一种8通道12位逐次逼近式A/D转换器的设计

设计实现了一个8通道12位逐次逼近式A/D转换器。A/D转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型D/A转换器,实现数字位的串行输出。整体电路采用HSPICE进行仿真,转换速率为133 ksps(千次采样每秒),转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.8 mA。芯片基于0.6μm BiCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.5 mm×2.2 mm。     

一种采用0.5 μm CMOS工艺的多通道SAR ADC

设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。芯片基于0.5μmCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.4 mm×2.3 mm,流片测试满足设计指标。     

千兆以太网卡芯片A/D转换电路的设计与实现

介绍了一种用于千兆以太网卡芯片的8位125 MS/s CMOS流水线A/D转换电路的设计,包括体系结构设计、电路设计与仿真、版图设计。该A/D转换电路经过TSMC 0.13μm 1P8MCMOS工艺验证,工作电压为1.5 V/2.7 V。芯片测试结果表明,设计的A/D转换电路能够满足千兆以太网卡芯片的性能要求。     

高精度流水线模数转换器的全定制版图设计

采用0.18μm混合信号1P6M CMOS工艺,介绍了一种高精度流水线模数转换器的全定制版图设计。该芯片为数模混合信号IC,工作电压1.8 V/3.3 V,具有12位的采样精度和25 MHz的工作频率。版图设计过程中使用了合适的版图布局和电源、地线网络结构,重点介绍了采样保持模块设计上的一些结构和技巧。芯片测试结果表明芯片功能全部实现、性能良好,版图设计较好地实现了电路功能。     

一种新的基于SRAM的快速综合技术

对静态随机存储器(SRAM)全定制设计过程中的版图设计工作量大、重复性强的问题进行了分析,并在此基础上提出了一种新的应用于SRAM设计的快速综合技术。这种技术充分利用SRAM电路重复单元多的特点,在设计过程中尽可能把电路版图的硬件设计转换为使用软件来实现,节省了大量的版图设计和验证的时间,从而提高了工作效率。这种技术在龙芯Ⅱ号CPU的SRAM设计中得到了应用;芯片采用的是中芯国际0.18μm CM O S工艺。流片验证表明,该技术对于大容量的SRAM设计是较为准确而且有效的。     

0.9μmASIC正向设计中的版图数据格式及库的混合使用

给出了 0 9μmASIC正向设计中的版图数据格式与gdsⅡ格式之间转换步骤 ,讨论了单元库混合使用的设计方法。     

采用电荷复位技术的像素级ADC

实现了一种可用于CMOS图像传感器,采样率为50 Hz、精度为15位的像素级模数转换器(ADC)。此ADC采用电荷复位方式补偿电荷,然后通过对电荷包计数实现模数转换。为了实现低功耗、低噪声和小面积,对电路系统、核心模块的设计以及版图布局布线进行了综合考虑和优化。该设计采用SMIC 0.18μm CMOS标准工艺,版图面积为50μm×50μm。测试结果表明:当输入电流为17.5,33.7和80 nA时,对应的输出码的均值/标准差分别为8 875/6.56,16 500/2.6,32 768/14.3。在满量程输入电流(80 nA)情况下,仿真总功耗仅为4.5μW。     

一种非校正14位CMOS A/D转换器

设计了一种高精度A/D转换器电路.为了提高匹配精度,内部DAC采用一种电容DAC的新型分段结构;通过版图设计优化,可在不进行数字校正的情况下达到14位的分辨率,最大程度地减小了设计复杂性和功耗.整体电路采用0.6 μm标准CMOS工艺线进行投片验证,实现了14位转换,转换时间达到2.5 μs.     

一种低功耗14 bit逐次逼近型模数转换电路设计

为满足可穿戴集成电路长续航时间的应用需求,设计了一种低功耗14 bit逐次逼近型模数转换电路。为提高电路线性度,采样保持模块利用开关自举原理获得晶体管栅极电压;采用动态预置放大加锁存比较结构,有效降低了比较器模块的功耗;采用分段电容结构,有效减少了数模转换模块的电容数目,节约了芯片版图面积。在Aether软件环境下,采用CSMC 0.18μm CMOS工艺完成了电路的仿真和版图设计,仿真结果表明:电源电压3.3V,输入采样频率为2.08 MHz时,信噪失真比为77.3 dB,有效位数为12.55 bit,电路总功耗为236.4μW,包含I/O焊盘的版图面积为757μm×768μm。     

3V/5V标准单元混合使用的芯片设计

讨论了 0 .9μm标准单元正向设计流程中当电路中存在 5 V和 3 V两种电压时芯片的设计方法 ,包括网表产生与验证 ,版图设计 ,电压转换单元的加入原则。