相对论电子束激励的离子型准分子Kr~ Cs和Xe~ Cs真空紫外发射

由相对论电子束激发稀有气体和碱金属Cs的混合蒸气,观察到来自Kr Cs（131um）和Xe Cs（159um）离子准分子的真空紫外发射带。实验研究了真空紫外发射的光谱和温度依赖特性。经理论计算和实验的对比,两个发射带被分别标识为（KrCs） 和（XeCs） 离子准分子的21Σ -1Σ 跃迁。     

相对论电子束激励的宽带Rb2准分子发射及其增益观测

由相对论电子束激发稀有气体和碱金属Rb 的混合蒸气,观察到来自Rb2 (2 3Πg →1 3Σ u )准分子的橙红色发射带。实验研究了橙红带随温度和抽运功率的依赖特性。当抽运强度超过10m J/cm 3时,观测到自发辐射放大(ASE)现象和一个最大值为3.5% cm - 1的有效增益系数(603 nm处)     

电子束激励的稀有气体碱金属离子准分子(XeRb)~ 和(KrRb)~ 的真空紫外发射

由相对论电子束激发稀有气体和碱金属Ｒｂ的混合蒸气，观察到来自（ＸｅＲｂ）＋和（ＫｒＲｂ）＋离子准分子的两个真空紫外发射带，其波长分别在１６４ｎｍ和１３３ｎｍ。     

Cs~（2＋）F~－离子准分子的相对论电子束激励

由高能电子束激发成功地观测到来自内壳层电离态Ｃｓ２＋Ｆ－（与ＸｅＦ具有等电子序的结构）的两个离子准分子发射带。其中心在１８５ｎｍ的强发射带被标记为来自Ｃｓ２＋Ｆ－离子准分子的Ｂ－Ｘ带束缚一自由跃迁．１５２ｎｍ附近的发射带是来自于Ｃｓ２＋Ｆ－的Ｄ—Ｘ带连续辐射。     

细胞色素C还原态与氧化态的激光共振喇曼谱和红外吸收谱研究

本文用Ar离子激光器的514.5nm作为激发波长,激发细胞色素C还原态(CytochromeC(Ⅱ)吸收谱中对应于β带(～520nm)的π→π~*电子跃迁,测量了它的共振Raman谱及其偏振特性,标识了各个峰所对应的键振动。观察并讨论了产生共振Raman谱的条件。测量在还原态Cytochrome C(Ⅱ)和氧化态Cytochrome C(Ⅲ)混合状态时的Raman谱,得到了     

白光LED用Sr3（PO4）2∶Tb3+,Li+荧光粉的制备工艺及发光性能

采用沉淀-燃烧法结合超声波技术合成了小颗粒Sr3(PO4)2∶Tb3+荧光粉,测量了其光谱特性。在Sr3(PO4)2∶Tb3+体系中观察到Tb3+的特征发射,峰值波长分别为489,542,584,620nm,分别对应于Tb3+的5 D4→7F6、5 D4→7F5、5 D4→7F4和5 D4→7F3跃迁,其中542nm处的绿色发射最强。激发光谱由4f75d1宽带吸收(200～280nm)和4f→4f电子跃迁吸收(280～390nm和475～500nm)组成,可被近紫外发光二极管(NUV-LED)有效激发。采用R+(R=Li,Na,K)作为电荷补偿剂,结果表明:Li+作为电荷补偿剂使样品发光强度提高了31%,Na+和K+的掺入则降低了粉体在近紫外区的吸收。     

光泵浦Xe2Cl的激光振荡

Xe2Cl化合物是三原子类型的准分子，它的特征是在紫外和可见光谱区有宽的发光谱带（~100 nm)。目前用电子束泵浦Xe2Cl、Kr2F正和Xe2Br，用光泵浦Kr2F,已在可见波段获得激光振荡。     

放电等离子体中XeI准分子的形成过程

研究了Xe/I2 混合气体 (气压 70～ 1330Pa)在直流辉光放电情况下XeI 准分子的形成过程 ,得到了XeI 准分子在 2 40～ 2 70nm波长范围内的荧光发射谱。并对XeI (B→X)跃迁谱线强度随混合气体压力的变化进行了实验研究 ,发现气压为 333Pa时荧光最强 ;此条件下 ,放电等离子体的电子温度为 13 2eV ,表明低气压放电等离子体中主要反应通道为快电子碰撞Xe使其跃迁至 3 P ,随之与I2 碰撞形成 XeI(A ,B ,C)。     

等离子显示屏(PDP)用新型红色发光体的合成及光学特性

为开发出等离子显示屏用新型红色荧光体，研究了GdAl3(BO3)4:Eu，Gd2SiO4：Eu的紫外和真空紫外发光特性。在147nm激发下GdAl3(BO3)4：Eu^3 呈色坐标为(0．645，0．330)的强红光发射，说明是非常有前途的PDP用红色发光材料。在GdAl3(BO3)4：Eu^3 的激发光谱中，除观察到Eu^3 的电荷迁移带(峰值位于258nm)外，还观察到峰值位于155nm的宽带。依据硼酸盐的吸收数据将其归属于BO3基团的吸收。另外观察到Gd^3 8S7/2→^6I11/2跃迁(274nm)及在真空紫外(158～160nm)激发下，Eu^3 的红光发射强度随着Eu^3 浓度的增加而减弱，说明BO3基团吸收的能量经Gd^3 为媒介转移到Eu^3 。分析Gd2SiO5：Eu的激发光谱，得到Eu^3 的电荷迁移带是峰值位于256nm的宽带，峰值位于183nm的宽带可能是Gd^3 的电荷迁移带。在256nm激发下Gd2SiO5：Eu^3 呈强红光发射，但是147nm激发下很弱。这是由于真空紫外激发效率低的原因，其特点可由其晶体结构即激活离子所处的环境解释。     

980nm激发下YLiF_4∶Er~(3+),Tm~(3+),Yb~(3+)中的能量传递过程

利用水热法合成了YLiF4∶Er3 ,Tm3 ,Yb3 ,其中Er3 、Yb3 和Tm3 的摩尔分数分别为2%、1.5%和2%。在这种共掺杂体系中,在980nm光的激发下,材料的上转换发光为白光,发光峰不仅分别位于665nm(651nm)、552nm(543)、484nm和450nm处,并在648nm处还观察到了一个发光峰,其中最强的发射为红光。蓝光主要来源于Tm3 的激发态1G4到基态3H6的跃迁,绿光来源于Er3 的4S3/2和2H11/2到基态4I15/2的跃迁,红光既来源于Tm3 的1G4→3F4的跃迁,也来源于Er3 的4F9/2→4I15/2的跃迁。不同发射对应的激发光谱略有不同,当用不同波长光激发时,得到的发光不同,由此证明了Tm3 和Er3 之间存在能量传递,并且这种能量传递增强了红光的发射,降低了绿光的发射。     

单取代聚乙炔的荧光光谱在低温下的裂变

在18至300 K的温度范围内,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究.在室温时,这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光,其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm,而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm.位于510、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰,而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰.当温度从300 K降到18 K的过程中,原荧光光谱发生中的激发缔合物的主要发光峰从510 nm逐渐红移到570 nm,而其激发缔合物的次要发光峰逐渐消失;与此同时,该高分子材料的380 nm的荧光峰逐渐与主荧光峰分开.这些光谱方面的变化可用该高分子在低温下所发生的结构上的变化来解释.     

微量Co2+掺杂ZnO粉体的结构和光学性能研究

采用球磨法制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.004,0.008)纳米粉体,分别利用XRD,PL光谱和紫外-可见吸收光谱对样品进行了表征。XRD图谱显示样品呈六方纤锌矿结构,随着Co2+离子掺杂量的增加,晶格常数和平均晶粒尺寸略有减小。在PL光谱上观察到三个发光带:370nm处的本征发光峰、468nm附近的强蓝光发光峰,以及533nm附近的绿光发光峰。和球磨样品相比,1 200℃退火的样品的发光强度明显增强,这归因于退火使样品晶粒长大。在紫外-可见吸收谱上可以观察到两个吸收带:由ZnO的带隙吸收引起的360～388nm的强紫外吸收带和由Co2+离子的d-d跃迁引起的565nm附近的可见光吸收带。因此通过调节Co2+掺杂量和选择适当的退火温度可制备高质量的发光材料。     

400-nm-Bandwidth Emission From a Cr-Doped Glass Fiber

Cr⁴⁺-doped glass fiber by a laser-heated pedestal growth method is reported. By analyzing the absorption spectra, the transitions of Cr³⁺ and Cr⁴⁺ in the fibers are identified. With appropriate pumping wavelength and divalent doping concentration, both Cr³⁺ and Cr⁴⁺ emission bands can be excited simultaneously, and become comparable in their fluorescent intensities. As a result, more than 400-nm-width emission peaked at 1144 nm was generated at room temperature. As much as 12muW of amplified spontaneous emission was obtained by pumping with a 900-nm Ti : sapphire laser     

On the Origin of Green Emission Bands in Fluorene‐Based Conjugated Polymers

Blue‐light‐emitting diodes made of polyfluorenes have low stability and, under operation, rapidly degrade and produce undesirable low‐energy emission bands (green or g‐bands). A spectroelectrochemical study of the degradation process suffered by polyfluorenes is reported here. These polymers lose their electronic properties by electrochemical oxidation and reduction through σ‐bond breaking. In addition, upon electrochemical reduction, the development of a structured green emission band at 485 nm is observed. The position and shape of this band is different from the usual featureless band at 535 nm assigned to fluorenone defects. The green‐light‐emitting product is isolated and analyzed by Fourier‐transform IR spectroscopy; fluorenone formation is excluded. The isolated product is crosslinked; its green emission is probably related to the formation of an intramolecular excimer.     

XeCl准分子激光器在11个振动带上获得激光发射

器件结构及放电网路如图1所示。电容C_1、C_2为平板电容器,由铜箔和聚脂薄膜加胶压制而成。电极材料为LY-16铝合金。电极长1米,实际激活长度80厘米。电极面形为R10圆柱面。电极上下两侧各放一个玻璃板产生电晕预电离。电极间距2厘米,谐振腔长120厘米,全反射镜为镀铝的K_9玻璃平板,输出镜为镀介质膜的K_9玻璃平板,308毫微米处反射率～80％。该反射镜的玻璃介质损耗在308毫微米处测得为～50％。所用气体为:He99.99％,Xe99.99％,HCl本室化学组制备、HBr安大化学系制备的。     

Tm3+/Yb3+共掺杂铋锗铅玻璃的上转换发光研究

设计并制备了一种组分为45Bi2O3-35GeO2-20PbO-0.02Tm2O3-xYb2O3(x=1.0,1.2,1.4,1.6和2.0 mol%)新型Tm3 /Yb3 共掺的铋锗铅玻璃材料,测量了玻璃的吸收光谱和上转换光谱,分析了玻璃中Tm3 的上转换发光机理.应用Judd-Ofelt理论计算了铋锗铅玻璃BGP1.0中Tm3 离子的三个强度参量Ωt(t=2,4,6)、振子强度、自发跃迁辐射几率和荧光分支比等光谱参数.通过975 nm的激光二极管激发,在室温下同时观察到强烈的上转换蓝光(476 nm)和微弱的红光(653 nm),分别是由于Tm3 离子1G4→3H6和1G4 →3F4跃迁.同时研究了蓝光和红光上转换发光强度随泵浦激发功率的变化,其曲线斜率分别为2.87和2.41,表明蓝光和红光都是三光子吸收过程.研究结果显示,Tm3 /Yb3 共掺铋锗铅玻璃是一种上转换蓝光激光器的潜在基质材料.     

Er3+/Yb3+共掺碲酸盐玻璃的上转换低温特性研究

研究了低温下Er3+/Vb3+共掺碲酸盐玻璃在975 nm激光激发下的上转换光谱与温度的关系.通过上转换光谱测量观察到3处上转换荧光,它们依次为529 nm(2H11/2→4I15/2),546 nm(4S3/2→4I15/2)和669 nm(4F9/2→4I15/2),上转换绿光(546 nm)和红光(669 nm)荧光强度在80 K左右达到了最大值,与300 K温度下相比分别提高了2.198和1.556倍.而529 nm上转换绿光强度随着温度的降低逐渐减弱,直至消失.研究了4S3/2能级和2H11/2能级之间的粒子数分布与温度的关系,并通过理论模型拟合了实验测量的4S3/2能级和2H11/2能级之间的粒子数分布,测量了8～300 K温度范围下,4Sa/2能级和4F9/2的寿命和温度的变化关系以及通过高斯拟合研究了4S3/2能级和2H11/2能级Stark分裂与温度的关系.