利用准分子激光制备Cu，Al化合物的纳米粒子

利用准分子脉冲激光（ＸｅＣｌ，λ＝３０８ｕｍ）对Ｃｕ，Ａｌ靶进行消融，从而得到Ｃｕ，Ａｌ化合物的纳米级粉末。ＣＵ的产物为（ＣｕＯ）６·Ｃｕ２Ｏ，Ａｌ的产物为Ａ１Ｎ。用透射电镜对粉末进行分析，并对消融产生的纳米颗粒在其颗粒大小及分布上予以分析统计。结果表明，（ＣｕＯ）６·Ｃｕ２Ｏ粒子的平均直径为１１ｕｍ，Ａ１Ｎ粒子的平均直径为６ｕｍ左右，基本符合对数正态分布。     

不锈钢基底高电流密度YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＋ 离子源辅助准分子脉冲激光沉积（００２）取向的ＹＳＺ（Ｙｔｔｒｉａ－ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｚｉｒｃｏ－ｎｉａ）过渡层薄膜于不锈钢基底上;基底加温至７５０℃,用准分子脉冲激光沉积高电流密度ＹＢＣＯ（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ ｘ） 高温超导线材。实验结果表明：ＹＢＣＯ 超导线材临界温度Ｔｃ ≥９０ Ｋ （Ｒ＝０）,临界电流密度Ｊｃ ≥１×１０６ Ａ／ｃｍ ２（７７ Ｋ,０ Ｔ）。     

用光学光谱分析仪测量准分子激光等离子体的空间角分布

本文用光学光谱分析仪（ＯＳＡ，ＷＰ－４）首次测量了ＸｅＣｌ准分子激光在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导靶面激励等离子体发射谱的轴向、径向分布。综合空间分辩率＜３００μｍ。结果表明在入射激光功率密度为２．２４×１０８Ｗ／ｃｍ２，背景氧压为２×１０－１Ｔｏｒｒ时，等离子体激发态粒子具有ＣＯＳ（ｎ）θ的空间角分布。其中，ｎ的值为２．９到４．８之间。     

Al2O3,Cu,Fe,Si,W的热物理性能

１９８５年，科学技术数据委员会（ＣＯＤＡＴＡ）公布了固体热物理性能研究小组的报告，报告分析适用数据并给出了推荐值：Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ、Ｗ和Ｆｅ的比热，Ｃｕ、Ｓｉ、Ｗ和Ａｌ２Ｏ３的热膨胀，Ｃｕ、Ｆｅ、Ｗ和Ｐｔ的电阻率，Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ和Ｗ的热导率以及Ｐｂ、Ｃｕ和Ｐｔ的绝对热功率。研究小组组长由Ｙ．Ｓ．Ｔｏｕｌｏｕｋｉａｎ教授担任，直至１９８１年去世后，由Ｍｅｒｒｉｌｌ Ｍｉｎｇｅｓ博士担任。自上述报告     

Al_2O_3-WO_3材料的激光合成研究

采用大功率ＣＯ２激光器合成出了Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料。测量其阻－温特性表明合成样品具有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性，微观分析结果证明激光合成样品由Ａｌ２Ｏ３、ＷＯ３、Ａｌ２（ＷＯ４）３、ＡｌｘＷＯ３四相组成，而起导电作用的是ＡｌｘＷＯ３这一非平衡反应产物。常规烧结工艺合成Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料所得试样没有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性。     

γ-TiAl金属间化合物合金激光表面合金化制备Al_2O_3/TiAl耐磨复合材料涂层研究

以镍包Ａｌ_２Ｏ_３粉末为原料对γ－ＴｉＡｌ金属间化合物合金进行激光表面合金化,制得无裂纹、表面光滑、内部组织致密、厚度可达１．０ｍｍ、以快速凝固Ａｌ_２Ｏ_３硬质相为增强相的“原位”耐磨复合材料合金层,通过预热及缓冷可以消除涂层开裂现象。涂层与基体的结合为完全冶金结合,激光表面合金化后ＴｉＡｌ合金硬度及在滑动磨损及磨料磨损条件下耐磨性均大幅度提高。     

短脉冲紫外激光对陶瓷的刻蚀作用

采用ＫｒＦ准分子激光对ＳｒＴｉＯ３和Ａｌ２Ｏ３陶瓷进行刻蚀。给出了刻蚀速率与激光能量密度的关系，并对实验结果进行了分析。     

准分子激光对陶瓷的表面处理

准分子激光已应用在对陶瓷的大面积表面处理上，旨在改善其表面形态与性能。本文讨论了ＫｒＦ激光在对Ａｌ２Ｏ３陶瓷样品以及陶瓷膜的处理过程中，其参量对上有面特性的影响。     

铝合金激光熔覆Ni-WC涂层的组织及耐磨性

采用５ｋＷＣＯ２激光器，对ＺＡ１１１合金表面的Ｎｉ－ＷＣ等离子涂层进行了熔覆处理。利用ＳＥＭ和Ｘ射线衍射分析了激光层中的组织分布，并对激光处理后的试样进行了耐磨性实验。实验结果表明，激光熔层中的组织以镍铝基的金属间化合物Ａｌ３Ｎｉ，Ａｌ３Ｎｉ２，ＡｌＮｉ和Ｎｉ３Ａｌ为主；ＷＣ颗粒基本在熔区中熔化，在冷却过程中以弥散碳化物形式析出。这些组织的存在使得激光熔层具有很高的硬度，其润滑磨损耐磨性为未经激光处理喷涂层的１．７５倍和Ａｌ－Ｓｉ合金基体的２．８３倍。     

等离子喷涂Al2O3+13wt%TiO2陶瓷涂层的 激光重熔处理

本文用Ｘ射线衍射、扫描电镜和显微硬度研究了等离子喷涂Ａｌ２Ｏ３＋１３ｗｔ％ＴｉＯ２陶瓷涂层激光重熔处理后陶瓷熔化层的组织结构及硬度变化特征。激光重熔区亚稳相Ｙ－Ａｌ２Ｏ３转变成为稳定相α－Ａｌ２Ｏ３：ＴｉＯ２与Ａｌ２Ｏ３反应生成ＴｉＡｌ２Ｏ３陶瓷熔化层致密,无孔隙、少裂纹或无裂纹;熔化层硬度有较大提高,且随激光能量密度的增大而增大,而涂层设计对其影响很小。此外,激光重熔能极大地提高陶瓷的涂层的耐磨     

Characteristics of HfO/sub 2/ pMOSFET prepared by B/sub 2/H/sub 6/ plasma doping and KrF excimer laser annealing

The electrical characteristics of HfO/sub 2/ pMOSFETs prepared by B/sub 2/H/sub 6/ plasma doping and excimer laser annealing were investigated. Various metal gate electrodes were evaluated to protect the high-/spl kappa/ oxide during laser irradiation. Although the aluminum gate electrode showed superior reflectivity to the laser, the equivalent oxide thickness was increased due to the interaction between aluminum and HfO/sub 2/, which resulted in reduced capacitance. In contrast, the Al-TaN stacked gate showed good reflectivity up to laser energy of 500 mJ/cm/sup 2/ and improved capacitance was obtained compared with the Al gate. For the first time, the electrical characteristics of a HfO/sub 2/ pMOSFET with an Al-TaN gate fabricated by plasma doping and excimer laser annealing were demonstrated. It was also demonstrated that plasma doping and excimer laser annealing combined with a metal gate could be applied for high-/spl kappa/ oxide MOSFET fabrication.     

提高Al/SiC复合材料抗蚀性的准分子激光气体合金化研究

为提高 Si C增强铝基复合材料的抗蚀性能 ,利用 Kr F准分子激光在高纯度氮气环境下对Si C晶须增强铝基复合材料进行气体合金化处理。处理后 ,在试件表面形成了一个几微米厚的富含Al N陶瓷相的表面改性层。该层不再含有导致材料抗蚀性恶化的金属间化合物 ,Si C增强相的数量也大幅度减少。准分子激光气体合金化对金属基复合材料的复合抗蚀机理使材料的抗腐蚀性能得到了显著提高     

准分子激光消融制备纳米材料的动力学研究

以XeCl准分子激光消融Al, Cu为例,分析了以准分子激光消融平面材料的动力学过程,从激光导致的材料温度场着手,分析材料从缺陷导致断裂并最终形成纳米材料的全过程。     

脉冲激光沉积Al/Ag掺杂功能梯度薄膜

为了寻找制备梯度金属薄膜的新方法和新工艺,采用脉冲准分子激光扫描沉积技术,在Si(100)单晶衬底上沉积了Al/Ag掺杂功能梯度薄膜,并采用SEM和XPS对制备的薄膜进行了微观分析。分析结果表明,运用合适的激光参数和辅助放电,在沉积温度300℃时,制备出了Al/Ag组分比近似为5:1的掺杂梯度薄膜。该实验方法说明,利用脉冲激光与金属掺杂靶相互作用沉积梯度金属薄膜是可行的。     

Cu-Al系粉末压坯激光反应烧结研究

通过对烧结温度的变化过程、产物相的形成与转变、致密化行为、硬度特征等细致的研究和分析,揭示了Cu-Al系粉末材料激光反应烧结的特性.结果表明,在激光输出功率800W、持续作用时间为16s的情况下,反应向试样的纵深方向发展,表现出剧烈、快速的蔓延燃烧特征,相的形成是在激光加热与反应阶段的短暂时间内完成.由于激光加热比常规电炉加热速度快,烧结试样均产生收缩,在Cu75Al25试样中出现了亚稳态马氏体(M)型Cu3Al相.     

脉冲激光沉积Al膜的沉积模式及沉积速率研究

为了给脉冲激光沉积(PLD)法沉积大面积均匀薄膜的应用提供相关的理论依据,以纯铝块作为靶材,采用PLD法在同轴和旁轴两种模式下对比研究了Al薄膜的厚度均匀性。同时,在旁轴的沉积模式下分别研究了基片温度、激光功率和重复频率对A l薄膜沉积速率的影响规律。实验结果表明,采用PLD方法在旁轴的沉积模式下获得的Al薄膜的厚度更加均匀。随着基片温度的增加,薄膜的沉积速率反而降低。升高激光功率,薄膜的沉积速率也随之提高。而在激光重复频率的变化过程中,Al薄膜的沉积速率有一最大值。     

Precise control of sheet resistance in boron doping of silicon byexcimer laser irradiation

To control the sheet resistance in boron doping of silicon by the excimer laser irradiation, two-step doping consisting of the deposition of boron films and the incorporation of dopant atoms is proposed. These processes are carried out in the same chamber successively. Precise control of the sheet resistance can be realized by this method and a very low sheet resistance can also be obtained by only one pulse irradiation for the melting of silicon     

反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究

实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝（ＡｌＮ）薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Ａｌ和Ｎ发生完全反应制备高质量符合化学计量比的ＡｌＮ薄膜。讨论了脉冲能量密度、基底温度、气体放电对所沉积薄膜组织结构的影响。实验结果表明,当ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ－２,ＰＮ２＝１３．３３３ｋＰａ,Ｔｓｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功地沉积于Ｓｉ（１００）基片上。分析表明薄膜是具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,薄膜的能带间隙约为６．２ｅＶ,其电阻率和击穿电场分别为２×１０１３Ω·ｃｍ和３×１０６Ｖ·ｃｍ－１。     

激光消融对角膜细胞的影响

本文用计算机图像定量分析308nm准分子,193nm准分子和2.94μm Er∶YAG激光分别照射角膜后,角膜上皮细胞和内皮细胞的形态变化。结果表明:308nm激光对角膜上皮细胞有明显损伤;193nm对再生的上皮细胞无明显影响,而2.94μm对上皮细胞无影响。但若使用2.94μm激光能量密度过高或切削过深,则对内皮细胞有影响。