一种开关电阻调制方法及其应用

本文提出了一种基于开关与电阻串联的调制方法,通过适当的电路连接方式并以一定的方式控制开关的通断,可以产生所需要的等效电阻.从能量等效的角度给出了开关电阻支路等效电阻的计算方法.以反相放大器和跟踪滤波器为例,给出了开关电阻调制方法在电路中的应用.本文的讨论可供从事电路教学的教师参考.     

微小电阻直流双电桥测量方法研究

本文在介绍直流双电桥原理基础上,主要讨论了四端钮电阻法消除接触电阻和连线电阻的原理和使用方法,并给出了几种提高微小电阻测量准确度的实用方法.这对于正确使用直流双电桥测量微小电阻有重要借鉴意义.     

温度补偿晶体管的结构设计

本文给出了条状非对称基区温度补偿晶体管的纵向参数、版图设计、确定基区电阻比的关系式以及这种结构的温度补偿晶体管基区电阻计算公式.实验结果表明,本文给出的条状结构非对称基区温度补偿晶体管基区电阻比的函数关系式所确定的η有最佳的温度补偿效果.     

电阻阵列辐射输出特性评估

电阻阵列是一种出射式动态红外场景投射器件,它通过控制流经电阻元的电流使电阻发热产生红外辐射,达到成像目的.由于非均匀性校正等需求,需要使用红外成像探测器测试单个电阻元的辐射特性.由于输入电流和输出红外辐射之间复杂的非线性关系,电阻阵列的辐射输出特性主要通过测试数据拟合来获取.基于典型的光学系统配置,给出了电阻元辐射亮度与探测器辐射照度之间的关系式,分析了光轴上及轴外电阻元辐射亮度的测试方法;通过对硅桥和悬浮薄膜电阻阵列电阻元的分析,给出了实际温度与等效黑体温度之间的对应关系,对电阻阵列辐射输出特性的测试具有一定的理论参考价值.     

基于Multisim的负电阻特性分析及应用

为了得到负阻值性质的电路元件,采用正电阻与运算放大器进行搭建的方法.对搭建构成的负电阻和负电阻的串并联连接以及负电阻和正电阻的串并联连接进行了理论推导和Multisim仿真实验,两种方法的结果一致且证明搭建构成的电路元件具有负电阻的特性.给出了一个负电阻的应用实例.得出了在存在负电阻的电胆串并联等效变换中,负电阻的处理方法与正电阻一致的结论.     

基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀镇流电阻设计

在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.分析表明,对于采用均匀发射极镇流电阻设计的功率HBT,芯片中心发射极条温度最高,严重限制了器件的功率处理能力.因此提出非均匀发射极镇流电阻设计方案,并以12指Si0.8Ge0.2HBT为例,详细地给出非均匀发射极镇流电阻设计流程.结果表明,在总发射极镇流电阻阻值(各指发射极镇流电阻并联值)不变的情况下,非均匀发射极镇流电阻设计与传统的均匀设计相比,芯片中心结温显著降低,芯片表面温度趋于一致.还发现当各指发射极镇流电阻阻值从芯片边缘到中心按指数形式分布时,功率HBT的芯片表面温度更容易趋于均匀,大大提高了HBT的功率处理能力,为功率HBT的设计提供了指导.     

改进型支架压力传感器设计

为了精确测量支架压力的变化情况,给出了一种改进型支架压力传感器设计方案,分析了电阻应变式传感器的工作原理,阐述了如何采用全桥差动电路采集微弱的电阻变化信号.给出了接口电路硬件设计和部分软件流程.在使用过程中设备工作性能稳定,测量精度高,达到了预期工作目标.     

基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀镇流电阻设计

在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.分析表明,对于采用均匀发射极镇流电阻设计的功率HBT,芯片中心发射极条温度最高,严重限制了器件的功率处理能力.因此提出非均匀发射极镇流电阻设计方案,并以12指Si0.8Ge0.2HBT为例,详细地给出非均匀发射极镇流电阻设计流程.结果表明,在总发射极镇流电阻阻值(各指发射极镇流电阻并联值)不变的情况下,非均匀发射极镇流电阻设计与传统的均匀设计相比,芯片中心结温显著降低,芯片表面温度趋于一致.还发现当各指发射极镇流电阻阻值从芯片边缘到中心按指数形式分布时,功率HBT的芯片表面温度更容易趋于均匀,大大提高了HBT的功率处理能力,为功率HBT的设计提供了指导.     

负电阻及其串并联电路连接

负电阻不是实际存在的电路器件,但它可以通过运放和其它电路元件来实现。本文给出了负电阻的实现方法,讨论了负电阻和负电阻的串并联连接以及负电阻和正电阻的串并联连接,给出了运算放大器工作于线性区的条件。在存在负电阻的电阻串并联等效变换中,负电阻的处理方法与正电阻一致。     

基于外加电流源研究梯形网络的等效电阻

本文将线性空间的不动点理论与施加双外加电流注源法相结合,在探索研究网孔电流的递归表达式的基础上,给出了一种求Z×N级梯形电阻网络输入端任意两节点间等效电阻的简捷计算方法.该计算方法对计算平面电阻网络的等效电阻不仅有通用性,而且更加方便灵活.     

蝶形电阻网络圆周边界任意端口间等效电阻的计算

本文将电路理论中的网孔分析法与递归变换法相结合,给出了一种求解蝶形电阻网络圆周边界任意端口间等效电阻的简捷方法.计算过程中,首先基于网孔分析法建立了非线性的差分方程组,随后利用矩阵变换方法,将非线性差分方程组转化为线性的差分方程组.此外,本文将一般外加单一电流源求等效电阻的策略推广为外加多个电流源,由此获得的等效电阻解析表达式可适用于计算任意端口的等效电阻.     

用于聚焦型场发射阵列的Ni-SiO2透明电阻薄膜

为用自对准技术制作聚焦型发射阵列(FFEA)的聚焦极,要求FFEA的电阻层能透过光刻用近紫外光.为此提出用共溅射法制作Ni-SiO2金属陶瓷电阻层.研究结果表明,当适当调整Ni和SiO2成份比例,可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刘的电阻层.同时时此电阻层的电镜微观形貌,能谱成份分析,方阻及透光率进行了讨论.最后,给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例.     

求对称电路等效电阻的实用原则

文章利用对称电路的对称性,灵活运用等效的概念,给出了求解对称电阻电路等效电阻的实用原则,并给出了若干应用举例。     

JFET区注入对大功率VDMOS击穿电压和导通电阻的影响

研究了JFET区注入对大功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻的影响,分析讨论了JFET区注入影响击穿电压的机理,并定量给出JFET区注入对导通电阻的影响.通过器件数值模拟优化JFET区注入剂量,并根据仿真结果改进器件设计,在满足击穿电压要求的前提下导通电阻降低了8％.     

CMOS集成电路设计中电阻设计方法的研究

电阻在集成电路中有极其重要的作用。他直接关系到芯片的性能与面积及其成本。讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻、MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法，论述了他们各自的优点、缺点及其不同的作用；介绍了他们各自的计算方法并给出了MOS管电阻与电容电阻的实现方法。并对实例进行了详细的分析，比较了不同电阻在面积上的不同。能更好地了解不同电阻在不同情况下的使用。对MOS管实现交流电阻中出现的体效应给出了解决方法。     

用于高功率大能量激光器电源的吸能电阻的计算和有关设计

本文给出了用于高功率大能量激光器电源的吸能电阻阻值和功率容量的计算方法,并以电子束控制放电CO2激光器的主放电电源为例,简要说明吸能电阻的计算和有关设计.     

电阻阵列稀疏网格非均匀性修正

电阻阵列是目前发展最快和最有潜力的红外场景产生技术,可以满足大温度范围、高空间分辨率的要求.非均匀性是影响电阻阵列红外图像生成质量的一个重要因素.论述了非均匀性的成因和采取的一些措施,提出了一种改进的稀疏网格非均匀性修正方法,详细地描述了它的工作过程和原理.研究了非均匀性修正中电阻阵列响应特性的测量,给出了电阻阵列测试数据的处理和修正表格制备方法.对修正方法进行了数字仿真,结果表明:该方法可明显改善电阻阵列的非均匀性,提高成像质量.     

静电耗散性材料电阻在防静电标准中的测量方法

分析了用于静电耗散性材料电阻的各种测量组件,同时依据现有国际标准给出了表面电阻、体积电阻、对地(接地点)电阻和点对点电阻的测量方法。     

基于电阻补偿技术的低温漂电流源的设计

介绍了一种采用补偿电阻的方法获得低温漂电流源的设计思想.基于Chartered 0.25 μm 工艺电阻模型的分析,提出采用两种电阻相互补偿的方法,获得具有低温度系数的电阻值,从而优化了输出电流的温度特性.仿真结果表明,输出电流的温度系数为33×10-6/℃.针对非理想参考电压的情况,给出了提高输出电流稳定性的分析以及解决方法.     

测量薄层电阻修正因子的一种计算方法

本文讨论了用直线排列的四探针测量矩形薄层电阻的几个问题.应用Schwarz变换简化了边界,给出了薄层电阻修正因子的不用无穷级数表示的解析公式.并给出了完整的测量误差分析.计算结果还表明,对于单面样品,采用长宽比大于1.5的矩形样品比方形样品要准确;对于双面扩散矩形薄层,则存在一个最佳形状,即当长宽比为1.12时,修正因子几乎与样品的大小无关.