SiO2对SnO2.CoO.Nb2O5压敏电阻非线性电学性质的影响

对ＳｉＯ２掺杂的ＳｎＯ２．ＣｏＯ．Ｎｂ２Ｏ５压敏电阻非线性电学性质进行了研究,并对其微观结构进行了电镜扫描,且对其晶界势垒高度进行了测量,实验表明ｘ（ＳｉＯ２）＝０．３％掺杂的ＳｎＯ．ＣｏＯ．Ｎｂ２Ｏ５压敏电阻的非线性系数ａ高达３０,并且具有最高的击穿电场（３７５Ｖ／ｍｍ）。采用Ｇｕｐｔａ－Ｃａｒｌｓｏｎ缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随ＳｉＯ２的添加而变大的现象进行了理论解释。     

NH3／H2O2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光

用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对用阳极氧化法制成的多孔硅层在１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明，Ｓｉ－Ｏ键和Ｈ－Ｏ键的强度随ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液的腐蚀时间的增加而增加，Ｓｉ－Ｈ键强主匠随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升，半高宽变窄，谱峰的以边明显蓝移。分析研究表明，１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液对多孔硅层有腐蚀     

Al2O3／TiB2和Al2O3／TiB2／SiCW陶瓷材料氧化层的显微结构分析

用Ｘ射线衍射，扫描电子显微镜和透射电镜／能谱仪分析了Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２和Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣＷ陶瓷材料在１３００℃氧化３０小时后氧化层的相组成及显著结构。     

CS2,SO2对亚稳态CO（a）的猝灭及化学发光

本文利用流动余辉技术测定了ＣＳ２、ＳＯ２对亚稳态分子ＣＯ（ａ）的电子态猝灭速率常数，实验中观察到ＣＳ２、ＳＯ２对ＣＯ（ａ）的猝灭产物ＣＳ（Ａ，ａ－Ｘ）、ＣＳ＾＋２（Ａ－Ｘ），ＳＯ（Ａ－Ｘ）的化学发光，讨论了猝灭和产物的形成机理测量得了产物的形成速率常数，获得了产物初生振动布居的信息，并用统计模型对态布居进行了分析。     

埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质

研究了埋入ＳｉＯ２薄膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微晶的电学性质与温度的关系。结合对光致发光（ＰＬ）的测量、电导激活能、电导与发光强度和峰位关系的测量发现，当测量温度高于６０℃时，埋入ＳｉＯ２中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微结构具有半导体导电规律，尽管Ｃ／ＳｉＯ２复合膜在室温至６０℃之间表现出金属导电性质。对电导和ＰＬ机制进行了讨论。     

气体吸附对SnO2／Si光电压的影响

测量了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２、液化石油气等还原性气体前后光电压的变化；分析了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面的吸附性和机理。     

O^＋注入SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究

研究了Ｈ＋注入对ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响,并与含氢气氛退火作了比较,进而研究了Ｏ＋注入对ＳＢＴ铁电薄膜电学性质的影响。发现室温Ｏ＋注入,由于较严重的晶格损伤的存在,ＳＢＴ铁电薄膜的电学性能退化严重,而热靶Ｏ＋注入有助于克服氢对ＳＢＴ铁电薄膜的影响。     

键合Si／SiO2／Si结构的C—V特征

本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验。     

键合Si／SiO_2／Si结构的C－V特征

本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特征，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验．     

硫化镉纳米微晶掺杂Na2O—B2O3—SiO2系统玻璃的制备及光学性质 …

本文采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备了掺杂ＣｄＳ纳米微晶的Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统玻璃,研究了这种玻璃材料的合成反应机理和结构特性。利用各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸ＣｄＳ半导体微晶的光致发光光谱,研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的信赖关系,拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线,获得样品的非均匀线宽。ＣｄＳ微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的,可以利用ＣｄＳ微晶的非均匀宽化系     

SnO2／Si的光伏特性

采用ＣＶＤ方法在硅单晶上制备ＳｎＯ２薄膜，对不同硅衬底及在不同温度下淀积ＳｎＯ２制得ＳｎＯ２／Ｓｉ进行光电压谱的测量，得出最佳的制备温度；采用类金属半导体接触模型，推导出有关计算公式，计算得出其介面复合速度和异质结势垒宽度等参数。     

制备条件对SnO_2／Si性质的影响

研究了沉积温度、ＳｎＣｌ４溶液的浓度、掺Ｐｄ等对ＳｎＯ２／Ｓｉ光电压的影响，测量了ＳｎＯ２／Ｓｉ的光电压谱，得出最佳的制备条件，进行了有关计算和分析。     

用SIPOS-SiO2复合层对4H-SiC n+pp+结构钝化的分析

用半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）－ＳｉＯ２复合层作为４Ｈ－ＳｉＣｎ＾＋ｐｐ＾＋结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用ＳｉＯ２钝化的不足。在ＬＰＣＶＤ淀积ＳＩＰＯＳ层后,用９００℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在ＳＩＰＯＳ层上生长了一层ＳｉＯ２。实际测量证实了这种新方法的合理性,分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出：在淀积ＳＬＰＯＳ层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高,用此方法钝化的４Ｈ－Ｓ     

SnO_2∶Fe_2O_3混合薄膜的制备及其在丙酮蒸汽中的反射光谱

以ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ，ＦｅＣｌ３·６Ｈ２Ｏ及无水乙醇为主要原料，采用溶胶凝胶法制备了ＳｎＯ２∶Ｆｅ２Ｏ３混合薄膜，测量并研究了其在可见光区附近的丙酮气敏反射光谱。     

Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究

本文报道了以Ｆｅ（ＣＯ）５和ＳｎＣｌ４为源，采用ＰＥＣＶＤ技术淀积Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２双层薄膜，将该薄膜淀积在陶瓷管上，对氨气的敏感特性进行了测量，并讨论了敏感机理．     

SnO2-MgO-Nb2O5压敏材料系电学性质研究

对一种新的压敏材料ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５陶瓷进行了初步的研究。实验结果表明,本系列材料具有优异的介电性能,室温介电常数为１４０￣６００,也具有较好的压敏性,其非线性系数最大值达到６．３。     

Au掺杂TiO2／SiO2薄膜的光学非线性特性研究

采用溶胶－凝胶方法制备了Ａｕ掺杂的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜（厚度约为１．０μｍ）。Ｘ－ｒａｙ衍射分析表明，Ａｕ的颗粒镶嵌在ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜的玻璃网络中。谢乐公式计算给出Ａｕ的颗粒大小约为１０ｎｍ。采用Ｚ－Ｓｃａｎ测量技术得此薄膜的光学非线性折射率为１．０９×１０－７ｅｓｕ。     

Al2O3陶瓷表面的准分子激光活化沉积金属Cu技术

本文研究了通过ＸｅＣｌ准分子激光照射Ａｌ２Ｏ３陶瓷表面后,使其表面沉积金属Ｃｕ的技术,实验结果表明,Ａｌ２Ｏ３试样浸入Ｃｕ２ＳＯ４溶液后,金属Ｃｕ膜只沉积于激光照射区。经准分子激光照射,Ａｌ２Ｏ３表面结构的变化和Ａｌ富集区的产生是金属Ｃｕ沉积的主要原因。     

烟道SO2浓度的紫外差分吸收光谱法测量研究

本文研究了烟道ＳＯ２浓度的紫外差分吸收测量方法,采用氘灯作光源,旋转式光栅单色仪,用光电倍增管做探测器;对实际测量数据的分析表明,方法可精确测量烟道ＳＯ２的浓度,由于采用了差分吸收测量,烟道中的其它气体成份和光源强度随时间的慢变化对测量结果和精度影响可以忽略。     

硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响

实验研究了硅表面清洗方式对７ｎｍ热氧化ＳｉＯ２栅介质可靠性的影响．结果表明,稀ＨＦ酸漂洗后ＲＣＡ清洗时降低ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）温度对提高栅介质可靠性有利,但仍不如用ＳＣ２（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）或Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２清洗效果好．稀ＨＦ酸漂洗后用Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２清洗得到的栅介质不仅表现出优良的击穿电场分布特性和击穿电荷分布特性,抗热电子损伤能力也比较强