表明,ＳｎＯ２薄膜对乙醇气体有较强的电学气敏效应和光学气敏效应。利用ＳｎＯ２薄膜的电学气敏特性适合检测较低浓度乙醇气体,而利用ＳｎＯ２薄膜的光学气敏特性能检测较高浓度乙醇气体。     

用PECVDS制备SnO2薄膜的结构,成份和气敏特性

采用ＰＥＣＶＤ 玻璃基片上制备出适合研制气敏感传感器的低电阻率ＳｎＯ２薄膜，Ｘ－线衍射分析表明沉积温度由高到低时，ＳｎＯ２薄膜从多晶态转变为非晶态，同时薄膜的电阻增加。Ｘ光电子能谱显示这种ＳｎＯ２薄膜是一种非化学计量配比成分的薄膜，其分子式为ＳｎＯ２ｘ，沉积时，氧气流量增加，该薄膜的电阻率随之增加。掺Ｓｂ的ＳｎＯ２薄膜对一氧化碳和酒精具有良好的气敏特性。     

ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究

将ＳｎＯ２及ＺｎＯ粉末压制成靶材，采用溅射衍制备了ＺｎＯ／ＳｎＯ２双层薄膜，用ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＳＥＭ等手段对制得的薄膜进行分析测试，发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在，双层膜中锌、锡有一定的相互扩散，比较了单层ＳｎＯ２及ＺｎＯ膜与双层膜的气敏特性，结果表明双层膜在灵敏度及选择性方面都优于单层膜。     

镉、锡复合氧化物及掺银薄膜的气敏光透射特性

ＣｄＯ－ＳｎＯ２复合氧化物是对乙醇气体选择性较好的敏感材料［１］，但灵敏度比纯ＳｎＯ２低。对镉、锡复合氧化物掺微量银后，灵敏度明显提高。掺银薄膜的气敏光透射特性好，可检测乙醇饱和气体的浓度高且重复性好。     

溶胶—凝胶法制备纳米SnO2材料

本文介绍了一种新型分散介质在溶胶－凝胶法制备纳米ＳｎＯ２材料中的应用。通过扫描电子显微镜比表面积测试仪和Ｘ射线衍射仪等实验等手段对ＳｎＯ２材料的粒径大小进行测试和分析，结果表明，本实验方法制备的ＳｎＯ２材料粒径最小为１５ｎｍ左右，实验还发现，热处理对ＳｎＯ２材料的粒径大小有很大的影响。     

SnO2 超微粉的合成及其特性研究

采用溶胶乳化方法制备了纳米ＳｎＯ２超微粉末，并超过ＤＴＡ、ＴＧ和ＸＲＤ等实验手段研究了ＳｎＯ２超细微粉的晶化规律，结合红外光谱、紫外吸收光谱对粉末的结构和性能作了进一步分析，实验发现，当热处理温度低于５５０℃时，ＳｎＯ２粉末的平均晶粒尺寸小于１７ｎｍ。     

环境温度对SnO2元件气敏特性的影响

研究了环境温度变化对各种ＳｎＯ２元件气敏特性产生的影响，突出地表现为随着环境温度的降低，气敏元件在空气中的阻值Ｒ０明显增大。用有机硅化物处理元件的表面可减小元件Ｒ０的这种漂移。     

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SnO_2/SiO_2双层薄膜的湿敏特性

本实验是在单晶硅片上热生长一层ＳｉＯ２，然后用真空淀积的方法获得一层超微粒ＳｎＯ２薄膜，通过对ＳｎＯ２／ＳｉＯ２薄膜电阻与相对湿度关系的测试，发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于ＳｎＯ２薄膜和ＳｉＯ２薄膜，测湿范围明显展宽。     

掺杂对MOCVD—SnO2薄膜气敏性能的影响

本文在小瓷管上用ＭＯＣＶＤ技术沉积ＳｎＯ２气敏薄膜，研究了Ｐｄ，Ｔｈ掺杂对该ＳｎＯ２元件气敏性能的影响。掺杂Ｐｄ使元件对乙醇，汽油的灵敏度均增大，而掺杂Ｔｈ则仅提高对了对乙灵敏度，对汽油的灵敏度反有所降低。因此有希望开发为不肥汽油干扰的乙醇敏感元件。     

稀土元素对SnO2气敏材料稳定性的影响

本文考察了二氧化锡气敏基材随３００℃下老化时间的增长，比表面减小，对乙醇的灵敏度下降的情况，此为二氧化锡气敏元件长期稳定性欠佳的原因之一。用稀土元素对二氧化锡进行化学修饰后，其比表面和灵敏度随老化时间的增长变化甚微，有助于提高二氧化锡气敏材料的稳定性。同时考察了老化时间对二氧化锡微晶结构的影响。     

常用函数调用频度的统计与分析

本文给出了数学库中各标准子程序的调用频度及统计方法；讨论了函数计算对整机性能的影响。研究结果表明：加速常用函数计算，可显著提高超级计算机的实用性能。Ｒ、ＳＱＲＴ、ＳＩＮ／ＣＯＳ计算的２￣ｘ，Ｉｏｇ２￣ｘ、Ｓｉｇｎ（ｘ＿ｌ，ｘ＿２）某函数计算的辅助性指令，直接用硬件实现；设置固定函数库装入最常用函数标子，可显著提高整机的综合计算速度，在参考文献［３］中的模拟分析也验证了这一结论。     

软硬天师

问：我的机器是５ｘ８６／１３３,３２兆ＲＡＭ,１．７Ｇ硬盘分两个区, 四速光驱。硬盘的缓存设多大为好？光驱的缓存设多大为 好,用什么程序好？加一个ＲＡＭ盘好不好,设多大值好？ 关于这个问题要看在什么环境下,若在ＤＯＳ环境下,硬盘 的缓存设为２Ｍ为宜。光驱的“加速”程序不少,但我认为, 如果你不常用光盘游戏之类要反复读光盘的程序则用ＭＳＣＤＥＸ的／Ｍ： ｎ（ｎ的值以２０左右为宜）参数,给光驱加缓存就可以了。在Ｗｉｎ３．Ｘ环境下,硬盘及光驱缓存的设置与ＤＯＳ下类似,还可以结硬盘加上双缓存。即在ＣＯＮＦＩＧ…     

157百合（Lilium cr.Gran sasso）染色体核型研究

本文对１５７百合进行了染色体核型研究,结果表明：１５７百合体细胞染色体数为２ｎ＝２ｘ＝２４;染色组成为Ｒ（２ｎ）＝２ｘ＝２ｍ（ＳＡＴ）＋２ｍ＋２Ｓｍ（ＳＡＴ）＋１６Ｓｔ＋２ｔ;在第１,２,对染色体上有随体;其核型分类属于３Ｂ型。     

休闲·硬件也发烧

Ｃｏｐｐｅｒｍｉｎｅ新一代超频王Ｎｅｒｖｅ Ｃｏｐｐｅｒｍｉｎｅ最近在市场上已有销 售，众多超频爱好者肯定关注其超频性能。网上有朋友介绍了他自己的Ｃｏｐｐｅｒｍｉｎｅ ＰⅢ５００Ｅ的超频情况。 这位同友在他的 ＳＯＹＯ ６ＢＡ＋ ＩＶ主板上用１．６Ｖ电压在１５０下运行，ＣＰＵ工作非常稳定。测试用的 ＣＰＵ情况是：马来西亚生产，ＰⅢ５００Ｅ－ＳＬ３Ｒ２，ＦＰＯ＃Ｑ９４４Ａ００７。ＭＭ＃８２５５８４， Ｖｅｒｓｉｏｎ＃ Ａ０１３０４－００１，封装日期是１１／６／９９，同时还配备了ＩＮ－ＴＥＬ原装的散热片。使用…     

一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系

用ＮＨ４）２ＣＯ３作沉淀剂制得Ｃｄ：Ｓｎ＝１：１的粉料，经７５０℃、１５ｈ热处理可得单相钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ３。元件的电导－温度（Ｇ－ｔ）特征表明β－ＣｄＳｎＯ３为典型的表面电阻控制型气敏材料，无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此，β－ＣｄＳｎＯ３很有希望作为一种新型的气敏材料体系。     

MOCVD法制备薄膜型SnO2气敏元件

本文报道了ＭＯＣＶＤ技术制备的ＳｎＯ２薄膜型气敏元件。这种方法沉积的ＳｎＯ２薄膜耐酸碱性强，膜厚易控制，具有负温阻特性。测定了不同温度和不同气体条件下元件的特性发现该元件对乙醇、丙酮气体具有较高的灵敏度，响应时间快；而对氢气、乙烯、煤气、液化石油气等不敏感，因而具有一定的选择性。元件的稳定性较好。